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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN202010662122.2在审
发明人： H-J.舒尔策;J.P.孔拉特;A.R.施特格纳;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：提出了一种制造半导体器件的方法。提供碳化硅（SiC）半导体本体（102）。通过至少一个离子注入工艺经由SiC半导体本体（102）的第一表面（108）将离子引入到SiC半导体本体（102）中。此后，在SiC半导体本体（102）的第一表面（108）上形成SiC器件层（110）。在SiC器件层（110）中或之上形成半导体器件元件。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]场效应半导体器件以及其运行和制造的方法-CN201510384781.3在审
发明人： P.伊尔西格勒;J.G.拉文;H-J.舒尔策;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及场效应半导体器件以及其运行和制造的方法。根据一种实施方式提出一种功率晶体管，该功率晶体管包括衬底、沟道、栅电极和栅绝缘体。该栅绝缘体至少部分地被布置在栅电极和沟道之间，并且包括以下材料，该材料关于其极化具有滞后现象，使得晶体管的通过在栅电极上所施加的电压产生的开关状态在切断该电压之后继续保持。此外，提出一种半桥电路，包括根据本发明的构造的高侧晶体管和低侧晶体管，以及提出用于控制的方法和电路。
场效应半导体器件及其运行制造方法

[发明专利]半导体器件和用于产生掺杂半导体层的方法-CN201310273728.7在审
发明人： F.希尔勒;F.卡尔曼;A.毛德;G.米勒;H-J.舒尔策;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于产生掺杂半导体层的方法。一种半导体器件包括器件区。该器件区包括至少一个器件区区段，其包括第一掺杂类型且具有至少1E16cm-3的第一掺杂浓度的掺杂剂原子和第二掺杂类型且具有至少1E16cm-3的第二掺杂浓度的掺杂剂原子。
半导体器件用于产生掺杂半导体方法

[发明专利]功率晶体管器件垂直集成-CN201210098823.3有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;H-J.舒尔策;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率晶体管器件垂直集成。一种半导体部件包括层序列，所述层序列包括第一绝缘体层、设置在所述第一绝缘体层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二绝缘体层以及设置在所述第二绝缘体层上的第二半导体层。所述半导体部件还包括至少部分形成于所述第一半导体层内的多个器件。所述多个器件中的第一个是形成于所述第一半导体层的第一区域以及所述第二半导体层的第一区域内的功率晶体管。第一和第二半导体层的第一区域通过所述第二绝缘体层内的第一开口相互电接触。
功率晶体管器件垂直集成

[发明专利]常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法-CN201110210070.6在审
发明人： A.莫德;H.施特拉克;W.沃纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明涉及常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法。提供的一种常关型功率场效应晶体管半导体结构包括沟道、源电极、栅电极和俘获电荷，俘获电荷被布置在栅电极与沟道之间使得当源电极和栅电极处于相同电势时沟道处于关态。另外，提供了一种用于形成半导体器件的方法和用于对功率场效应晶体管编程的方法。
常关型场效应晶体管及其制造方法编程功率

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