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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]预测性芯片维护-CN202110400213.3在审
发明人： I·埃舍尔-珀佩尔;T·迈尔;G·珀佩尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及预测性芯片维护。本公开描述了用于通过包括附加触点(即，端子)和功能触点来检测包括集成电路(IC)的电路的现场故障或性能退化的技术，功能触点被用于将电路连接到系统，电路是系统的一部分。这些附加触点可以被用于测量随时间动态变化的电特性，例如，电压、电流、温度和阻抗。当电路在现场执行时，这些电特性可以表示某个故障模式并且可以是电路健康状态(SOH)的指示器。
预测芯片维护

[发明专利]半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造-CN202110067783.5在审
发明人： E·菲尔古特;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔;I·尼基廷;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，该方法包括：(110)提供半导体晶体管管芯，该半导体晶体管管芯可能地包括在第一下主面上的第一接触焊盘和/或在上主面上的第二接触焊盘；(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且可能地向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及(130)施加覆盖所述半导体管芯以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中，所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。
半导体管芯互连附加制造

[发明专利]用于制造半导体倒装芯片封装的方法-CN202010510825.3在审
发明人： T·迈尔;I·埃舍尔-珀佩尔;K·普雷塞尔;B·拉科 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体倒装芯片封装(10)，其包括：衬底(11)，所述衬底(11)包括第一主面、与第一主面相对的第二主面以及设置在第一主面上的一个或多个导电结构(11.1)；一个或多个柱(12)，所述一个或多个柱(12)设置在导电结构(11.1)中的至少一个上；半导体管芯13，所述半导体管芯13在其主面上包括一个或多个接触焊盘(13.1)，其中，半导体管芯(13)连接到衬底(11)，使得接触焊盘(13.1)中的至少一个与柱(12)中的一个连接；以及包封物14，所述包封物14设置在衬底(11)和半导体管芯(13)上。
用于制造半导体倒装芯片封装方法

[发明专利]半导体封装和形成半导体封装的方法-CN202010411001.0在审
发明人： E·菲尔古特;R·奥特伦巴;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装。所述半导体封装可以包括：包括被配置为传导电流的接触焊盘的至少一个半导体芯片；导体元件，其中，所述导体元件被布置为与所述接触焊盘横向重叠并且与所述接触焊盘存在距离；至少一个导电间隔体；被配置为使所述至少一个导电间隔体与所述接触焊盘电及机械连接的第一粘合系统；以及被配置为使所述至少一个导电间隔体与所述导体元件电及机械连接的第二粘合系统；其中，所述导体元件导电连接至夹，是夹的部分，导电连接至引线框架或者是引线框架的部分；并且其中，所述间隔体被配置为使所述接触焊盘与所述导体元件的横向重叠部分导电连接。
半导体封装形成方法

[发明专利]用于制造功率半导体模块的方法-CN201610966185.0有效
发明人： O·霍尔菲尔德;G·伯尼希;I·埃舍尔-珀佩尔;E·富尔古特;M·格鲁贝尔;T·迈尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造功率半导体模块的方法。为了制造功率半导体模块，将电路载体(2)与半导体芯片(1)和导电的接触元件(3)装配。在装配之后将半导体芯片(1)和接触元件(3)嵌入到介电的填料(4)中，并且使接触元件(3)暴露。此外产生导电的基层(5)，所述基层与暴露的接触元件(3)电接触，并且所述基层位于填料(4)和暴露的接触元件(3)上。借助于导电的连接层(6)将预制的金属箔(7)施加到基层(5)上。
用于制造功率半导体模块方法

[发明专利]散热器件、半导体封装系统及其制造方法-CN201910569814.X在审
发明人： R·奥特伦巴;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔;M·于尔斯;T·沙夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热器件(100)，其包括：包括第一材料并且具有表面部分(108)的第一部分(104)；以及处于所述表面部分上的第二部分(110)，所述第二部分包括第二材料；所述第二部分(110)具有孔隙度。
第二材料第一材料散热器件孔隙度

[发明专利]半导体封装系统-CN201910241938.5在审
发明人： R·奥特伦巴;T·沙夫;T·贝默尔;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔;M·于尔斯;T·迈尔;X·施勒格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：一种半导体封装系统包括半导体封装和盖状物。半导体封装包括管芯焊盘，安装或布置到管芯焊盘的第一主面的芯片以及包封芯片和管芯焊盘的包封体。盖状物至少部分地覆盖管芯焊盘的暴露的第二主面。盖状物包括具有电绝缘导热材料的盖状物主体和紧固系统，紧固系统将盖状物紧固到半导体封装上。紧固系统从盖状物主体朝向包封体延伸或沿着半导体封装的侧表面延伸。
盖状物半导体封装管芯焊盘紧固系统半导体封装系统包封体芯片电绝缘导热材料侧表面延伸包封紧固主面暴露覆盖

[发明专利]用于工艺调整的在公共衬底的电子芯片中的可去除指示器结构-CN201410183496.0有效
发明人： E·富尔古特;I·埃舍尔-珀佩尔;M·恩格尔哈特;H-J·蒂默;H·埃德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种处理多个封装的电子芯片的方法，该多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接，其中该方法包括蚀刻电子芯片；检测指示在指示器结构的暴露之后的、指示器结构的至少部分去除的信息，指示器结构被嵌入在电子芯片的至少一部分内并且在蚀刻已经去除在指示器结构上方的芯片材料之后被暴露；并且在检测到指示指示器结构的至少部分去除的信息之后调整处理。
用于工艺调整公共衬底电子芯片中的去除指示器结构

[发明专利]用于制造芯片复合结构的方法-CN201710156264.X在审
发明人： A·海因里希;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔;A·蒙丁;C·威尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的一个方面涉及一种用于制造芯片复合结构的方法。分别通过使导电的第一平衡片(21)与半导体芯片(1)的第一主电极(11)材料锁合地且导电地连接来制造两个或更多个芯片组件(2)。在所述芯片组件(2)之间的自由空间(211)中布置控制电极布线结构(70)。在所述控制电极布线结构(70)与各个芯片组件(2)的半导体芯片(1)的控制电极(13)之间建立导电连接。借助介电填料(4)使所述芯片组件(2)材料锁合地连接。
用于制造芯片复合结构方法

[发明专利]封装的MEMS器件-CN201410425943.9有效
发明人： I·埃舍尔-珀佩尔;E·富尔古特;A·德厄 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装的MEMS器件，其可以包括嵌入装置；设置在嵌入装置中的MEMS器件；设置在嵌入装置中并且声学耦合至MEMS器件的声音端口；以及位于声音端口中的格栅。本发明的一些实施例涉及一种声音换能器部件，其包括嵌入材料；以及和嵌入至嵌入材料中的衬底剥离型MEMS裸片。MEMS裸片可以包括用于声音换能的膜片。声音换能器部件可以进一步包括，位于嵌入材料内并且与膜片流体接触或声学接触的声音端口。其它实施例涉及一种用于封装MEMS器件的方法，或者涉及一种用于制造声音换能器部件的方法。
封装 mems 器件

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