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[发明专利]碳化硅超结功率半导体器件及用于制造该器件的方法-CN201880015669.4有效
发明人： F.鲍尔;L.克诺尔;M.贝利尼;R.米纳米萨瓦;U.韦姆拉帕蒂 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：功率半导体器件包括具有第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）的半导体晶片（101）。半导体晶片（101）包含具有第一传导性类型的第一半导体层（2）和多个柱状或板状的第一半导体区域（5），所述多个柱状或板状的第一半导体区域在与第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）垂直的垂直方向上在第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）之间的第一半导体层（2）中延伸。第一半导体区域（5）具有不同于第一传导性类型的第二传导性类型。其中，第一半导体层（2）是六方碳化硅的层。第一半导体区域（5）是3C多型碳化硅的区域。
碳化硅功率半导体器件用于制造器件方法

[发明专利]具有增强的浪涌电流能力的结势垒肖特基二极管-CN201680051009.2有效
发明人： A.米海拉;M.拉希莫;R.米纳米萨瓦;L.克诺尔;L.斯托拉斯塔 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：描述了一种具有增加的浪涌电流能力的半导体功率整流器，其具有半导体层，所述半导体层具有第一主侧和与第一主侧相反的第二主侧。半导体层包含具有第一导电类型的漂移层、具有不同于第一导电类型的第二导电类型的至少一个先导区、具有第二导电类型的多个条形发射极区，以及具有第二导电类型的过渡区，其中所述至少一个先导区在平行于第一主侧的任何横向方向上具有至少200μm的宽度并邻近于第一主侧形成以与漂移层一起形成第一p‑n结，每个发射极区邻近于第一主侧形成以与漂移层一起形成第二p‑n结，以及过渡区邻近于第一主侧形成以与漂移层一起形成第三p‑n结。至少一个先导区通过多个条形发射极区连接到过渡区。
具有增强浪涌电流能力结势垒肖特基二极管

[发明专利]用于制造单晶金属-半导体-复合的方法-CN201380011225.0无效
发明人：赵清太;L.克诺尔;S.曼特尔 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 2013-02-16 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在用于制造半传导的功能层的表面上的单晶金属-半导体-复合的方法中首先将包含金属的储备层涂覆在功能层上。接着通过退火触发金属与功能层的反应。根据本发明，储备层最迟在从功能层的表面起5nm的层厚度的情况下结束，或储备层最迟在这个层厚度的情况下转变成区域，金属在该区域中比在与功能层直接相邻的区域中更慢扩散。通过这个措施可以有利地避免功能层中金属的扩散流。可以认识到，这正好取决于，金属-半导体-复合是否是单晶。储备层可以由金属或金属的合金组成的至少两个层，该至少两个层彼此之间通过扩散势垒分开，但是还包括由金属组成的与功能层直接相邻的层和由金属的合金组成的至少一个层。
用于制造金属半导体复合方法