“L·科索”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统-CN202211047207.5在审
发明人： P·菲拉里;L·科索;F·F·维拉;S·尼科利;L·拉玛格纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本公开涉及制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统。一种用于制造集成第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统MEMS的方法。第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器。制造第一MEMS器件和第二MEMS器件的步骤至少部分地彼此被共享，导致在单个裸片上的高度集成，并且允许以高产量和受控成本来实现制造工艺。
制造包括电容压力传感器惯性传感器集成系统方法

[实用新型]半导体器件-CN202222274913.5有效
发明人： P·菲拉里;L·科索;F·F·维拉;S·尼科利;L·拉玛格纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，第一电极被耦合到在衬底上延伸的第一微机电系统器件；第一电极上的第一层；在第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在保护层上的、多孔材料的膜层，膜层对蚀刻化学溶液可渗透；被膜层重叠的腔；第一结构层，第一结构层密封膜层的孔并且与膜层形成第一微机电系统器件的悬置结构，悬置结构是通过腔电容性耦合到第一电极的第二电极；以及第二结构层在第一结构层上，并且第二结构层包括：第二微机电系统器件的可移动结构；以及第一微机电系统器件的第一电极和第二电极的偏置结构。由此，提供了改进的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]用于制造组合微机电器件的方法和对应组合微机电器件-CN202210583496.4在审
发明人： F·韦尔切西;L·塞吉齐;L·奥吉欧尼;L·科索 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开的各实施例总体上涉及用于制造组合微机电器件的方法和对应组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括：在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构；执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔，腔处于受控压力下；形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道，以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值；以及执行第二结合阶段，之后，结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。
用于制造组合微机器件方法对应

[实用新型]组合微机电器件-CN202221280850.8有效
发明人： F·韦尔切西;L·塞吉齐;L·奥吉欧尼;L·科索 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开的各实施例总体上涉及组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括：在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构；执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔，腔处于受控压力下；形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道，以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值；以及执行第二结合阶段，之后，结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。本实用新型的实施例提供了一种制造成本低廉的组合微机电器件。
组合微机器件

[发明专利]用于制造半导体器件的工艺以及相应半导体器件-CN201710193990.9有效
发明人： A·托齐奥;L·科索 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：公开了用于制造半导体器件的工艺以及相应半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括：形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。
用于制造半导体器件工艺以及相应

[实用新型]MEMS设备-CN202121072705.6有效
发明人： G·阿勒加托;L·科索;I·格尔米;C·瓦尔扎希纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及MEMS设备。该设备包括：衬底；第一结构层，具有第一厚度并且在衬底上延伸；第二结构层，具有第二厚度并且在第一结构层上延伸；多个第一沟槽，延伸通过第一结构层并且限定第一功能元件；多个第二沟槽，延伸通过第二结构层并且限定覆盖第一功能元件的第二功能元件；多个第三沟槽，延伸通过第一结构层和第二结构层，其中第一结构层和第二结构层形成支撑结构，具有第三厚度，支撑结构被锚定到衬底并且支撑第一功能元件和第二功能元件，第一间隙区在第一功能元件与第二功能元件之间延伸并且围绕支撑结构。利用本公开的实施例可以有利地允许多个微机械结构被布置在单个管芯中，允许整体大小被减小，降低制造成本，改善设备集成。
mems 设备

[实用新型]流量感测装置及用于测量流体的特性的系统-CN202120565750.9有效
发明人： G·加特瑞;F·里奇尼;L·奎利诺尼;L·科索;D·朱斯蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：公开了流量感测装置及用于测量流体的特性的系统。基于科里奥利力的流量感测装置包括：硅基底；绝缘层，在所述基底的表面上；至少一个驱动电极，在所述绝缘层上；以及硅结构体，与所述驱动电极部分地重叠，所述结构体具有埋入通道。本公开的实施例提供了高性能和低成本特性的流量感测装置及包括用于测量流体特性的系统。
流量装置用于测量流体特性系统

[发明专利]用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备-CN202110545660.8在审
发明人： G·阿勒加托;L·科索;I·格尔米;C·瓦尔扎希纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。
用于制造微机设备工艺 mems

[发明专利]流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统-CN202110295228.8在审
发明人： G·加特瑞;F·里奇尼;L·奎利诺尼;L·科索;D·朱斯蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
流量装置及其制造方法流体特性测量系统

[实用新型]集成半导体器件-CN201720315465.5有效
发明人： A·托齐奥;L·科索 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：公开了集成半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。
集成半导体器件

1
共 10 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top