“S·帕萨萨拉希”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于机动车和通信系统收发器接口的设备-CN201910839609.0有效
发明人： J·赵;J·A·塞尔瑟多;S·帕萨萨拉希 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于机动车和通信系统收发器接口的设备。通信接口保护装置包括：电连接到第一端子的第一电气过应力(EOS)保护开关和电连接到第二端子的第二EOS保护开关。第一和第二EOS保护开关中的每一个包括第一半导体控制的整流器(SCR)和第二SCR以及阴极电连接到所述第一SCR的阳极的第一二极管和阴极电连接到所述第二SCR的阳极的第二二极管，所述第一EOS保护装置被配置为响应于在所述第一和第二端子之间引起第一偏置的EOS条件而激活，并且其中所述第二EOS保护装置被配置为响应于在所述第一和第二端子之间引起第二偏置的EOS条件而激活。
用于机动车通信系统收发接口设备

[发明专利]用于射频通信系统的静电放电保护电路-CN201811437717.7有效
发明人： S·帕萨萨拉希;J·A·塞尔瑟多;R·卡里略-拉姆利兹 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于射频通信系统的静电放电保护电路。提供了用于射频电路的静电放电(ESD)保护的装置和方法。在一些配置中，ESD保护电路包括串联地电连接在射频信号引脚与射频地引脚之间的两对以上场效应晶体管(FET)。两对以上FET中的每一对均包括用于提供应对负极性ESD事件的保护的负ESD保护FET以及用于提供应对正极性ESD事件的保护的正ESD保护FET。负ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接，并且所述正ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接。另外地，负ESD保护FET和正ESD保护FET的漏极彼此电连接。ESD保护电路展现出相对低的电容和平坦的电容对电源特性。
用于射频通信系统静电放电保护电路

[发明专利]通过控制信号放大控硅整流器动态触发和关断-CN201811256259.7有效
发明人：何林峰;J·A·塞尔瑟多;S·帕萨萨拉希 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H02M7/155 文献下载
摘要：本公开涉及通过控制信号放大控硅整流器动态触发和关断。提供通过控硅整流器(SCR)触发放大控制的电过应力保护。在某些配置中，过应力保护电路包括用于检测接口的第一垫盘和第二垫盘之间是否存在过应力事件的控制电路，以及电连接在第一垫盘和第二垫盘之间的放电电路。由控制电路选择性地激活。该接口对应于集成电路(IC)，片上系统(SoC)或系统级封装(SiP)的电子接口。放电电路包括第一较小的SCR和第二较大的SCR。响应于检测到过应力事件，控制电路激活较小的SCR，SCR又激活较大的SCR以在第一垫盘和第二垫盘之间提供夹紧。
通过控制信号放大硅整流器动态触发

[发明专利]静电放电和过驱动保护电路-CN202110675691.5在审
发明人： R·D·摩尔;F·M·莫敦;P·德洛斯;S·帕萨萨拉希;J·萨尔塞多;J·圭多 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本文涉及静电放电和过驱动保护电路。公开用于防止过驱动和静电放电的系统和电路。例如，保护电路可以包括场效应晶体管，以在一些电路的工作电压范围之外将过驱动放电来防止损坏电路。此外，保护电路可以利用场效应晶体管中固有的二极管特征来防止某些情况下的静电放电。该电路可以在射频采样模数转换器中实现，并且可以为模数转换器提供单端信号输入和/或输出。
静电放电驱动保护电路

[发明专利]化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法-CN201710097800.3有效
发明人： S·帕萨萨拉希;J·A·塞尔瑟多 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：公开了化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法。本文提供了用于化合物半导体保护钳位器的装置和方法。在某些配置中，化合物半导体保护钳位器包括电阻器‑电容器(RC)触发网络和金属‑半导体场效应晶体管(MESFET)钳位器。RC触发网络检测ESD/EOS事件何时存在于第一节点和第二节点之间，并且响应于检测到ESD/EOS事件而激活MESFET钳位器。当MESFET钳位器被激活时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供低阻抗路径，从而提供ESD/EOS保护。当被禁用时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供高阻抗，并且因此以低泄漏电流和小静态功率耗散操作。
化合物半导体电路应用中的瞬态应力保护装置方法

[发明专利]用于耐高电压高速接口的具有低漏电流的电过应力保护-CN202080008564.3在审
发明人： J·萨尔塞多;S·帕萨萨拉希;E·博世 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供具有低漏电流和低电容的耐高压电过应力保护。在一个实施方案中，半导体管芯包括：信号焊盘、电连接所述信号焊盘的内部电路、电连接隔离节点的电源钳位、和电连接在所述信号焊盘和所述隔离节点之间的一个或多个隔离阻断电压装置。所述一个或多个隔离阻断电压装置可操作以将所述信号焊盘与所述电源钳位的电容隔离。在另外的实施方案中，半导体管芯包括信号焊盘、接地焊盘、高电压/高速电连接所述信号焊盘的内部电路、和在信号焊盘和接地焊盘之间的第一晶闸管和第二晶闸管。
用于电压高速接口具有漏电应力保护

[发明专利]耐电气过应力的微波放大器-CN202010364079.1在审
发明人： S·帕萨萨拉希;J·A·萨尔塞多;M·昌卡 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：提供耐电气过应力的微波放大器。在某些实施方案中，单片微波集成电路(MMIC)包括：接收射频(RF)信号的信号板；接地垫；巴伦，包括接收所述RF信号的初级部分和输出差分RF信号的次级部分；放大所述差分RF信号的放大器；和多个去耦元件，其中一些电连接在初级部分和接地垫之间，其他的则在次级部分电连接到多个放大器的节点，并且可操作以保护放大器免受电气过应力的影响。此类电气过应力事件可以包括静电放电(ESD)事件，例如场感应的带电设备模型(FICDM)事件，以及其他类型的过应力情况。
电气应力微波放大器

[发明专利]用于有源控制的触发和锁存释放晶闸管的设备和方法-CN201710472186.4有效
发明人： J·赵;J·A·塞尔瑟多;S·帕萨萨拉希 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供用于有源控制的触发和锁存释放晶闸管的设备和方法。在某些构造中，有源控制的保护电路包括：过电压传感电路、在信号节点和放电节点之间电连接的晶闸管或硅控整流器(SCR)、以及有源触发和锁存释放电路。过电压传感电路基于信号节点的电压控制虚拟供电节点的电压，并且有源触发和锁存释放电路基于虚拟供电节点的电压检测信号节点处瞬态过应力事件的存在。有源触发和锁存释放电路提供一个或多个触发信号至SCR以控制SCR的激活电压，并且有源触发和锁存释放电路基于是否检测到瞬态过应力事件来激活或失活一个或多个触发信号。
用于有源控制触发释放晶闸管设备方法

[发明专利]用于MEMS开关器件的保护方案-CN201710843643.6有效
发明人： P·L·菲茨格罗德;S·帕萨萨拉希;J·A·萨塞多 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于MEMS开关器件的保护方案。微机电开关(MEMS)器件可使用集成电路制造技术和材料制造。这种开关器件可以提供适用于广泛应用的循环寿命和插入损耗性能，包括例如，自动化测试设备(ATE)、切换测量仪器(如频谱分析仪、网络分析仪或通讯测试系统)，并用于通信系统，如信号处理。MEMS器件可容易受到电气过压，例如与静电放电(ESD)瞬变事件相关联。固态箝位电路可以并入MEMS器件封装中，以保护一个或多个MEMS器件免受损坏的过压条件。箝位电路可包括具有互补电流‑电压关系的单个或多个阻断结结构，例如帮助钳位电路呈现的电容电压关系线性化。
用于 mems 开关器件保护方案

[发明专利]具有假条件关闭的主动控制瞬态过应力保护的装置和方法-CN201710123178.9有效
发明人： S·帕萨萨拉希;J·萨克多 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本文提供了具有假条件关闭的主动控制瞬态过应力保护的装置和方法。在某些配置中，高耐压主动控制保护电路包括瞬态过压检测电路，电连接在第一节点和第二节点之间的钳位电路，偏置所述钳位电路的偏置电路，以及假条件关闭电路。瞬态过应力检测电路产生指示在第一和第二节点之间是否检测到瞬态过应力事件的检测信号。此外，假条件关闭电路基于对第一和第二节点之间的电压差进行低通滤波来生成假条件关闭信号，由此独立地确定是否存在功率。偏置电路基于检测信号和假条件关闭信号，将所述钳位电路的操作控制在导通状态或截止状态。
有假条件关闭主动控制瞬态应力保护装置方法

[发明专利]用于射频通信系统的静电放电保护电路-CN201610319631.9有效
发明人： S·帕萨萨拉希;J·A·塞尔瑟多;R·卡里略-拉姆利兹 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于射频通信系统的静电放电保护电路。提供了用于射频电路的静电放电(ESD)保护的装置和方法。在一些配置中，ESD保护电路包括串联地电连接在射频信号引脚与射频地引脚之间的两对以上场效应晶体管(FET)。两对以上FET中的每一对均包括用于提供应对负极性ESD事件的保护的负ESD保护FET以及用于提供应对正极性ESD事件的保护的正ESD保护FET。负ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接，并且所述正ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接。另外地，负ESD保护FET和正ESD保护FET的漏极彼此电连接。ESD保护电路展现出相对低的电容和平坦的电容对电源特性。
用于射频通信系统静电放电保护电路

[发明专利]具有瞬态激活和激活释放控制的高电压钳位装置-CN201710587986.0有效
发明人： J·赵;J·A·塞尔瑟多;S·帕萨萨拉希 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供了具有瞬态激活和激活释放控制的高电压钳位装置。公开了一种集成电路，包括：电连接在第一节点和第二节点之间的钳位装置，其中钳位装置由钳位激活信号选择性地启动；被配置为基于第一节点的电压产生隔离电压的隔离电路；和有源钳位控制电路，包括：被配置为基于隔离电压来检测第一节点处的瞬态过应力事件的存在的触发电路，其中触发电路激活调节电压以响应检测到瞬态过应力事件的存在；和被配置为通过控制钳位激活信号来控制钳位装置的激活和释放的逻辑电路，其中逻辑电路被配置为从调节电压接收功率。
具有瞬态激活释放控制电压装置

[发明专利]有源接口电阻调制开关-CN201711271836.5有效
发明人： J·A·塞尔瑟多;S·帕萨萨拉希 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本公开涉及有源接口电阻调制开关。在某些构造中，半导体芯片的输入/输出(IO)接口包括：引脚；连接引脚的接口开关；和使用有源反馈控制接口开关的电阻的过应力检测和有源控制电路。过应力检测和有源控制电路响应于检测第一节点和第二节点之间的瞬时过应力事件而增加接口开关的电阻。因此，过应力检测和有源控制电路提供单独的检测和逻辑控制以选择性地修改接口开关的电阻，使得接口开关在正常操作条件下以低电阻操作，并且在过应力条件下以高电阻操作。
有源接口电阻调制开关

[发明专利]容错低泄漏开关-CN201910756330.6在审
发明人： S·帕萨萨拉希;罗思锐;T·P·卡尼;周元中;D·伯克;J-J·哈杰 -专利权人：亚德诺半导体无限责任公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本公开涉及容错低泄漏开关。本文提供容错开关。在某些实施方案中，容错开关包括开关、栅极驱动器和钳位器。开关包括串联电连接并受栅极驱动器控制的开关p型场效应晶体管(PFET)和开关n型场效应晶体管(NFET)。另外，钳位器与开关并联电连接，并包括前向保护电路，前向保护电路包括串联的第一二极管和第一钳位器FET；和反向保护电路，反向保护电路包括串联的第二二极管和第二钳位器FET。钳位器还包括：第一栅极偏置电路，被配置为偏置第一钳位器FET的栅极；以及第二栅极偏置电路，被配置为偏置第二钳位器FET的栅极。
容错泄漏开关

[发明专利]用于具有正反馈的瞬态过载保护的装置和方法-CN201510407886.6有效
发明人： S·帕萨萨拉希;J·A·塞尔瑟多;S·赫雷拉 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于具有正反馈的瞬态过载保护的装置和方法。用于提供瞬态过载保护，具有正反馈的装置和方法被公开。在某些配置中，保护电路包括瞬态检测电路、偏置电路、钳位电路和当钳位电路钳位时，生成正反馈电流的感测反馈电路。瞬态检测电路能够检测瞬态过载事件的存在，并且能够生成响应于瞬态过载事件检测的检测电流。检测电流和正反馈电流可以被组合以生成组合电流。并且偏置电路可以接通钳位电路以响应于组合电流。当瞬态过载事件出现并且钳位电路正钳位时，感测反馈电流能够生成正反馈电流以在事件的持续时间内保持钳位电路接通。
用于具有正反馈瞬态过载保护装置方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条