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[发明专利]退火系统和退火方法-CN201811300275.1有效
发明人： J·德尔马斯;C·T·卡尔森;R·B·沃派特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。
退火系统方法

[发明专利]缓冲腔室晶片加热机构和支撑机械臂-CN201680022918.3有效
发明人： W·T·韦弗;J·M·沙勒;R·B·沃派特;D·伯拉尼克;B·B·莱尔顿;P·E·波尔甘德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机械臂、转盘和至少一个加热模块，用于与批量处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和送出缓冲腔室的机械臂配置，以及合并由所述缓冲腔室和机械臂的群集工具。
缓冲晶片加热机构支撑机械

[发明专利]高压蒸气退火处理设备-CN201880072145.9有效
发明人： J·M·舒浩勒;R·B·沃派特;C·T·卡尔森;J·C·伯拉尼克;T·J·富兰克林;D·伯拉尼克;A·韦伯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。
高压蒸气退火处理设备

[发明专利]具有退火迷你环境的处理腔室-CN201980069577.9在审
发明人： M·霍南;D·伯拉尼克;R·B·沃派特;J·伯拉尼克;C·卡尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。
具有退火迷你环境处理

[发明专利]批量加热和冷却腔室或负载锁定装置-CN201610039843.1有效
发明人： J·M·舒浩勒;R·B·沃派特;P·E·波尔甘德;B·B·莱尔顿;D·伯拉尼克;W·T·韦弗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了对多个晶片提供加热和冷却以减少在处理腔室中的晶片切换之间的时间的晶片和使用方法。晶片被支撑在能够使所有晶片一起移动的晶片升降装置上，或者被支撑在能够移动多个单独的晶片以进行加热和冷却的独立的升降杆上。
批量热和冷却负载锁定装置

[实用新型]用于对基板进行退火的系统-CN201821800006.7有效
发明人： J·德尔马斯;C·T·卡尔森;R·B·沃派特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。
锅炉退火批处理腔对基板输出端输入端连接多个基板系统提供输入端蒸汽水源配置

[实用新型]缓冲腔室和晶片传送机器人-CN201720103184.3有效
发明人： W·T·韦弗;J·M·沙勒;R·B·沃派特;D·伯拉尼克;B·B·莱尔顿;P·E·波尔甘德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型描述了缓冲腔室和晶片传送机器人。本公开描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机器人、转盘和至少一个加热模块，用于与批处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和抽离所述缓冲腔室的机器人配置，以及并有所述缓冲腔室和机器人的群集工具。
缓冲晶片传送机器人

[实用新型]晶片传送机器人、具有其的缓冲腔室，以及群集工具-CN201620335646.X有效
发明人： W·T·韦弗;J·M·沙勒;R·B·沃派特;D·伯拉尼克;B·B·莱尔顿;P·E·波尔甘德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开描述了一种晶片传送机器人、具有其的缓冲腔室，以及群集工具。所述缓冲腔室包括外壳，所述外壳具有盖子、基底和具有至少两个刻面的侧壁，所述刻面中的每一个包括大小被调节成允许晶片从其间穿过的狭缝阀；转盘，其包括具有至少两个晶片支持位置的晶片支撑件；至少一个加热模块，用以在晶片受所述晶片支撑件支持时加热所述晶片；在所述转盘下方的晶片传送机器人，所述晶片传送机器人用以在一个或多个区域与至少一个所述晶片支持位置之间移动晶片；以及电动机，所述电动机与所述转盘相连以指引所述转盘，以使得所述至少一个支持位置与所述刻面中的一个中的狭缝阀对准。所述缓冲腔室包括机器人、转盘和至少一个加热模块，用于与批处理腔室一起使用。所述群集工具具有缓冲腔室和机器人。
晶片传送机器人具有缓冲以及群集工具