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[发明专利]具有到多个有源层中的选择性载流子注入的发光结构-CN202210277470.7在审
发明人： H.S.埃尔-戈劳里;M.V.基辛;Y-C.M.叶;庄奇理;J-C.陈 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本文所公开的是用于并入了中间载流子阻挡层的半导体发光器件（LED）的多层光学有源区域，所述中间载流子阻挡层具有针对组分和掺杂水平的设计参数，其被选择以提供在有源区域上对载流子注入分布的有效控制以实现期望的器件注入特性。本文所讨论的实施例的示例尤其包括：具有RGB色域的全覆盖范围的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED；具有超出标准RGB色域的扩展颜色色域的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED，具有可变色温的多量子阱发射白光LED和具有均匀填充的有源层的多量子阱LED。
具有到多个有源中的选择性载流子注入发光结构

[发明专利]具有到多个有源层中的选择性载流子注入的发光结构-CN201680046374.4有效
发明人： H.S.埃尔-戈劳里;M.V.基辛;Y-C.M.叶;庄奇理;J-C.陈 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本文所公开的是用于并入了中间载流子阻挡层的半导体发光器件（LED）的多层光学有源区域，所述中间载流子阻挡层具有针对组分和掺杂水平的设计参数，其被选择以提供在有源区域上对载流子注入分布的有效控制以实现期望的器件注入特性。本文所讨论的实施例的示例尤其包括：具有RGB色域的全覆盖范围的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED；具有超出标准RGB色域的扩展颜色色域的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED，具有可变色温的多量子阱发射白光LED和具有均匀填充的有源层的多量子阱LED。
具有到多个有源中的选择性载流子注入发光结构

[发明专利]具有琥珀色到红色光发射（＞600nm）的III族氮化物半导体光发射设备以及用于制作所述设备的方法-CN201680072137.5有效
发明人： Y-C.M.叶;H.S.艾戈劳里;X.李;J-C.陈;庄奇理 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种III族氮化物半导体光发射设备，其并入了n型III族氮化物覆层、含铟III族氮化物光发射区、以及p型III族氮化物覆层。光发射区被夹在n‑和p‑型III族氮化物覆层之间，并且包括多个多量子阱（MQW）集合。在n型覆层上形成的第一MQW集合包括相对较低的铟浓度。第二MQW集合包括相对中等的铟浓度。与p型覆层相邻的第三MQW集合并入了三个MQW集合中相对最高的铟浓度，并且能够发射琥珀色到红色光。前两个MQW集合被用作预应变层。在MQW集合之间，添加中间应变补偿层（ISCL）。前两个MQW集合和ISCL的组合防止相位分离并且增强第三MQW集合中的铟摄取。作为结果，第三MQW集合保持足够高的铟浓度以发射高输出功率的琥珀色到红色光，而没有任何相位分离相关联的问题。
具有琥珀色色光发射 600 nm iii 氮化物半导体设备以及用于制作方法

[发明专利]采用差分偏置控制的电光调制器-CN201580083295.6有效
发明人： T.V.萨达戈潘;S.Y.金;J-C.陈 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H04B10/548 文献下载
摘要：本公开的实施例针对包括具有偏置控制和调整的电光调制装置的设备的技术和配置。在一些实施例中，该设备可以包括具有第一和第二臂的电光调制器，其用来响应于输入数据信号来调制经过第一和第二臂的光，并且输出对应的光数据信号。该设备可以还包括与电光调制器耦合的控制模块，其用来差分地调整经过第一和第二臂的第一或第二光部分的相应相位，以实现光数据信号的偏置点。偏置点可以限定对应于光数据信号的设备的预期的功率输出。其它实施例可以被描述和/或要求保护。
采用偏置控制电光调制器