专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]泵送机构-CN201580055779.X有效
  • P·沃伊特;O·M·坦苏格 - 德尔福国际业务卢森堡公司
  • 2015-08-24 - 2020-04-17 - F02M59/10
  • 一种用于高压燃料泵送机构的密封组件包括密封件和密封件保持器,其中所述密封件部分地围绕所述泵压头的延伸区段并且在所述泵压头下方朝向凸轮从动件部分地延伸,并且其中所述密封件被部分地设置在所述密封件保持器内,并且从所述密封件保持器、所述凸轮从动件部分地延伸;提供了用于将所述密封件保持器保持在所述泵压头上的装置,诸如焊缝。
  • 机构
  • [发明专利]储存电容器之埋入式带接触及其制造方法-CN200410049199.3无效
  • P·沃伊特;G·恩德斯 - 因芬尼昂技术股份公司
  • 2004-06-25 - 2005-02-09 - H01L21/8242
  • 在一存储单元的沟槽电容器及后续形成的该存储单元的选择晶体管间的一埋入式带接触以此种方式被制造,使得该内部电容器电极层在该沟槽电容器的沟槽内被回蚀及接着该未被覆盖绝缘体层在该沟槽壁被移除以定义该埋入式带接触面积的区域。之后,该内衬层被沉积以覆盖在该沟槽的该内部电容器电极层及该未被覆盖的沟槽壁及因而形成阻挡层。具该内部电极层的材料之间隔物层接着形成于在该沟槽壁的该内衬层。最后,该未被覆盖的内衬层在该内部电极层上方被移除且该沟槽以该内部电极层的材料填充以制造该埋入式带接触。
  • 储存电容器埋入接触及其制造方法
  • [发明专利]场效应晶体管-CN200410043415.3无效
  • G·恩德斯;B·菲斯彻;H·施内德;P·沃伊特 - 因芬尼昂技术股份公司
  • 2004-04-23 - 2004-10-27 - H01L29/772
  • 一场效应晶体管(400)包括一半导体衬底(402),一源区(414)形成于半导体衬底(402)中,一漏区(416)形成于半导体衬底(402)中,一沟道区(422a,422b)形成于半导体衬底(402)中,其中源区被连接到一源端电极(404)且漏区被连接到一漏端电极(406),其中沟道区包含一第一窄宽度沟道区(422a)以及一第二窄宽度沟道区(422b)平行于源端电极以及漏端电极而被连接,以及其中第一窄宽度沟道区(422a)及/或第二窄宽度沟道区(422b)具有横向边缘使窄宽度信道区中的一信道形成被横向边缘的一彼此影响的效应所影响的方式使窄宽度沟道区的宽度变窄;以及一栅极(408)配置于第一以及第二窄宽度沟道区之上。
  • 场效应晶体管

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