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[发明专利]制作透明传导氧化层和光伏器件的方法-CN201110460740.X有效
发明人： H·A·布莱德斯;G·T·达拉科斯;D·W·费尔努伊;A·R·诺尔思拉普;J·C·罗霍;P·J·梅施特;彭红樱;曹洪波;奚衍罡;R·D·戈斯曼;张安平 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。
制作透明传导氧化器件方法

[发明专利]基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积-CN201110460421.9无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;B·R·墨菲;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积。提供了用于碲化镉薄膜光伏装置10的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备和过程。该设备100包括一系列一体地连接的室，例如连接到装载真空泵108上的装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。传送器系统104可操作地设置在设备100内，并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底10输送进入且输送通过装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128一体地连接，使得输送通过设备100的衬底10保持在小于大约760托的系统压力处。
基于碲化镉模块制造中的薄膜一体化

[发明专利]制造硫化镉层的方法-CN201110461918.2有效
发明人： B·A·科列瓦尔;S·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供了一种用于制造硫化镉层的方法。该方法包括多个步骤，所述步骤包括提供衬底以及在衬底上设置含镉层，随后硫化含镉层。
制造硫化方法

[发明专利]溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法-CN201110356243.5有效
发明人： R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法。大体上提供在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)的方法。该硫化镉层(18)可以在溅射气氛中从靶(64)溅射在衬底(12)上，其中该靶(64)包括按重量约75％至约100％的镉，并且其中该溅射气氛包括含硫的源气体。该硫化镉层(18)可以在形成碲化镉薄膜光伏器件(10)的方法中使用。
溅射基于碲化镉薄膜器件使用硫化方法

[发明专利]混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用-CN201110356258.1无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明的名称为混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用，一般提供在衬底12上溅射硫化镉层18的方法。硫化镉层18能够从包括镉、硫和氧的混合靶64在衬底12上溅射。硫化镉层18能够在形成碲化镉薄膜光伏装置10的方法中使用。还一般提供包括硫化镉和氧化镉的混合靶64。
混合溅射及其碲化镉基薄膜装置中的使用

[发明专利]使用非结合式半导体靶来溅射的方法-CN201110309742.9有效
发明人： R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;P·L·奥基夫;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及使用非结合式半导体靶来溅射的方法。大体提供了一种溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括半导体靶(12)(例如硫化镉靶、镉锡氧化物靶等)，半导体靶(12)限定了溅射表面(14)和与溅射表面(14)相反的背表面(16)。背板(18)可定位成面向靶(12)的背表面(16)而不结合到靶(12)的背表面(16)上。非结合式附连机构能够可拆装地将靶(12)保持在溅射阴极(10)内，使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
使用结合半导体溅射方法

[发明专利]具有非接合半导体特性靶的溅射阴极-CN201110306609.8有效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克;P·L·奥基夫 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明名称为“具有非接合半导体特性靶的溅射阴极”。一般地提供了溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括定义溅射表面(14)和对着溅射表面(14)的背表面(16)的半导体特性靶(12)(例如，硫化镉靶、氧化镉锡靶等)。背板(18)可放置成面向靶(12)的背表面(16)并且不接合到靶(12)的背表面(16)。非接合附连机制可将靶(12)可拆卸地保持在溅射阴极(10)之内，以使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
具有接合半导体特性溅射阴极

[发明专利]薄膜光伏器件中作为背接触的各向异性传导层-CN201110257367.8有效
发明人： T·J·卢卡斯;R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明名称为“薄膜光伏器件中作为背接触的各向异性传导层”。一般地提供了薄膜光伏器件10。器件10能够包括在玻璃衬底12上的透明传导氧化层14、在透明传导层14上的n型薄膜层18、及在n型层18上的p型薄膜层20。n型薄膜层18和p型薄膜层20形成p-n结。各向异性传导层22施加在p型薄膜层20上，并且包括聚合粘合剂和多个传导颗粒23。金属接触层24随后能够放置在各向异性传导层22上。
薄膜器件作为接触各向异性传导

[发明专利]在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法-CN201110257395.X有效
发明人： T·J·卢卡斯;R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明名称为“在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法”。一般地提供了薄膜光伏器件10。器件10可包括玻璃衬底12上的透明传导氧化层14、透明传导层14上的n型薄膜层18、以及n型层18上的p型薄膜层20。n型薄膜层18和p型薄膜层20形成p-n结。各向异性传导层22施加在p型薄膜层20上，并包括聚合粘合剂和多个传导颗粒23。然后，可将金属接触层24放置在各向异性传导层22上。
薄膜器件形成作为接触各向异性传导方法

[发明专利]用于施加绝缘介电材料至光伏模块衬底的方法以及系统-CN201110218743.2无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼;T·J·卢卡斯 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于施加绝缘介电材料至光伏模块衬底的方法以及系统。提供了用于将介电材料(38)沉积至光伏(PV)模块(10)衬底(12)的一个或者多个半导体材料层(27)中的孔隙(26)内的方法以及相关的系统。将衬底的第一侧曝露于光源(32)，使得光透过衬底(12)以及在衬底的相反侧上的半导体材料层(27)中的任何孔隙(26)。探测透过孔隙(26)的光并且打印机(34)按所探测到的光的图案来配准以印制介电材料(38)并且填充孔隙(26)。
用于施加绝缘材料至光伏模块衬底方法以及系统

[发明专利]碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法-CN201110246912.3有效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-07-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供在基材12上形成导电氧化物层14的方法。该方法可包括在基材12上从靶材(例如，包括锡酸镉的靶材)溅射透明导电氧化物层(“TCO层”)14，溅射温度为约10℃至约100℃。然后该TCO层可在包含镉的退火温度下退火，退火温度为约500℃至约700℃。形成该TCO层14的方法可在制造基于碲化镉的薄膜光伏器件10的方法中使用，其还包括在该透明导电氧化物层14之上形成硫化镉层18和在该硫化镉层18之上形成碲化镉层20。
碲化镉基薄膜器件使用导电透明氧化物形成方法

[发明专利]基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法-CN201110159219.2有效
发明人： J·A·德雷顿;S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明为基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法。提供了碲化镉薄膜光伏器件10。器件10能包括衬底12，衬底12上的透明传导氧化层14；透明传导氧化层14上的电阻透明缓冲层16；电阻透明缓冲层16上的硫化镉层18；硫化镉层18上的碲化镉层20；以及，碲化镉层20上的背接触层22。硫化镉层18能包括大于0％到约20％的摩尔百分比中的氧。在一个具体实施例中，基本没有氧的第二硫化镉层19能位于硫化镉层18和碲化镉层20之间。本发明还提供了在衬底12上沉积硫化镉层18的方法和制造碲化镉薄膜光伏器件10的方法。
基于碲化镉薄膜器件使用硫化及其制造方法

[发明专利]用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法-CN201110112917.7有效
发明人： S·T·哈罗兰;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法。具体而言，该方法主要提供成用于将薄膜溅射到单独基底(12)上。单独基底(12)可传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力。然后，单独基底(12)可传送到溅射室(166)中，且穿过平面磁控管由电离气体以溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在单独基底的表面上。该靶材(170)经受高频功率，该高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有从大约400kHz至大约4MHz的频率。在一个特定实施例中，该方法可主要针对将薄膜溅射到单独基底(12)上，该单独基底限定具有大约1000cm2至大约2500cm2的表面面积的表面。
用于复合半导体高速溅射大面积基底方法

[发明专利]用于光伏模块衬底上薄膜层的高速共溅射的系统和方法-CN201110116278.1无效
发明人： J·A·德雷顿;R·D·戈斯曼 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于光伏模块衬底上薄膜层的高速共溅射的系统和方法，具体而言，总体上提供了用于在光伏(PV)模块衬底(12)上沉积薄膜层的系统和方法。该系统可包括构造成接纳衬底(12)的溅射室(166)，定位在该溅射室(166)内的至少两个靶标(201，202)，以及连接到各个靶标(201，202)上的独立的电源(168)。各靶标(201，202)可在该溅射室(166)内定位成面向所述衬底(12)，使得靶标(201，202)同时溅射以向等离子体场(174)供应源材料，用于在衬底(12)的表面上形成薄膜。该多个靶标(201，202)还可定位成使得从各靶标(201，202)的中心垂直延伸的相向的轴线(211，212)在衬底(12)的表面上的点(205)处会聚。
用于模块衬底薄膜高速溅射系统方法

[发明专利]用于基于碲化镉的薄膜光伏器件的硫化镉层及其制造方法-CN201110119633.0无效
发明人： R·D·戈斯曼;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：大体上提供用于在衬底12上形成硫化镉层18的方法。在一个特定实施例中，该方法可包括在包括无机氟源气体的溅射气氛中在衬底12上溅射硫化镉层18。方法还大体上被提供以用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件10。还大体上提供基于碲化镉的薄膜光伏器件10。该器件可以包括：衬底12；在该衬底12上的透明导电氧化物层14；在该透明导电氧化物层14上的硫化镉层18；以及在该硫化镉层18上的碲化镉层20。该硫化镉层18包含氟。
用于基于碲化镉薄膜器件硫化及其制造方法

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