专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]背栅场效应晶体管及其制造方法-CN201980011271.8在审
  • M·休梅克;T·西马尼;S·富勒;Y·斯泰因;D·墨菲 - 麻省理工学院
  • 2019-01-29 - 2020-09-15 - H01L21/02
  • 一种背栅碳纳米管场效应晶体管(CNFET)提供:(1)减小的寄生电容,这减小能量延迟乘积(EDP),因此改进数字系统(例如,极大规模集成电路)的能效,以及(2)将晶体管缩放到较小技术节点(例如,亚3nm节点)。示例性背栅CNFET包含沟道。源极和漏极安置于所述沟道的第一侧上。栅极安置于所述沟道的与所述第一侧相对的第二侧上。以此方式,所述背栅CNFET的接触栅极节距(CGP)可缩小,而不缩放物理栅极长度(LG)或接触件长度(LC)。在此架构中,所述栅极还可与所述源极和/或所述漏极重叠。在一个实例中,演示示例性CNFET具有小于30nm的CGP和相比于顶栅CNFET对于EDP的1.6x改进。
  • 场效应晶体管及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top