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[发明专利]去耦叠层体声谐振器器件中的通带宽度控制-CN200480032452.2有效
发明人： J·D·拉森三世;S·L·艾利斯 -专利权人：阿瓦戈科技无线IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H03H9/58 文献下载
摘要：一种去耦叠层体声波谐振器DSBAR器件(100)，包含下薄膜体声波谐振器FBAR(110)、堆叠在下FBAR上的上FBAR(120)，以及位于所述FBAR之间的声波去耦器(130)。每个FBAR包含相对的平面电极(112、114)以及位于所述电极之间的压电元件(116)。该声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层(182、183)。声波去耦层的声阻抗和厚度决定该声波去耦器的声阻抗，并因此决定DSBAR器件的通带宽度。于是可以使用工艺兼容的声波去耦材料，从而使声波去耦器具有特定的声阻抗和通带宽度，而由于缺乏具有这种声阻抗的工艺兼容的声波去耦材料，以其它方式不能获得该声阻抗和该通带宽度。
去耦叠层体声谐振器器件中的宽度控制

[发明专利]薄膜声耦合变压器-CN200480030893.9有效
发明人： J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;R·C·拉比 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H03H9/58 文献下载
摘要：薄膜声耦合变压器FACT的一个实施例(100)具有去耦层叠体声谐振器DSBAR，该DSBAR具有下部薄膜体声谐振器FBAR(110)、层叠在该下部FBAR上的上部FBAR(120)和在FBAR之间包括声去耦材料层(131)的声去耦器(130)。每个FBAR 110具有对置的平面电极(112，114)和在它们之间的压电元件(116)。该FACT另外还具有电连接到一个FBAR的电极的第一端子(132，134)和电连接到另一个FBAR的电极的第二端子(136，138)。另一个实施例(200)具有去耦层叠体声谐振器DSBAR(106，108)，如上所述，每个DSBAR具有互连下部FBAR的第一电路和互连上部FBAR的第二电路。该FACT提供了阻抗变换，能够用平衡电路连接单端电路，反之亦然，并且在初级和次级之间提供电隔离。某些实施例以其它方式获得电平衡。
薄膜耦合变压器

[发明专利]具有增强的共模抑制的薄膜声耦合变压器-CN200480030889.2有效
发明人： J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;N·萨克西克 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H03H9/58 文献下载
摘要：薄膜声耦合变压器(FACT)(200)具有第一(106)和第二(108)去耦层叠体声谐振器(DSBAR)。每个DSBAR具有下部薄膜体声谐振器(FBAR)(110)、在下部FBAR顶部的上部FBAR(120)和在它们之间的声去耦器(130)。每个FBAR具有对置的平面电极(112，114)和在电极之间的压电元件(116)。第一电路(141)互连第一DSBAR和第二DSBAR的下部FBAR(110，150)。第二电路(142)互连第一DSBAR和第二DSBAR的上部FBAR(120，160)。在至少一个DSBAR中，声去耦器和与该声去耦器相邻的每个下部FBAR和上部FBAR的一个电极构成寄生电容(C_p)。该FACT另外还具有与该寄生电容并联电连接的电感器(180)。该电感器提高FACT的共模抑制比。
具有增强抑制薄膜耦合变压器

[发明专利]薄膜声耦合变压器中的阻抗变换比控制-CN200480030924.0有效
发明人： J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;N·萨克西克 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H03H9/58 文献下载
摘要：薄膜声耦合变压器FACT(400)具有去耦层叠体声谐振器DSBAR(106，408)、第一电路和第二电路。每个DSBAR具有下部薄膜体声谐振器FBAR(110)、上部FBAR(120)和声去耦器(130)。上部FBAR层叠在下部FBAR上，并且声去耦器位于FBAR之间。每个FBAR具有对置的平面电极(112，114)和在电极之间的压电元件(116)。第一电路互连下部FBAR(110，450)。第二电路互连上部FBAR(120，460)。一个DSBAR(408)的FBAR与另一个DSBAR(106)的FBAR的电阻抗不同。该FACT的阻抗变换比大于1∶m²，其中m是DSBAR的数目。实际阻抗变换比取决于FBAR的阻抗比。
薄膜耦合变压器中的阻抗变换控制

[发明专利]具有可控制通带宽的解耦层叠体声谐振器带通滤波器-CN200480029947.X有效
发明人： J·D·拉森三世;S·L·艾利斯 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H03H9/58 文献下载
摘要：一种带通滤波器(100)具有下薄膜体声谐振器FBAR(110)、层叠在下FBAR上的上FBAR(120)以及在FBAR之间的、包括一个声解耦材料层(131)的声解耦器(130)。每个FBAR具有相对的平面电极(112，114)和在电极之间的压电元件(116)。声解耦器控制FBAR之间的声能耦合。具体地，声解耦器在FBAR之间耦合比FBAR之间的直接接触耦合更少的声能。减少的声耦合赋予带通滤波器令人满意的带内和带外性能。
具有控制带宽层叠谐振器带通滤波器

[发明专利]稳固安装的层叠体声谐振器-CN200480029992.5有效
发明人： J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;Y·奥什迈安斯基;P·A·布拉利 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H03H9/00 文献下载
摘要：一种薄膜体声谐振器FBAR器件(100)包括基底(102)、该基底上方的声布拉格反射器(180)、在该声布拉格反射器上方的压电元件(116)和该压电元件上方的远侧电极(114)。声布拉格反射器包括与塑料布拉格层(184)邻接的金属布拉格层(182)。塑料布拉格层的塑料材料与金属布拉格层的金属的声阻抗之间的大比值提供了FBAR与基底之间的充分的声隔离，使FBAR器件的频率响应即便存在由于FBAR与基底之间不希望的声耦合而引起乱真的假象，也很少。
稳固安装层叠谐振器