“J·X·安”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法-CN201110154040.8有效
发明人： J·X·安;汪海宏;B·于 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法，包括鳍部结构(310)、形成于邻接该鳍部结构(310)的第一侧边的第一栅极(410)、形成于邻接该鳍部结构(310)相对于该第一侧边的第二侧边的第二栅极(420)、以及形成于该鳍部结构(310)上端的上端栅极(610)。一种栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管(800)，包括多个鳍部(1110)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中一个鳍部的第一侧壁栅极结构(1010)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中另一个鳍部的第二侧壁栅极结构(1020)、形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部上的上端栅极结构(1230)、以及形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部(1110)下的底部栅极结构(1240)。
金属氧化物半导体场效应晶体管形成栅极方法

[发明专利]窄鳍片场效应晶体管-CN200480002697.0有效
发明人： Z·克里沃卡皮奇;J·X·安;S·达克希纳－默西;汪海宏;B·于 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种具有小于6纳米的沟道宽度的窄沟道鳍式场效晶体管(FinFET)。该FinFET可包含一鳍片(140)，其中是利用氨水(NH₄OH)蚀刻或活性离子蚀刻(RIE)来削减该沟道区。
窄鳍片场效应晶体管

[发明专利]应变沟道鳍片场效应晶体管-CN200480002593.X有效
发明人： S·达克什纳摩西;J·X·安;Z·克瑞沃卡皮奇;汪海宏;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括鳍片(205)和形成于该鳍片上的层(305)。该鳍片(205)包括具有矩形横剖面和许多表面的第一结晶材料。该层(305)形成于该等表面上并包括第二结晶材料。该第一结晶材料较的该第二结晶材料具有不同的晶格常数，以令该层(305)内产生张力应变。
应变沟道场效应晶体管

[发明专利]三栅极与栅极环绕的金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法-CN200480002698.5无效
发明人： J·X·安;汪海宏;B·于 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种三栅极(tri－gate)金属氧化物半导体场效应晶体管(200)，包括鳍部结构(310)、形成于邻接该鳍部结构(310)的第一侧边的第一栅极(410)、形成于邻接该鳍部结构(310)相对于该第一侧边的第二侧边的第二栅极(420)、以及形成于该鳍部结构(310)上端的上端栅极(610)。一种栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管(800)，包括多个鳍部(1110)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中一个鳍部的第一侧壁栅极结构(1010)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中另一个鳍部的第二侧壁栅极结构(1020)、形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部上的上端栅极结构(1230)、以及形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部(1110)下的底部栅极结构(1240)。
栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法

[发明专利]双晶体管或非器件-CN200380103941.8有效
发明人： Z·克里沃卡皮奇;J·X·安;林明仁;汪海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种或非(NOR)门，由二个非对称鳍型场效应晶体管(FinFET)类型的晶体管(801、802)所构成，替代传统的由四个晶体管所构成的NOR门。晶体管数目由四个降至两个可明显增进集成的半导体电路的性能。
双晶器件

[发明专利]具有U字型栅极结构的半导体器件-CN200380101954.1有效
发明人： B·于;S·S·艾哈迈德;J·X·安;S·达克希纳－默西;Z·克里沃卡皮奇;汪海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件(100)包括有衬底(110)、绝缘层(120)、鳍(210)以与栅极(510)。该绝缘层(120)形成在该衬底(110)上，而该栅极(510)形成在该绝缘层(120)上。该鳍(210)具有多个侧表面、一顶面、以及一底面。该栅极(510)围绕着鳍(210)的底面以及至少部分的侧表面。围绕该鳍(210)的栅极材料(510)在该半导体器件(100)的沟道区域具有U型剖面。
具有字型栅极结构半导体器件

[发明专利]双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法-CN200380101958.X有效
发明人： M·R·林;J·X·安;Z·克里沃卡皮克;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括鳍部(220)、第一栅极(240)和第二栅极(420)。该第一栅极(240)形成于鳍部(220)的上端，第二栅极(420)则围绕该鳍部(220)和第一栅极(240)。在另一实施例中，一三栅极MOSFET包括鳍部(220)、第一栅极(710)、第二栅极(720)和第三栅极(730)，该第一栅极(710)形成于鳍部(220)的上端，第二栅极(720)紧邻着鳍部(220)形成，第三栅极(730)紧邻着鳍部(220)并相对于第二栅极而形成(720)。
栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法