专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于半导体器件的衬底噪声隔离结构-CN201780057726.0有效
  • J·荆;S·吴;J·W·索瓦兹 - 赛灵思公司
  • 2017-08-29 - 2022-11-25 - H01L21/761
  • 半导体器件的示例包括形成在半导体衬底(101)中的第一电路(102)和第二电路(104)。半导体器件进一步包括形成在半导体衬底中并且设置在第一电路与第二电路之间的第一保护结构(106‑1),第一保护结构包括沿第一轴设置的第一不连续n+和p+扩散对(108‑1)。半导体器件进一步包括形成在半导体衬底中并且设置在第一电路与第二电路之间的第二保护结构(106‑2),第二保护结构包括沿第一轴设置的第二不连续n+和p+扩散对(108‑2),第二不连续n+和p+扩散对关于第一不连续n+和p+扩散对交错。
  • 用于半导体器件衬底噪声隔离结构
  • [发明专利]有源3D堆叠技术中的电感器设计-CN202080081181.9在审
  • J·荆;S·吴;X·X·吴;Y·弗兰斯 - 赛灵思公司
  • 2020-10-09 - 2022-07-08 - H01L23/522
  • 本文中所描述的示例提供一种用于堆叠式集成电路器件的电感器的隔离设计。一个示例是一种多芯片器件,包括芯片堆叠,该芯片堆叠包括多个芯片,多个芯片的相邻对接合在一起,每个芯片包括半导体衬底以及半导体衬底的前侧上的前侧电介质层;电感器,该电感器设置在多个芯片中的第一芯片的背侧电介质层中,该背侧电介质层位于第一芯片的半导体衬底的与第一芯片的半导体衬底的前侧相对的背侧上;以及隔离壁,该隔离壁从第一芯片的背侧电介质层延伸到前侧电介质层,隔离壁包括第一芯片的贯穿衬底通孔,隔离壁设置在电感器周围。
  • 有源堆叠技术中的电感器设计

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