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[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201510512428.9有效
发明人： D·T·埃默森;K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;D·斯拉特;M·多诺夫里奥;J·埃蒙德 -专利权人：克利公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层、以及n型半导体层和p型半导体层之间的有源区域；不透明部件，位于与有源区域相对的n型半导体层上；以及图案化的欧姆接触，位于与有源区域相对的p型半导体层上，其中，图案化的欧姆接触与不透明部件对齐。
发光器件及其制造方法

[发明专利]包括直接附着引线框架的LED管芯的发光二极管(LED)部件-CN201580070562.6有效
发明人： M·J·伯格曼;C·K·布拉克利;A·F-Y·普恩;J·C·雷赫泽尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管(LED)部件包括引线框架和LED，LED使用焊料层电连接到引线框架而无线接合。引线框架包括金属阳极垫、金属阴极垫和塑料杯。LED管芯包括在其上具有焊料层的LED管芯阳极和阴极触件。金属阳极垫、金属阴极垫、塑料杯和/或焊料层被构造为便于将LED管芯直接管芯附着到引线框架而不线接合。还描述了相关的制造方法。
包括直接附着引线框架 led 管芯发光二极管部件

[发明专利]具有耐化学性的用于发光器件外部的透明涂层和相关的方法-CN201910121719.3在审
发明人： A·J·弗朗西斯;M·J·伯格曼 -专利权人：克里公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：公开了具有优异耐化学性的发光器件和部件以及相关方法。在一个实施方案中，LED器件或封装具有设置在LED器件或封装的至少一部分上方的密封剂材料或透镜以及至少部分地设置在密封剂或透镜上方的含聚(甲基)丙烯酸酯‑硅的屏障涂层，提供对可腐蚀金属的腐蚀防护和/或对湿敏部件的潮湿防护。
透镜发光器件耐化学性封装密封剂材料丙烯酸酯腐蚀防护屏障涂层透明涂层密封剂潮湿防护腐蚀金属外部

[发明专利]发光二极管(LED)的晶圆级封装-CN201380024612.8无效
发明人： M·J·伯格曼;D·T·爱默生;J·G·克拉克;C·P·赫塞尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：LED晶圆包括在LED衬底上的LED管芯。LED晶圆和载体晶圆是接合的。接合到载体晶圆的LED晶圆被成形。将波长转换材料施加到被成形的LED晶圆。执行切单以提供接合到载体管芯的LED管芯。可以将切单的器件安装在LED灯具中以提供高的每单位面积的光输出。
发光二极管 led 晶圆级封装

[发明专利]在单个载体管芯上的多个发光二极管(LED)的晶圆级封装-CN201380024621.7无效
发明人： M·J·伯格曼;K·哈伯恩;A·W·迪隆恩 -专利权人：克里公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：LED晶圆包括在LED衬底上的LED管芯。LED晶圆和载体晶圆是接合的。接合到载体晶圆的LED晶圆被成形。将波长转换材料施加到被成形的LED晶圆。执行切单以提供接合到单个载体管芯的多个LED管芯。通过在LED管芯中和/或在单个载体管芯中的互连将在单个载体管芯上的多个LED管芯串联地和/或并联地连接。可以将切单的器件安装在LED设备中以提供高的每单位面积光输出。描述了相关的器件和制造方法。
单个载体管芯发光二极管 led 晶圆级封装

[发明专利]具有低结温度的发光二极管-CN201280009704.4无效
发明人： M·J·伯格曼;C·D·威廉斯;K·S·施耐德;K·哈伯恩;M·多诺弗里欧 -专利权人：克里公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片包括：支撑层，所述支撑层具有第一正面以及与第一正面相对的第二正面；在支撑层的第一正面上的二极管区；以及焊料垫，在支撑层的第二正面上。焊料垫包括金-锡结构，该金-锡结构具有50％或更大的锡重量百分比。发光二极管芯片可以包括多个活性区，这些活性区在发光二极管芯片上以电气串联方式相连接。
具有温度发光二极管

[发明专利]发光二极管(LED)晶圆的前端划线以及结果器件-CN201080035958.4有效
发明人： M·多诺弗里奥;W·T·帕克;M·J·伯格曼;S·S·吉尔摩尔;J·T·诺尔曼;K·S·施奈德 -专利权人：克里公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管(LEDs)的晶圆被激光划线以产生激光划线切口。随后，所述晶圆例如通过湿蚀刻而被清洗以减少划线损害。随后，在已被清洗的所述晶圆上形成用于所述LEDs的电触点层。可替代地，在触点形成之前可以由多个蚀刻产生所述划线切口。相关的LEDs也被描述。
发光二极管 led 前端划线以及结果器件

[发明专利]包括集成的背面反射器和芯片附接的发光二极管-CN201080046495.1有效
发明人： M·J·伯格曼;K·W·哈贝雷恩;B·E·威廉斯;W·T·帕克;A·F-Y·潘;D·苏;M·多诺弗里奥 -专利权人：克里公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：具有第一(120A)和第二(120B)相对的面的碳化硅衬底(120)，所述第一面上的二极管区域(110)，与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极(112)和阴极(114)触点以及与所述二极管区域相对的在所述碳化硅衬底上的混合反射器(132，134)。所述混合反射器包括透明层(132)和反射层(232)，所述透明层(132)具有低于所述碳化硅衬底的折射率的折射率，所述反射层(232)在所述透明层上，与所述衬底相对。可以在所述混合反射器上提供芯片附接层，与所述碳化硅衬底相对。可以在所述混合反射器和所述芯片附接层之间提供阻挡层(432)。
包括集成背面反射芯片发光二极管

[发明专利]发射调谐方法和利用方法制造的器件-CN200980121201.4有效
发明人： A·奇特尼斯;J·埃德蒙;J·C·布里特;B·P·克勒;D·T·埃默森;M·J·伯格曼;J·S·凯巴卢 -专利权人：克里公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，包括典型地在晶圆上提供多个发光二极管，并用转换材料涂敷所述发光二极管，以使至少一些来自所述发光二极管的光穿过所述转换材料并被转换。来自发光二极管芯片的光发射包括来自转换材料的光，典型性地与发光二极管的光相组合。至少一些发光二极管芯片的发射特性被测量，并且发光二极管上的至少一些转换材料被移除，以改变发光二极管芯片的发射特性。本发明特别地可应用于在晶圆上制造发光二极管芯片，其中发光二极管芯片具有在目标发射特性的范围内的光发射特性。该目标范围可落入CIE曲线上的发射区域内，以减少对来自晶圆的发光二极管的装仓的需求。通过对发光二极管上的转换材料微加工，晶圆中的发光二极管芯片的发射特性可被调谐至期望的范围。
发射调谐方法利用制造器件

[发明专利]具有反射接合焊盘的发光器件及其制造方法-CN201010298269.4无效
发明人： K·W·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;V·米茨科夫斯基;D·T·埃默森 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有反射接合焊盘的发光器件及其制造方法。发光器件包括半导体材料的有源区(14)和在有源区上的第一接触(18)。配置第一接触(18)以便由有源区(14)发射的光子通过第一接触。吸收光子的线接合焊盘(22)提供在第一接触上。线接合焊盘(22)具有小于第一接触的面积的面积。反射结构(30)设置在第一接触(18)和线接合焊盘(22)之间以便反射结构(30)具有与线接合焊盘基本上相同的面积。相对于有源区从第一接触提供第二接触(20)。反射结构(30)可仅设置在第一接触和线接合焊盘之间。还提供了制造这种器件的方法。
具有反射接合发光器件及其制造方法

[发明专利]在SiC衬底上形成的GaN基LED-CN201010156574.X在审
发明人： D·T·埃默森;A·C·阿贝尔;M·J·伯格曼 -专利权人：克里公司
申请日： 2002-06-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。
sic 衬底形成 gan led

[发明专利]具有电流阻挡结构的发光器件及制造具有电流阻挡结构的发光器件的方法-CN200910224555.3无效
发明人： K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;V·米茨科夫斯基;D·T·埃默森;J·埃德蒙 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供了一种具有位于导线接合焊盘下的电流阻挡结构的发光器件及制造该发光器件的方法。所述电流阻挡结构可以是位于所述器件有源区域内的减小的导电区域。所述电流阻挡结构可以是其上形成了接触的层的损坏区域。所述电流阻挡结构可以是位于器件的有源区域和欧姆接触之间的肖特基接触。也可在所述欧姆接触和有源区域之间提供半导体结，诸如PN结。
具有电流阻挡结构发光器件制造方法

[发明专利]具有电流减小结构的发光器件和形成具有电流减小结构的发光器件的方法-CN200880015255.8无效
发明人： D·T·埃默森;K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;D·斯拉特;M·多诺夫里奥;J·埃蒙德 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开了一种发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层以及所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的有源区域。诸如引线焊盘之类的不透明部件位于所述p型半导体层上或与所述p型半导体层相对的n型半导体层上，以及导电性减小区域位于所述p型半导体层或n型半导体层中，并且与所述不透明部件对齐。所述导电性减小区域从与所述n型半导体层相对的所述p型半导体层的表面向有源区域延伸和/或从与所述p型半导体层相对的n型半导体层表面向有源区域延伸。
具有电流减小结构发光器件形成方法

[发明专利]一种晶片级荧光体涂层方法和利用该方法制造的器件-CN200780050127.2无效
发明人： A·季尼斯;J·艾贝森;B·科勒;D·T·埃默森;J·艾德蒙;M·J·伯格曼;J·S·卡巴鲁;J·C·布里特;A·查克拉博蒂;E·J·塔沙;J·斯如托;付艳坤 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造发光二极管(LED)芯片的方法，包括通常在衬底上提供多个LED。基座沉积在发光二极管上，每个基座电接触一个发光二极管。在发光二极管上形成涂层，使该涂层掩埋至少一些基座。然后使涂层平面化以露出至少一些掩埋的基座，同时在发光二极管上留下至少一些所述涂层。然后露出的基座可以被例如通过引线键合而接触。本发明公开了用于制造其中LED被倒装芯片键合在载体衬底上的发光二极管LED芯片的类似方法，以及制造其它半导体器件的方法。本发明还公开了使用所公开的方法制造的LED芯片晶片及LED芯片。
一种晶片荧光涂层方法利用制造器件

[发明专利]具有反射接合焊盘的发光器件及制造具有反射接合焊盘的发光器件的方法-CN200580025319.9有效
发明人： K·W·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;V·米茨科夫斯基;D·T·埃默森 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光器件包括半导体材料的有源区(14)和在有源区上的第一接触(18)。配置第一接触(18)以便由有源区(14)发射的光子通过第一接触。吸收光子的线接合焊盘(22)提供在第一接触上。线接合焊盘(22)具有小于第一接触的面积的面积。反射结构(30)设置在第一接触(18)和线接合焊盘(22)之间以便反射结构(30)具有与线接合焊盘基本上相同的面积。相对于有源区从第一接触提供第二接触(20)。反射结构(30)可仅设置在第一接触和线接合焊盘之间。还提供了制造这种器件的方法。
具有反射接合发光器件制造方法

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