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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于传送数据的系统和包括其的视频显示器-CN201410321861.X有效
发明人： A.阿米尔克哈尼;N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H04L7/00 文献下载
摘要：用于将采样率时钟与数据一起转发的系统。在一个实施例中，发送器将采样率时钟与数据一起发送到一个或多个接收器。接收器利用接收到的采样时钟对接收到的数据采样。发送器中的延迟调整电路利用在接收器与发送器之间的反向通道中实现的延迟误差感测和校正来调整每个发送的数据流的延迟。
接收器发送器采样率延迟延迟调整电路视频显示器数据流采样时钟传送数据反向通道数据采样感测校正转发发送

[发明专利]对电源变化不灵敏的恒定跨导偏置电路及其显示器-CN201410349170.0有效
发明人： N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供了用于偏置场效应晶体管(FET)以提供基本不受电源电压变化影响的跨导(g_m)的偏置电路。在一个实施例中，该电路包括两条平行路径，每条路径包括诸如FET的两个放大元件，路径之一中的FET都是二极管连接的，而在另一条路径中的FET不是二极管连接的。电源电压的变化导致横越所有的四个FET的压降的相当的改变，而且漏致势垒降低(DIBL)导致相对于电源电压的改变，g_m的改变相对较小。
电源变化不灵敏恒定偏置电路及其显示器

[发明专利]对电力供应变动具有低敏感性的阻抗元件-CN201410275841.3有效
发明人： N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种耦合到第一电力供应源的阻抗电路包括：输出节点；耦合在输出节点与第一电力供应源之间的晶体管，其中晶体管包括栅电极；以及电压源，该电压源电气耦合到晶体管的栅电极并且被配置为向晶体管的栅电极施加栅电压，其中电压源包括：串联电气耦合在电路节点与第一电力供应源之间的多个阻抗元件，以及电气耦合在电路节点与第二电力供应源之间的电流源。
电力供应变动具有敏感性阻抗元件

[发明专利]斜率检测接收器-CN201410131449.1有效
发明人： N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：一种用于接收在通过产生码间干扰或者其他失真的信道传输后的数字数据的接收器。在一个实施例中，接收到的信号在被数字化以形成输出数字比特流之前被微分，以便减少信道中的码间干扰和其他失真的影响。微分信号被和两个阈值——第一阈值和第二阈值——进行比较，第一阈值大于第二阈值。当微分信号超过第一阈值时，输出比特为1，当微分信号小于第二阈值时，输出比特为0，并且，当微分信号在第一阈值和第二阈值之间时，输出比特和前一输出比特相同。
斜率检测接收器

[发明专利]用于生成共源共栅电流源偏置电压的系统和方法-CN201410741355.6在审
发明人： N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：提供了利用偏置电路来为共源共栅电流源生成偏置电压的电路和方法以及用于共源共栅电流源的偏置电路。一种电路包括：共源共栅电流源，其包括：电流镜晶体管；以及共源共栅晶体管；以及耦合到共源共栅电流源的偏置电路，该偏置电路包括：电流源；第一晶体管，该第一晶体管串联耦合到电流源以形成通过电流源和第一晶体管的第一电流路径；第二晶体管，该第二晶体管串联耦合到电流源；以及第三晶体管，该第三晶体管串联耦合到第二晶体管和电流源以形成通过电流源以及第二晶体管和第三晶体管的第二电流路径，其中第三晶体管具有按一倍数大于第二晶体管的沟道比率的沟道比率，该倍数是根据偏置电路的设计因素确定的。
用于生成共源共栅电流偏置电压系统方法

[发明专利]基极调制的电流源-CN201410329321.6无效
发明人： N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种基极调制的电流源，包括：输出端子，被配置为供应输出电流；第一晶体管，包括：耦合至所述输出端子的第一电极、第二电极、基极电极、以及被配置为接收偏压的栅极电极；以及放大器，包括：电耦合至第一晶体管的第一电极的输入端子、以及电耦合至第一晶体管的基极电极的输出端子。
基极调制电流

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