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[发明专利]双极晶体管-CN202311090224.1在审
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201910940618.9有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[实用新型]双极型晶体管-CN202121984664.8有效
发明人： A·高蒂尔;E·布雷扎;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，其特征在于，包括：发射极、基极和集电极的堆叠；其中基极被构造为具有梳状物形状，梳状物形状包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中延伸的指状物；第一外围绝缘沟槽，围绕双极型晶体管；以及第二绝缘沟槽，界定集电极的至少表面。利用本公开的实施例能够有利地使集电极与基极之间的杂散电容最小化。
双极型晶体管

[发明专利]双极型晶体管-CN202110967967.7在审
发明人： A·高蒂尔;E·布雷扎;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，包括发射极、基极和集电极的堆叠。基极被构造为具有梳状物形状，包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中的指状物。
双极型晶体管

[实用新型]包括双极晶体管的结构-CN202120426510.0有效
发明人： E·布雷扎;A·高蒂尔;F·德普拉;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及包括双极晶体管的结构。一种包括双极晶体管的结构，双极晶体管包括集电极、基极和发射极，结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的堆叠，堆叠相继包括：第一电绝缘层；第二电绝缘层，在第一电绝缘层上并且与第一电绝缘层接触，其中第二电绝缘层由与第一电绝缘层的材料不同的材料制成；以及半导体层，堆叠包括延伸穿过堆叠以到达半导体衬底的窗口；其中集电极、基极的本征部分和发射极在窗口中在半导体衬底上相继堆叠；其中在集电极与基极的本征部分之间的结由第二电绝缘层包围；以及其中半导体层形成双极晶体管的基极的非本征部分。利用本公开的实施例，获得的双极晶体管更坚固，同时更容易在工业规模上制造。
包括双极晶体管结构

[发明专利]制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管-CN202110218774.1在审
发明人： E·布雷扎;A·高蒂尔;F·德普拉;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管。一种制造双极晶体管的方法，包括在衬底上形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的堆叠。在堆叠中形成开口以到达衬底。外延工艺在衬底上形成晶体管的集电极，并且在第三层中选择性地蚀刻环形开口。然后通过集电极上的外延形成基极的本征部分，本征部分通过环形开口与第三层分离。在集电极与基极的本征部分之间的结由第二层包围。在本征部分上形成发射极并且移除第三层。在第二层上选择性沉积半导体层并与本征部分直接接触形成基极的非本征部分。
制造双极晶体管方法通过这种方法获得

[发明专利]一种PNP型双极晶体管制造方法-CN202110551865.7在审
发明人： P·舍瓦利耶;G·阿弗尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：一种与制造NPN、NMOS、和PMOS晶体管并行地制造PNP晶体管的方法，该PNP双极晶体管制造方法包括以下连续步骤：在P型掺杂半导体衬底上沉积第一半导体层，该第一半导体层被划分为第一、第二和第三区域；向该衬底中深注入绝缘阱；在所述第二和第三区域与所述绝缘阱之间注入分别为第一N型、第二P型和第三P型掺杂阱；在该第三区域上沉积第一绝缘层以及在该第一绝缘层上方可选择性蚀刻的第二绝缘层，并且创建掩膜；在该掩膜中选择性外延第二P型掺杂半导体层。
一种 pnp 双极晶体管制造方法

[发明专利]一种PNP型双极晶体管制造方法-CN201710104749.4有效
发明人： P·舍瓦利耶;G·阿弗尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种与制造NPN、NMOS、和PMOS晶体管并行地制造PNP晶体管的方法，该PNP双极晶体管制造方法包括以下连续步骤：在P型掺杂半导体衬底上沉积第一半导体层，该第一半导体层被划分为第一、第二和第三区域；向该衬底中深注入绝缘阱；在所述第二和第三区域与所述绝缘阱之间注入分别为第一N型、第二P型和第三P型掺杂阱；在该第三区域上沉积第一绝缘层以及在该第一绝缘层上方可选择性蚀刻的第二绝缘层，并且创建掩膜；在该掩膜中选择性外延第二P型掺杂半导体层。
一种 pnp 双极晶体管制造方法

[发明专利]用于产生二极管的方法-CN202010584640.7在审
发明人： G·阿弗尼耶;A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于产生二极管的方法。提供了一种电路，包括至少一个双极晶体管和至少一个可变电容二极管。使用一种方法来制造电路，其中在共同共用的衬底上共同地产生双极晶体管和可变电容二极管。
用于产生二极管方法

[发明专利]用于产生二极管的方法-CN202010591265.9在审
发明人： P·舍瓦利耶;A·高蒂尔;G·阿弗尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。
用于产生二极管方法

[实用新型]双极晶体管-CN201921652626.5有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[实用新型]双极晶体管-CN201921652468.3有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成：集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分，穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201910939656.2在审
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成：集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分，穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。
双极晶体管

[发明专利]用于保护机动车辆的系统-CN201380057308.3有效
发明人： N·蒙特尔;P·舍瓦利耶;C·布佐;O·辛特斯 -专利权人：雷诺股份公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： B60R25/24 文献下载
摘要：一种用于保护机动车辆的系统。一种用于保护装备有发动机的机动车辆(3)的系统，包括：‑用于发出服务器授权命令(103)的一个远程服务器(7)；‑用于控制发动机运行的一个系统(1)；用于将控制发动机运行的该系统解锁的一个解锁器件(2)；以及‑装配在该车辆中、被配置成用于接收所述服务器授权命令(103)并与该解锁器件(2)进行通信的通信器件(6)。该远程服务器(7)被配置成仅在接收到包含用于识别使用者(8)的第一识别物(9)和用于识别车辆(3)的第二识别物(10)的一条消息(102)并且该第二识别物(10)所识别的车辆(3)是属于该第一识别物(9)所识别的使用者(8)的情况下发出该授权命令(103)。
用于保护机动车辆系统

[实用新型]PNP型双极晶体管-CN201720175742.7有效
发明人： P·舍瓦利耶;G·阿弗尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种PNP型双极晶体管，包括发射极(69)，所述发射极具有矩形横截面，相对于所述晶体管的基极(15)被抬起，并且具有受间隔物(73)保护的横向表面，所述晶体管进一步包括在所述基极(15)的由所述间隔物(73)界定的重掺杂N型部分(77)上形成的基极触头。
pnp 双极晶体管

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