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[发明专利]用于制备可用于治疗逆转录病毒科病毒感染的治疗性化合物的方法和中间体-CN202310818078.3在审
发明人： K·M·艾伦;A·L·范德海;G·布里吉斯;S·达尔;I·J·多克斯塞;A·戈尔德贝格;L·V·休曼;黄子林;N·T·卡敦克;S·卡策拉尼;W·卢;V·X·恩格;B·M·奥克菲;T·J·雷尼;B·J·罗伯茨;石兵;D·P·斯坦休贝尔;W·C·特斯;A·M·瓦格纳;王翔宏;S·A·沃尔肯豪尔;C·Y·王;J·R·张 -专利权人：吉利德科学公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C07D213/61 文献下载
摘要：本公开涉及可用于制备式(I)化合物或其共晶、溶剂合物、盐或组合的方法和中间体：#imgabs0#
用于制备治疗逆转录病毒科病毒感染化合物方法中间体

[发明专利]用于制备可用于治疗逆转录病毒科病毒感染的治疗性化合物的方法和中间体-CN201980026177.X有效
发明人： K·M·艾伦;A·L·范德海;G·布里吉斯;S·达尔;I·J·多克斯塞;A·戈尔德贝格;L·V·休曼;黄子林;N·T·卡敦克;S·卡策拉尼;W·卢;V·X·恩格;B·M·奥克菲;T·J·雷尼;B·J·罗伯茨;石兵;D·P·斯坦休贝尔;W·C·特斯;A·M·瓦格纳;王翔宏;S·A·沃尔肯豪尔;C·Y·王;J·R·张 -专利权人：吉利德科学公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：本公开涉及可用于制备式(I)化合物或其共晶、溶剂合物、盐或组合的方法和中间体：
用于制备治疗逆转录病毒科病毒感染化合物方法中间体

[发明专利]用于估计存储卷之间的去重的技术-CN202180067671.8在审
发明人： S·达尔;U·沙比;R·加兹特 -专利权人：伊姆西IP控股有限责任公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：确定和使用去重估计可包括：确定各自包括一个或多个逻辑装置的两个逻辑装置组的两个去重样本索引(DSI)；确定所述两个DSI的Jaccard相似性，其中所述Jaccard相似性表示所述两个逻辑装置组之间的相似性和相互去重的量度；根据一个或多个标准来确定所述两个逻辑装置组应位于不同数据存储系统中还是执行数据去重的同一数据存储系统中，其中所述一个或多个标准使用所述Jaccard相似性来确定将所述两个逻辑装置组定位在所述同一数据存储系统中还是在所述不同数据存储系统中；以及响应于确定所述两个逻辑装置组应位于所述同一数据存储系统中，将所述两个逻辑装置组定位在所述同一数据存储系统中。
用于估计存储之间技术

[发明专利]用于工作负载平衡的技术-CN202180064169.1在审
发明人： S·达尔;G·S·纳图;V·施韦德 -专利权人：伊姆西IP控股有限责任公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：负载平衡可包括：接收服务于逻辑装置的接收到的I/O操作的存储服务器实体的I/O工作负载，其中每个逻辑装置具有所有者，所有者是处理定向到逻辑装置的I/O操作的存储服务器实体中的一者；确定与存储服务器实体的I/O工作负载相对应的归一化I/O工作负载；根据利用率标准、不平衡标准和归一化的I/O工作负载，确定是否重新平衡存储服务器实体的I/O工作负载；以及响应于确定重新平衡存储服务器实体的I/O工作负载，执行处理以减轻在两个存储服务器实体之间检测到的I/O工作负载不平衡。处理可包括：将逻辑装置从第一存储服务器实体移动到第二存储服务器实体；以及将逻辑装置的所有权从第一存储服务器实体转移到第二存储服务器实体。
用于工作负载平衡技术

[发明专利]具有可调粒径分布的电池材料的可升级沉淀合成方法-CN201780038592.8有效
发明人： R·金加斯;L·H·科林;O·B·克里斯滕森;A·斯塔尔;S·H·奥尔森;S·达尔 -专利权人：托普索公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：通过沉淀合成的方法制备了包含原子比为0≤Ni:Mn≤1/3的镍和锰的金属碳酸盐材料，其中种子颗粒在第一反应器中连续生成、附聚和生长，将特定量的产物悬浮液间歇或连续地转移到搅拌的第二反应器中，并将额外的连续原料进料以固定比例加入到该第二反应器中以生长颗粒。该步骤任选重复一次或多次，然后从最后反应器中间歇或连续地收集最终产物。
具有可调粒径分布电池材料升级沉淀合成方法

[发明专利]高性能膜电极组件的可放大卷到卷制造-CN202180027077.6在审
发明人： F·B·普林茨;T·吴;S·许;Z·王;S·洪;Y·金;S·达尔;D·U·李;T·F·贾拉米洛;T·施拉特;G·休布纳;J·米勒;G·韦德兰 -专利权人：里兰斯坦福初级大学理事会;大众汽车公司
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：制造方法包括：在第一气体扩散层(GDL)上沉积第一催化剂以形成第一催化剂涂覆的GDL；在第一催化剂涂覆的GDL上沉积第一离聚物以形成第一气体扩散电极(GDE)；在第二GDL上沉积第二催化剂以形成第二催化剂涂覆的GDL；在第二催化剂涂覆的GDL上沉积第二离聚物以形成第二GDE；并且将第一GDE与第二GDE以及与设置在第一GDE和第二GDE之间的电解质膜层压以形成膜电极组件(MEA)。MEA包含第一GDL；第二GDL；电解质膜，其设置在第一GDL和第二GDL之间；第一催化剂层，其设置在第一GDL和电解质膜之间；以及第二催化剂层，其设置在第二GDL和电解质膜之间，其中电解质膜的厚度为大约15μm或更小。
性能电极组件放大卷到卷制造

[实用新型]半导体器件-CN202221049603.7有效
发明人： S·蒙弗莱;S·达尔;A·弗勒雷 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS晶体管；与MOS晶体管相对应的射频开关，射频开关包括：半导体衬底中的掺杂半导体区；半导体衬底上的至少两个金属化层级，每个金属化层级包括：绝缘层的堆叠；延伸穿过绝缘层的堆叠的导电柱；绝缘层的堆叠内的、并且耦合到导电柱的金属轨道；和至少两个连接元件，每个连接元件连接掺杂半导体区之一，包括导电柱中之一和至少两个金属化层级的金属轨道之一；两个连接元件之间的沟槽，沟槽与半导体衬底上的MOS晶体管之一重叠，以及沟槽内的散热结构，散热结构与MOS晶体管中的第一MOS晶体管重叠，并且散热结构被配置为将热量散发到沟槽外。由此，提供了改进的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]包括具有降低的寄生电容的RF开关的电子电路-CN202210480226.0在审
发明人： S·蒙弗莱;S·达尔;A·弗勒雷 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及包括具有降低的寄生电容的RF开关的电子电路。本公开涉及一种电子电路，其包括半导体衬底、与MOS晶体管相对应的射频开关，该MOS晶体管包括衬底中的掺杂半导体区、覆盖衬底的至少两个金属化层级，每个金属化层级包括绝缘层的堆叠、顶部有金属轨道的导电柱，至少两个连接元件，每个连接元件连接掺杂半导体区中的一个掺杂半导体区，并且每个连接元件由导电柱和每个金属化层级的导电轨道形成。该电子电路还包括两个连接元件之间的沟槽以及用于沟槽散热的散热器件，该沟槽完全穿过一个金属化层级的绝缘层的堆叠，并且进一步部分穿过最靠近衬底的金属化层级的绝缘层的堆叠。
包括具有降低寄生电容 rf 开关电子电路

[发明专利]用于在旋转轴的联接器中检测实际滑动的系统和方法-CN202210244424.7在审
发明人： S·达尔;L·韦尔马;H·R·米斯特里;D·拉克瓦尔;R·米特拉 -专利权人：通用电气可再生能源西班牙有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： F03D17/00 文献下载
摘要：一种用于检测例如风力涡轮功率系统中的旋转轴的耦合中的实际滑动的方法包括针对故障经由控制器监测与联接器有关的多个传感器信号。响应于检测到与联接器相关的多个传感器信号中的故障，该方法包括经由控制器使用一个或多个分类参数来确定故障是指示联接器的实际滑动还是无滑动事件。当故障指示实际滑动时，该方法包括经由控制器使用多个传感器信号和实际滑动的持续时间来估计实际滑动的幅度。此外，该方法包括经由控制器基于联接器中的实际滑动的幅度来实施控制动作。
用于旋转轴联接器检测实际滑动系统方法

[发明专利]掺杂的锂正电极活性材料及其制造方法-CN201910376453.7有效
发明人： J·赫耶博格;J·W·霍;S·达尔;C·F·埃尔克耶尔 -专利权人：托普索公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂正电极活性材料，其包含至少95wt％的尖晶石，其化学组成为LixNiyMn2‑y‑z1‑z2D1z1D2z2O4，其中0.9≤x≤1.1，0.4≤y≤0.5，0.005≤z1≤0.2，0≤z2≤0.2，其中D1和D2是选自以下元素的掺杂剂：Co、Cu、Ti、Zn、Mg、Fe或其组合。D1和D2是不同的掺杂剂，且锂正电极活性材料是由材料颗粒组成的粉末，其中掺杂剂D1的分布沿着材料颗粒的径向轴是不均匀的，并且掺杂剂D2的分布沿着材料颗粒的径向轴是基本上均匀的。本发明还涉及用于制备本发明的锂正电极活性材料的方法和包含本发明的锂正电极活性材料的二次电池。
掺杂电极活性材料及其制造方法

[发明专利]CZTS、CZTSe或CZTSSe型的锌黄锡矿材料-CN201780039443.3有效
发明人： N·C·施约德特;S·达尔;J·纳洛夫 -专利权人：托普索公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产CZTS、CZTSe或CZTSSe型锌黄锡矿材料的方法，包括以下步骤：a)通过将铜盐和锌盐以期望摩尔比溶解在水中来制备酸性溶液，b)通过溶解碱金属锡酸盐和碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐或碱金属氢氧化物或其组合，以及任选的碱金属硒酸盐或碱金属亚硒酸盐或其混合物来制备碱性溶液，c)通过混合酸性和碱性溶液来进行沉淀反应，从而得到沉淀物，d)干燥沉淀物，从而提供锌黄锡矿材料的前体，和e)硫化步骤d的前体以提供锌黄锡矿材料。本发明还涉及一种用于CZTS、CZTSe或CZTSSe型锌黄锡矿材料的前体。
czts cztse cztsse 锡矿材料

[发明专利]锂正极活性材料-CN201980077162.6在审
发明人： J·赫耶博格;J·W·霍;C·F·埃尔克耶尔;L·F·伦德加德;S·达尔 -专利权人：托普索公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高压二次电池的锂正极活性材料，其中所述锂正极活性材料包含尖晶石，且所述尖晶石具有LixNiyMn2‑yO4的化学组成，其中：0.955≤x≤1.05；且0.43≤y≤0.47。所述锂正极活性材料由以Li:Ni:Mn：X:Y:2‑Y的比例含有Li、Ni和Mn的前体合成，其中：0.95≤X≤1.05；且0.42≤Y0.5。本发明还涉及制备锂正极活性材料的方法以及包含该锂正极活性材料的二次电池。
正极活性材料

[发明专利]锂正极活性材料-CN201980077384.8在审
发明人： J·赫耶博格;J·W·霍;C·F·埃尔克耶尔;S·达尔;L·F·伦德加德 -专利权人：托普索公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高压二次电池的锂正极活性材料，其中所述锂正极活性材料包含至少94wt％的尖晶石。尖晶石具有LixNiyMn2‑yO4的净化学组成，其中0.95≤x≤1.05；0.43≤y≤0.47，且其中锂正极活性材料具有至少138mAh/g的容量，其中通过选自电化学测定、X射线衍射和与能量色散X射线光谱法(EDS)组合的扫描透射电子显微术(STEM)的方法测定y。本发明还涉及用于制备本发明的用于高压二次电池的锂正极活性材料的方法，以及包含根据本发明的锂正极活性材料的二次电池。
正极活性材料

[发明专利]锂正极活性材料-CN201980077468.1在审
发明人： J·赫耶博格;J·W·霍;C·F·埃尔克耶尔;L·F·伦德加德;S·达尔 -专利权人：托普索公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高压二次电池的锂正极活性材料：该锂正极活性材料包含至少94wt％的尖晶石，其中尖晶石的净化学组成为LixNiyMn2‑yO4，其中：0.95≤x≤1.05；0.43≤y≤0.47。锂正极活性材料由颗粒组成，所述颗粒的特征在于以下参数范围中的一个或多个：颗粒的平均长宽比为1.6以下，颗粒的粗糙度为1.35以下，颗粒的圆形度为0.55以上。本发明还涉及用于制备锂正极活性材料的方法以及包含该锂正极活性材料的二次电池。
正极活性材料

[发明专利]钠离子电池材料-CN201780006976.1有效
发明人： S·达尔;K·翁斯伊尔德;M·松德加德 -专利权人：托普索公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种钠离子电池材料，其包含式NaaLibNicMndFeeTifOg，其中0.70a1.0，0.01b0.2，0.10c0.37，0.20d0.5，0.00e0.3，0.10f0.2，1.85g2.2。其中式(I)并且在Na负极半电池中在2.0至4.3V之间100次循环之后材料的容量降低20％或更少。本发明还涉及一种电化学循环钠离子电池材料的方法以及一种用于制备钠离子电池材料的方法。
钠离子电池材料

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