“M·L·奥尼尔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]钻头组件-CN202010597926.9有效
发明人： R·W·阿诺德;M·L·奥尼尔 -专利权人：久益环球地下采矿有限责任公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： E21C35/18 文献下载
摘要：一种用于采矿机的钻头组件，所述钻头组件包括：块体，所述块体限定第一端表面和与所述第一端表面相对的第二端表面，所述块体包括第一穿孔和流体通道，所述第一穿孔限定所述第一端表面中的第一开口和所述第二端表面中的第二开口，所述流体通道包括第一部分和第二部分，所述第二部分至少部分地围绕所述第一穿孔的周界延伸并且靠近所述第二开口；钻头套筒，所述钻头套筒包括柄部、法兰和第二穿孔，所述第二穿孔延伸穿过所述柄部和法兰，所述柄部被安置在所述块体的第一穿孔内，以使得所述法兰的表面接合所述块体的第一表面；密封件，所述密封件被安置在所述第一穿孔内，从而所述密封件限定所述流体通道的第二部分的内壁。
钻头组件

[发明专利]高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光-CN202080092710.5在审
发明人：史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：提供了高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。该CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅；以及用于提供高氧化物膜去除速率的化学添加剂。该化学添加剂是在同一分子上具有负电荷和正电荷的明胶分子。
氧化物去除速率沟槽隔离 sti 化学机械平面化 cmp 抛光

[发明专利]复合颗粒、其精制方法及用途-CN201710209582.8有效
发明人：周鸿君;J·E·Q·休斯;K·P·穆雷拉;R·M·玛查多;M·L·奥尼尔;D·C·坦姆伯利 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：具有较低平均粒度和较小粒度分布的复合颗粒通过精制处理获得。精制的复合颗粒(例如二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒)用于化学机械平面化(CMP)组合物中以为抛光氧化物膜提供更高的去除速率、极低晶片内的去除速率不均匀性(WWNU)、低凹陷和低缺陷。
复合颗粒精制方法用途

[发明专利]复合颗粒、其精制方法及用途-CN202210363964.7在审
发明人：周鸿君;J·E·Q·休斯;K·P·穆雷拉;R·M·玛查多;M·L·奥尼尔;D·C·坦姆伯利 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：具有较低平均粒度和较小粒度分布的复合颗粒通过精制处理获得。精制的复合颗粒(例如二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒)用于化学机械平面化(CMP)组合物中以为抛光氧化物膜提供更高的去除速率、极低晶片内的去除速率不均匀性(WWNU)、低凹陷和低缺陷。
复合颗粒精制方法用途

[发明专利]钨化学机械抛光组合物-CN201910528632.8有效
发明人：史晓波;路春;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C11D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了钨(W)化学机械抛光(CMP)组合物及其相关的方法和系统。所述组合物包含作为催化剂的铁‑配体配合物或金属‑配体配合物以诱导羟基自由基形成，从而提高W膜的氧化速率并提供高且可调节的W膜去除速率。该W化学机械抛光(CMP)组合物可以在宽pH范围内使用，因此提供高度可调节的W:氧化物或阻挡层选择性。所述组合物提供低凹陷和低侵蚀水平。
化学机械抛光组合

[发明专利]金属化学机械平面化（CMP）组合物及其方法-CN201810974382.6有效
发明人：史晓波;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供化学机械平面化(CMP)制剂，其为宽或高级节点铜或硅通孔(TSV)提供高的且可调的Cu去除速率和低的铜凹陷。所述CMP组合物提供Cu膜相对于其他阻挡层(例如Ta、TaN、Ti和TiN)和介电膜(例如TEOS、低k和超低k膜)的高选择性。所述CMP抛光制剂包含水；磨料；单一螯合剂，双重螯合剂或三重螯合剂；吗啉代家族化合物作为Cu凹陷减少剂。另外，有机季铵盐、腐蚀抑制剂、氧化剂、pH调节剂和杀生物剂可用于制剂中。
金属化学机械平面化 cmp 组合及其方法

[发明专利]用于沉积氧化硅膜的组合物和方法-CN202110368055.8在审
发明人： A·麦利卡尔珠南;H·钱德拉;萧满超;雷新建;K·S·卡思尔;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由具有下式的至少一种前体沉积：R1nSi(NR2R3)mH4‑m‑n，其中R1独立地选自直链C1‑C6烷基、支链C2‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C2‑C6烯基、C3‑C6炔基和C4‑C10芳基；其中R2和R3各自独立地选自氢、C1‑C6直链烷基、支链C2‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C2‑C6烯基、C3‑C6炔基和C4‑C10芳基，其中R2和R3连接以形成环状的环结构或者不连接；n＝1、2或3；且m＝1或2。
用于沉积氧化组合方法

[发明专利]用于钻头组件的维修工具-CN201910764233.1有效
发明人： M·L·奥尼尔;R·W·阿诺德 -专利权人：久益环球地下采矿有限责任公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： E21C25/06 文献下载
摘要：一种用于相对于钻头夹持块的孔移动钻头套筒的工具，所述钻头套筒包括柄和用于接纳钻头的孔。所述工具包括：致动器组件，所述致动器组件包括液压缸和柱塞，所述液压缸包括第一端和第二端，所述柱塞可相对于所述液压缸移动；杆，所述杆包括第一端和第二端，所述杆限定在所述第一端与第二端之间延伸的杆轴，所述杆连接至所述柱塞；第一螺母，所述第一螺母被选择性地连接到所述杆的第一端与所述杆的第二端中的一个，所述第一螺母限定第一尺寸；以及第二螺母，所述第二螺母被选择性地连接到所述杆的第一端与所述杆的第二端中的另一个，所述第二螺母限定第二尺寸。
用于钻头组件维修工具

[发明专利]用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物和方法-CN201610536821.6有效
发明人：萧满超;雷新建;R·M·佩尔斯泰恩;H·钱德拉;E·J·小卡瓦基;韩冰;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本文描述用于沉积碳‑掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3‑x的有机氨基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3‑x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳‑掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。
用于沉积掺杂含硅膜组合方法

[发明专利]含钴衬底的化学机械抛光(CMP)-CN201710459103.8有效
发明人：史晓波;J·罗斯;T·J·克洛尔;J·A·施吕特;M·格雷夫;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了用于抛光钴或含钴衬底的化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统。所述CMP组合物包含α‑丙氨酸、磨料颗粒、磷酸盐或酯、腐蚀抑制剂、氧化剂和水。该钴化学机械抛光组合物提供高的Co去除速率以及Co薄膜相对于介电薄膜例如TEOS、SixNy(其中1.0x3.0，1.33y4.0)、低k和超低k薄膜的非常高的选择性。
衬底化学机械抛光 cmp

[发明专利]使用二氧化铈涂布的二氧化硅磨料的屏障化学机械平面化浆料-CN201610394296.9有效
发明人：史晓波;J·A·施吕特;M·L·奥尼尔;D·C·坦姆伯利 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：包含复合颗粒如二氧化铈涂布的二氧化硅颗粒的化学机械平面化(CMP)抛光组合物提供了在不同膜之间可调整的抛光去除选择性值。组合物能够实现对互联金属和二氧化硅介电质的高去除速率而同时提供对低K介电质、a‑Si和钨膜的抛光停止。化学机械平面化(CMP)抛光组合物已经使用软抛光垫显示了优异性能。
使用氧化铈涂布二氧化硅磨料屏障化学机械平面化浆料

[发明专利]有机氨基硅烷前体和包含该前体的沉积膜的方法-CN201410486674.7有效
发明人： M·L·奥尼尔;萧满超;雷新建;R·霍;H·钱德拉;M·R·麦克唐纳德;王美良 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本文描述了形成含硅膜的前体和方法。一方面，所述前体包含由下式A‑E之一表示的化合物：在一个特定的实施方式中，所述有机氨基硅烷前体对低温(例如，350℃或更低)下的氧化硅或碳掺杂的氧化硅膜的原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)有效。此外，本文描述了包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中所述有机氨基硅烷基本上不含选自胺、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。
有机氨基硅烷包含沉积方法

[发明专利]钻头组件-CN201580077290.2有效
发明人： R·W·阿诺德;M·L·奥尼尔 -专利权人：久益环球地下采矿有限责任公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： E21C35/18 文献下载
摘要：一种钻头组件包括块体、钻头套筒和密封件。所述块体包括第一穿孔和流体通道。所述流体通道包括第一部分和与所述第一部分流体连通的第二部分。所述第一部分相对于所述第一穿孔倾斜定向，所述第二部分至少部分地围绕所述第一穿孔的周长延伸。所述钻头套筒包括柄部、法兰和第二穿孔，所述第二穿孔延伸穿过所述柄部和法兰。所述柄部被安置在所述块体的第一穿孔内，以使得所述法兰的表面接合所述块体的第一端表面。所述密封件被安置在所述流体通道的第二部分和所述柄部之间，以防止所述流体通道中的流体与所述柄部的外表面接触。
钻头组件

[发明专利]用于钻头组件的维修工具-CN201580059069.4有效
发明人： M·L·奥尼尔;R·W·阿诺德 -专利权人：久益环球地下采矿有限责任公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： E21C25/06 文献下载
摘要：一种工具，包括致动器组件、杆、第一螺母和第二螺母。致动器组件包括液压缸、柱塞，以及延伸穿过液压缸和柱塞的孔。液压缸包括支撑柱塞的内腔、第一端、第二端和设置成靠近第一端的反应表面。柱塞可相对于液压缸移动并且被设置成靠近液压缸的第二端。杆延伸穿过致动器组件的孔。第一螺母被选择性地连接到杆的第一端与杆的第二端中的一个，并且限定比钻头夹持块的孔宽度大的第一尺寸。第二螺母被选择性地连接到杆的第一端与杆的第二端中的另一个，并且限定比孔宽度小的第二尺寸。
用于钻头组件维修工具

[发明专利]使用含氧前体的介电阻挡层沉积-CN201410712726.8有效
发明人： L·M·马茨;R·N·弗蒂斯;M·L·奥尼尔;D·西纳托雷 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。
使用含氧前体阻挡沉积

1
2
3
下一页»
尾页
共 39 条