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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于分析CVD膜中的缺陷的系统与方法-CN202180077770.4在审
发明人： M·B·潘迪特;M-P·蔡;W·李;M·蒋;P·杰哈;J·冷 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本技术的实施例可包括半导体处理方法，所述半导体处理方法包括在基板处理腔室中的基板上沉积半导体材料膜。可用扫描电子显微镜在基板的大于或约两个非邻接区域处对沉积膜的缺陷进行采样。被检测和表征的缺陷可包括尺寸为小于或约10纳米的缺陷。所述方法可进一步包括基于对基板的大于或约两个非邻接区域中的缺陷的采样来计算沉积膜中的缺陷总数。作为计算的结果，可调整至少一个沉积参数。对至少一个沉积参数的调整可减少半导体材料膜沉积中的缺陷总数。
用于分析 cvd 中的缺陷系统方法

[发明专利]可流动膜形成和处理-CN202180050627.6在审
发明人：江施施;P·杰哈;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：示例处理方法可包括：形成含硅前驱物的等离子体。方法可包括：利用含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可限定半导体基板内的特征。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。可从偏压功率源将偏压功率施加至基板支撑件。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物从半导体基板内的特征的侧壁蚀刻可流动膜。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物将限定于半导体基板内的特征内的保留的可流动膜致密化。
流动形成处理

[发明专利]建立数字音频标识符元素的权威数据库并标识媒体项目的方法、计算机可读介质和数据结构-CN200680013379.3有效
发明人： A·杰弗雷;M·J·波尔森;D·帕拉斯蒂纳;E·朗彻;J·W·特瑞尔;K·斯瑞尼瓦斯;M·穆尼萨米;E·T·格斯曼;P·杰哈 -专利权人：微软公司
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：用于从由客户机访问的数字媒体建立数字音频标识符元素的权威数据库的方法、计算机可读介质和数据结构。数字媒体包括诸如CD上音轨的一个或多个媒体项目。该方法、计算机可读介质和数据结构还利用数字音频标识符元素权威数据库来标识与由客户机访问的媒体项目关联的元数据。
建立数字音频标识符元素权威数据库标识媒体项目方法计算机可读介质数据结构

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