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[发明专利]单片电子器件-CN202180026894.X在审
发明人： J·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种形成和测试多个单片电子器件的方法。作为该方法的一部分，在牺牲衬底上形成包含III族氮化物的单片器件阵列。包括电接触的测试衬底与单片器件阵列的电接触对齐并通过接合介电层接合到单片器件阵列。从测试衬底供电以测试单片器件阵列的单片器件。然后部分牺牲衬底被选择性地去除以分离每个单片电子器件，其中，牺牲介电层被去除以将每个单片电子器件与测试衬底分离。
单片电子器件

[发明专利]单片LED像素-CN202180020229.X在审
发明人： J·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提供了一种形成用于发光二极管(LED)显示器的多个单片LED像素(1)的方法。该方法包括在牺牲基片上形成包含III族氮化物的共同(102)半导体层，并在共同半导体层的表面上形成发光二极管(LED)子像素的阵列。该方法还包括在LED子像素的阵列上形成平坦化介电层。通过对牺牲基片蚀刻像素限定沟槽的网格，来将LED子像素的阵列划分为多个单片LED像素，其中每个单片LED像素包括至少两个LED子像素。牺牲介电层形成在像素沟槽上以形成结合表面。将处理基片结合到结合表面，其中牺牲基片的第一部分被选择性地移除，以分离每个单片LED像素。为每个单片LED像素形成光提取特征，包括：选择性地移除牺牲基片的与每个LED子像素对齐的第二部分，并且牺牲介电层被移除以将每个单片LED像素与处理基片分离。
单片 led 像素

[发明专利]用于提高资源生产的微藻培养方法-CN201580022362.3在审
发明人： J·怀特曼;R·G·巴顿;M·里普卡三世;M·小里普卡;R·L·哈里斯 -专利权人：因特科有限责任公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： A23D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了诱导或增加微藻中脂质和蛋白质生产的方法。本发明还公开了提高微藻生物质的方法。所述方法包括向培养基中接种微藻并在异养生长条件下繁殖微藻。异养生长条件包括避免接种的培养基暴露于光。所述方法进一步包括将氧输送至接种培养基中。另外，脂质、蛋白质和其它细胞组分可从公开的方法所培养的微藻中分离和纯化。
用于提高资源生产培养方法