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[发明专利]用于增强钉线的方法和装置-CN201580042912.8有效
发明人： J·L·哈里斯;F·E·谢尔顿四世;S·E·汤普森;D·D·贾米奥尔科维斯基;M·J·文德利 -专利权人：伊西康内外科有限责任公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： A61B17/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种辅助材料和使用辅助材料来增强邻近钉线的组织的方法。一般来讲，所述辅助材料可用于保持组织，诸如肺组织中的密封，并且防止缝合组织撕裂。所述辅助材料可联接到外科缝合器的钳口，并且可连同所述钉一起部署到组织中。在一些实施方案中，所述辅助材料可包括外部材料，所述外部材料包容内部、亲水性可膨胀的材料。所述外部材料能够可选择性地溶解和/或吸收。当所述外部材料由钉刺透或以其他方式刺透时，水分被传递到所述内部材料，所述内部材料然后膨胀并扩张以转变到预定形状从而密封所述组织并防止在所述组织中形成渗漏。围绕所述钉线的所述内部材料的部分可转变到大的半径。
用于增强方法装置

[发明专利]具有穿通抑制的先进晶体管-CN201510494596.X有效
发明人： L·希弗伦;P·拉纳德;P·E·格雷戈里;S·R·松库沙莱;W·张;S·E·汤普森 -专利权人：三重富士通半导体股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种具有穿通抑制的先进晶体管和管芯，所述管芯包括：衬底，衬底为单个半导体材料的单晶；多个场效应晶体管结构，由衬底支撑；其中至少一个晶体管结构具有在栅极下方且在所述源极与漏极之间延伸的多个不同的掺杂区域，注入多个掺杂区域来为所述晶体管结构中的至少一个限定p型或n型材料的掺杂剂分布，掺杂剂分布在距离栅极的第一深度处具有峰掺杂剂浓度并且在距离栅极的第二深度处具有第一中间掺杂剂浓度，第一中间掺杂剂浓度低于峰掺杂剂浓度；多个晶体管结构中的每个包括通常由无掺杂的均厚外延生长形成的沟道区域，沟道区域直接位于在单半导体材料的单晶中形成的阈值电压控制区域之上，阈值电压控制区域与第一中间掺杂剂浓度相关。
具有抑制先进晶体管

[发明专利]具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管-CN201180035832.1有效
发明人： L·希弗伦;P·拉纳德;L·斯卡德;S·E·汤普森 -专利权人：三重富士通半导体股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极和掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱。屏蔽区域定位在所述阱与所述栅极之间且具有大于5×1018个掺杂剂原子/cm3的第二掺杂剂浓度。阈值电压设定区域由设置定位在所述屏蔽区域上方的阈值电压偏移平面形成。所述阈值电压设定区域可以由德尔塔掺杂形成且具有介于Lg/5与Lg/1之间的厚度。所述结构使用最小的晕环注入或不使用晕环注入来将沟道掺杂剂浓度保持在小于5×1017个掺杂剂原子/cm3。
具有阈值电压设定掺杂结构先进晶体管

[发明专利]包含多个器件类型的集成电路管芯-CN201510458953.7在审
发明人： R·阿尔加瓦尼;L·希弗伦;P·拉纳德;S·E·汤普森;C·德维尔纳夫 -专利权人：三重富士通半导体股份有限公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请公开了一种包含多个器件类型的集成电路管芯，包括：多个掺杂阱，至少一些掺杂阱被二次掺杂以形成用于第一器件类型的屏蔽层，至少一些掺杂阱支持第二器件类型；阈值电压调节层，位于第一器件类型的屏蔽层上，被掺杂以提供阈值电压设置凹槽；第一沟道层，位于阈值电压调节层上；第二沟道层，位于第二器件类型的掺杂阱上；以及多个栅极堆叠体，位于第一沟道层和第二沟道层上，至少一些栅极堆叠体具有第一成分，而其他栅极堆叠体具有第二成分。采用本申请的技术方案，能够实现对在精确范围内的阈值电压设定的调整。
包含器件类型集成电路管芯

[发明专利]具有阈值电压设置凹槽的晶体管及其制造方法-CN201180040485.1有效
发明人： R·阿尔加瓦尼;L·希弗伦;P·拉纳德;S·E·汤普森;C·德维尔纳夫 -专利权人：苏沃塔公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：结构和制造其的方法涉及深耗尽沟道（DDC）设计，允许基于CMOS的器件具有比传统体CMOS减小的σVT，并可以允许精确得多地设置沟道区中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT。表示独特的凹槽的创新掺杂剂剖面实现了在精确范围内的VT设定的调整。通过适当选择金属可以扩展这个VT设置范围，以便在管芯上适应极宽范围的VT设置。DDC设计相比于传统体CMOS晶体管还可以具有强体效应，这可以允许DDC晶体管中有意义的功耗的动态控制。结果是能够独立控制VT（以低σVT）和VDD，以使得可以独立于给定器件的VT来调节体偏置。
具有阈值电压设置凹槽晶体管及其制造方法

[发明专利]具有穿通抑制的先进晶体管-CN201180035830.2有效
发明人： L·希弗伦;P·拉纳德;P·E·格雷戈里;S·R·松库沙莱;W·张;S·E·汤普森 -专利权人：苏沃塔公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。
具有抑制先进晶体管

[发明专利]具有减小的击发力的外科切割和密封器械-CN201180016403.X有效
发明人： J·V·亨特;R·J·莱尔德;O·J·瓦克哈利亚;R·W·蒂姆;G·M·莫森;S·E·汤普森 -专利权人：伊西康内外科公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： A61B17/295 文献下载
摘要：本发明提供了外科器械，其可以包括端部执行器，该端部执行器包括两个钳口和切割构件，该切割构件被构造为在所述钳口之间运动。在至少一个实施例中，钳口中的一个或两个可以是柔性的，使得钳口被构造为在夹持组织时挠曲。另外，钳口中的至少一个可以包括薄横截面积，使得钳口在夹持组织时挠曲。另外，在至少一个实施例中，一个或多个压缩元件可以从所述切割构件延伸并且可以被构造为当所述切割构件前进时使得所述钳口闭合。压缩元件可以包括辊和/或低摩擦材料。此外，在至少一个实施例中，所述钳口中的一个或两个可以预先弯曲而离开所述切割构件的纵向轴线。因此，在多种实施例中，可以减小使所述切割构件前进和/或闭合所述钳口所需的总体的力。
具有减小击发外科切割密封器械

[发明专利]使阈值电压上升的升压阱-CN97181967.X无效
发明人： S·E·汤普森;P·A·帕坎;T·哈尼;M·斯特特勒;S·S·阿梅德;M·T·波尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1997-12-08 - 公布日： 2000-03-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种改进的升压阱注入,它可比传统的辉光注入提供更好的特性,特别是对于短沟道装置(例如0.25微米或更小)。事实上,注入物可被分布在整个沟道内,但当器件的栅长度小于临界尺寸时,须使较高的浓度发生在沟道的中央,这时可采用很大的倾斜角(例如30°－50°)、较轻的搀入物品种和比传统的辉光注入大的能量来注入。
阈值电压上升升压

[发明专利]由掺杂的玻璃形成源/漏-CN96198466.X无效
发明人： S·E·汤普森;C·－H·詹;P·A·帕坎;T·哈尼;E·安迪德;F·K·莫哈达姆;M·T·波尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1996-10-03 - 公布日： 1999-09-08 - 主分类号： H01L21/385 文献下载
摘要：一种制造源和漏区的工艺，该源和漏区包括与栅相邻的较轻掺杂的源和漏接点区和与栅隔开的较重掺杂的源和漏区的主要部分。玻璃(2%BSG)的第一层(16)可作为接点区的掺杂源，玻璃(6%BSG)的第二层(35)为更重掺杂的源和漏区的主要部分的掺杂源。在玻璃层之间形成间隔层(31)以限定接点区与源和漏区主要部分。
掺杂玻璃形成

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