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[发明专利]打印头组件及打印的方法-CN201480083114.5有效
发明人： P·J·弗里克;A·L·范布罗克林 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：一种打印头组件(PHA)包括安装到具有专用集成电路(ASIC)的基板的微机电系统(MEMS)芯片。该芯片包括：限定于芯片中的开口、与和开口流体连通的开口相邻的多个喷嘴、和接收电控制信号的垫。该ASIC包括通信线路和将电信号传输至MEMS芯片的多条传输线。
打印头组件打印方法

[发明专利]宽阵列打印头模块-CN201480083113.0有效
发明人： P·J·弗里克;M·W·库姆比伊;S·A·林恩 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：一种宽阵列打印头模块包括多个打印头管芯，每个打印头管芯包括多个喷嘴。该喷嘴形成多个基元。喷嘴点火加热器耦合至每个喷嘴。专用集成电路(ASIC)控制多个激活脉冲，所述激活脉冲针对与基元相关联的每个喷嘴激活该喷嘴点火加热器。该激活脉冲经由内部延迟和外部延迟而在每个基元之间有所延迟从而降低打印头管芯的峰值功率需求。该ASIC确定每个打印头管芯内的内部延迟。
喷嘴打印头管芯延迟脉冲基元激活打印头模块点火加热器宽阵列峰值功率需求专用集成电路耦合关联外部

[发明专利]具有单个电源连接器的液体喷射装置-CN201380081240.2有效
发明人： A·L·戈泽尔;D·马克斯菲尔德;P·J·弗里克 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：一个示例包括一种液体喷射装置，包括用于向多个液滴喷射器供应液体的沿着液体喷射装置的打印头管芯的长度的液体馈送槽，用于对液体的液滴从多个液滴喷射器的喷射进行控制的邻近于液体馈送槽的至少一侧的控制电路，以及用于向控制电路供电的位于打印头管芯的端部处的单个电源连接器。
具有单个电源连接器液体喷射装置

[发明专利]立体存储器阵列-CN03826281.9无效
发明人： P·J·弗里克;A·L·范布洛克林;D·E·安德逊 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-04-03 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：在具有平面表面(12)的衬底(10)上制作立体存储器阵列。立体存储器阵列包括组织成与平面表面(12)平行的一个以上平面(12，14)的多个第一选择线(20)。多个第二选择线(18)在垂直于衬底(10)的平面表面(12)设置的柱中形成。多个存储单元(22)分别耦合到多个第一(20)以及多个第二(18)选择线。
立体存储器阵列

[发明专利]MEMS和光调制器阵列的控制-CN200410002541.4无效
发明人： E·T·马丁;A·皮尔;J·R·普日贝拉;A·L·戈泽尔;P·J·弗里克 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：具有列线(40)和行线(30)的MEMS器件阵列(10或15)、如光调制器阵列，响应于输入信号，通过提供大量分立电压(70)、从分立电压多路传输将被施加到阵列的每个MEMS器件(20)的一选定电压(21)、并使得选定的分立电压施加到阵列的每个MEMS器件，而得到控制。
mems 调制器阵列控制

[发明专利]掩埋磁隧道结存储器单元和方法-CN200310120126.4有效
发明人： P·J·弗里克;A·科尔;A·L·范布罗克林 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：在衬底(50)上制作的磁存储器单元(20)具有第一金属导体(40)、布置在第一金属导体上的第一磁层(80)、具有穿过其延伸至第一磁层(80)的通道开口(65)的平面层间电介质(ILD)35、在位于通道开口内的第一磁层上面的掩埋隧道结(75)、填充该通道开口并掩埋隧道结的第二磁层(60)，耦合至第二磁层的第二金属导体。公开了在存储器(10)和其它器件中使用的存储器单元的方法以及具体适用于制作存储器单元的方法。
掩埋隧道结存单元方法

[发明专利]非易失多层存储器装置-CN03120559.3无效
发明人： S·M·布兰登伯格;K·K·史密斯;K·J·埃尔德雷奇;A·L·范布洛克林;P·J·弗里克 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：只读存储装置(100)具有多层(102，104)，其中第一层(102)形成在半导体衬底(516)上面，而其他一层或多层(104)形成在第一层(102)上面。每一层具有多个非易失存储单元(118)，它们包括连接在导电迹线(112，114)之间的存储元件(116)。存储元件(116)在电位加到被选中的存储单元(118)时显示一定的电阻值。可以由电阻器(204)、与控制元件(308)串联的电阻器(306)或与二极管(408)串联的反熔丝器件(406)来构成存储元件(116)。可以在生产之后对具有包括反熔丝器件的存储元件(404)的存储装置(400)进行编程，其中，反熔丝器件(406)在生产存储装置的时候显示对应于逻辑1的高电阻值，而在反熔丝结(406)被贯穿形成电连接时显示对应于逻辑0的低电阻值。
非易失多层存储器装置

[发明专利]高密度存储器读出放大器-CN02143597.9有效
发明人： F·A·佩尔纳;A·L·范布洛克林;P·J·弗里克;J·R·小易通 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-10-11 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：提供一种读取电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RW中数据的读出放大器38，包括具有第一和第二输入节点74，75的差分放大器Q5，Q6。读出电路A1，Q1，Q2利用施加其上的读电压VR确定存储器单元RW中的电流，并将代表存储器单元RW电流的检测电流施加到差分放大器的第一输入节点74。参考电路A2，Q3，Q4具有第一和第二电阻元件RH，RL，用于将参考电流施加到差分放大器的第二输入节点75，提供与读出电流作比较的对照参考值，以确定存储器单元RW的状态。第一电阻元件RH具有代表存储器单元RW第一状态的电阻，第二电阻元件RL具有代表存储器单元RW第二状态的电阻。参考电路A2，Q3，Q4提供参考电流，它是通过第一和第二电阻元件RH，RL电流的平均。比较器电器76将差分放大器第一和第二输入节点74，75上的信号作比较以提供表明被读出存储器单元RW状态的输出V0。
高密度存储器读出放大器