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[发明专利]用于对开关磁阻机中的电流进行无传感器仿形的方法-CN202180026870.4在审
发明人： J·贝利斯;N·纳格尔 -专利权人：转潮技术公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H02K1/24 文献下载
摘要：公开了一种用于对开关磁阻电机(SRM)中的电流波形进行无传感器仿形的方法和装置。该装置包括具有至少一个定子极和至少一个转子极的开关磁阻电机、由处理器控制的反相器、负载、转换器以及处理器处的软件控制模块。电流波形设置缩放可编程波形形状的可编程闭合角的目标幅度。电流斜率被持续监测，这允许轴速度多次更新并且跟踪速度的任何改变并且基于轴速度固定闭合角。该方法通过补偿非线性转矩产生来降低整体径向力幅度，从而降低声学噪声和转矩波动，因此提高了SRM的计算效率。
用于开关磁阻中的电流进行传感器方法

[发明专利]N-[2-(7-甲氧基-1-萘基)乙基]乙酰胺的药学上可接受的共晶和其制备方法-CN201280020790.9有效
发明人： G·J·米勒;L·里德万;J·里克特;O·达马;T·查沃卡;T·彼卡勒克;W·海泽;N·纳格尔 -专利权人：赞蒂瓦有限合伙公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： A61K31/165 文献下载
摘要：本发明涉及阿戈美拉汀(agomelatine)(I)的新颖固体形式，具体来说是新颖的其药学上可接受的共晶，以及其制备方法。获得了(I)的三种药学上可接受的共晶，其具有对于医药研发来说可接受的物理化学特性。
甲氧基萘基乙基乙酰药学可接受制备方法

[发明专利]硬掩模叠层和图案化方法-CN200710105307.8无效
发明人： D·曼格;H·博贝科尔;M·弗霍芬;N·纳格尔;T·塔特里;D·卡斯帕里;M·马克特;L·鲍奇;S·布拉维德;M·古茨奇;L·拉塔德;M·罗斯格;M·沃特 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种用于图案化将被图案化的层的硬掩模叠层，包括：设置在将被图案化的层上方的碳层、布置在碳层顶上的选自SiO₂和SiON的组的材料的第一层和布置在第一层上的硅层。一种要被图案化的层的图案化方法，包括：在要被图案化的层上提供上述硬掩模叠层，和根据在要被图案化的层中要形成的图案，图案化硅硬掩模层。
硬掩模叠层图案方法

[发明专利]半导体产品及其制作方法-CN200610126632.8有效
发明人： C·A·克莱恩特;J·韦勒;N·纳格尔;P·海巴赫 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种半导体产品，包含：具有衬底表面的衬底；彼此间以一定距离排列且沿第一方向延伸的多个字线；提供在字线之间的多个导电的接触结构，以及多个填充结构，每个填充结构将排列在两个相应字线之间的两个相应接触结构彼此分隔开，此两个相应接触结构以彼此相离一定距离沿第一方向排列，其中，每个接触结构具有提供在离衬底表面一定距离处的顶侧，并延伸到衬底表面，且其中，衬底表面处的接触结构沿第一方向的宽度大于接触结构的顶侧沿第一方向的宽度。由于接触结构在衬底表面处的宽度增大，即使在接触结构相对于有源区横向不对准的情况下，也得到了对有源区的改进了的电接触。
半导体产品及其制作方法

[发明专利]插塞结构之电容器组障-CN03809450.9无效
发明人： G·A·贝特;N·纳格尔;孟邦基 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种被改良的阻障层系被揭示，用于减少插塞结构之电容器中之插塞的氧化。该阻障层系被形成于氧化钛之非传导性黏着层上。该阻障层系包括第一及第二阻障层，其中该第二阻障层覆盖该第一阻障层之上表面及侧壁。在一实施例中，该第一阻障层包含铱而该第二阻障层包含x氧化铱(IrOx)。电容器系被形成于该阻障层上。
结构电容器

[发明专利]具改善阻障性质之阻障堆栈-CN03802254.0无效
发明人： N·纳格尔;K·伊梅;G·A·贝特尔;A·希里格;B·－K·穆恩;K·亚马卡瓦 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司;株式会社东芝
申请日： 2003-01-08 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种改良型之阻障堆栈，其能够抑制原子或分子(如：氧)的扩散现象。该阻障堆栈特别有助于插塞结构上之电容器，以避免插塞氧化而对该结构的可靠度所产生之不利冲击。该阻障堆栈包含了具有不匹配之晶粒边界的第一与第二阻障层；该等阻障层系选自如：铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、或其合金等。藉由提供该不匹配之晶粒边界，膜层间之界面将阻碍氧的扩散路径。而为了更进一步增强阻障性质，该第一阻障层系在氧使用下(如：快速热氧化处理)为惰性。该RTO在该第一阻障层之上表面形成一薄氧化层，该氧化层能够利于促使该第一与该第二阻障层之晶粒边界的不匹配。
改善阻障性质堆栈

[发明专利]用于例如集成电路的薄层的制造方法-CN200310101738.9无效
发明人： U·韦尔豪森;R·布鲁赫豪斯;N·纳格尔;S·格恩哈特 -专利权人：英飞凌技术股份有限公司
申请日： 2003-10-22 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：通过3个步骤方法形成用于比如铁电容器等结构的层，这些步骤包括：(i)在一部分或整个结构21上涂布润湿层23；(ii)在润湿层23上涂布第二种材料形成的第二层25；以及(iii)通过化学反应将第二种材料进行转化。在一个实施例中，此第二种材料是Al，而步骤(iii)包括将Al层25氧化，形成Al₂O₃层27。优选用即使在基片的高宽高比区也具有良好阶梯覆盖性的方法涂布此润湿层21，即使该方法的沉积速度可能比较低。优选由第二种材料在其上面具有高迁移率的材料形成润湿层21，这样使得铝层和随后的Al₂O₃层具有比较均匀的厚度。在步骤(iii)之前可以有一个提高第二种材料的侧向迁移率的步骤，比如通过热处理。
用于例如集成电路薄层制造方法