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[发明专利]使用集成电路铸造相容工艺的单片集成电阻式存储器-CN201510067803.3有效
发明人： S·纳拉亚南;S·麦克斯维尔;N·小瓦斯克斯;H·Y·吉 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用集成电路铸造相容工艺的单片集成电阻式存储器，提供电阻式存储器的单片集成，其具有利用集成电路铸造相容工艺的互补金属氧化物半导体。提供一种存储器装置，其包括衬底﹑第一绝缘体层和单片堆栈，该衬底包含一个或多个互补金属氧化物半导体装置，该第一绝缘体层形成于该衬底上。该单片堆栈包含作为单片工艺的一部分而被制造在该第一绝缘体层上方的多个层。该多个层包含第一金属层、第二绝缘体层、和第二金属层。该电阻式存储器装置结构是在该一个或多个互补金属氧化物半导体装置的热预算内的情况下形成在该第二绝缘体层内。该电阻式存储器装置结构被实现为柱形装置或通孔装置。此外，该第一金属层耦合到该第二金属层。
使用集成电路铸造相容工艺单片集成电阻存储器

[发明专利]可缩放的基于硅的电阻式存储器装置-CN201510067038.5有效
发明人： S·纳拉亚南;S·P·麦克斯维尔;N·小瓦斯克斯;H·Y·吉 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可缩放的基于硅的电阻式存储器装置。存储器单元包括形成在衬底上的第一金属层。该衬底包括一个或更多的互补金属氧化物半导体装置。该存储器单元还包括通孔装置，通孔装置连结至少该第一金属层的一部分以及第二金属层的至少另一部分。该第一金属层具有第一厚度，第一厚度具有一边缘以作为经由该通孔装置而形成的存储器单元的电极。该存储器单元随着该第一厚度的变化以及至少部分独立于该存储器装置的最小特征尺寸而缩放。
缩放基于电阻存储器装置

[发明专利]利用易失性开关双端装置和MOS晶体管的非易失性存储器单元-CN201510401832.9有效
发明人： H·纳扎里安;赵星贤;H·Y·吉 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：提供了使用一个或多个易失性元件的非易失性存储器装置。在一些实施例中，所述非易失性存储器装置可以包括电阻型双端选择器，其可以根据被施加的电压而在低电阻状态或高电阻状态中。除了电容器或作为电容器的晶体管之外，也可以包括MOS(“金属氧化物半导体”)晶体管。电容器的第一端子可以连接到电压源，并且电容器的第二端子可以连接到选择器装置。NMOS晶体管的浮置栅极可以连接到选择器装置的另一侧，并且第二NMOS晶体管可以与第一NMOS晶体管串联。
利用易失性开关装置 mos 晶体管非易失性存储器单元

[发明专利]后端金属层中的集成电阻式存储器-CN201510221263.X有效
发明人： S·纳拉亚南;S·麦斯威尔;N·小瓦斯克斯;H·Y·吉 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及后端金属层中的集成电阻式存储器，提供存储器器件，其具有集成在其后端层内的电阻式切换存储器。举例来说，在多种实施例中，该电阻式切换存储器可以是嵌入式存储器，例如高速缓存、随机存取存储器等。电阻式存储器可以制造在多种后端金属化结构之间，该后端金属化结构包括后端铜金属层并且部分地利用一个或多个镶嵌工艺。在一些实施例中，电阻式存储器可以部分地使用镶嵌工艺以及部分地使用负蚀刻处理而制造，其利用四个或更少的光阻掩模。因此，本发明提供相对低成本且高性能的嵌入式存储器，其兼容于集成电路铸造制造工艺的多样性。
后端金属中的集成电阻存储器

[发明专利]形成ESD器件及其结构的方法-CN201310606297.1有效
发明人： D·D·马里罗;陈宇鹏;R·沃尔;U·夏尔马;H·Y·吉 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及形成ESD器件及其结构的方法。在一个实施方案中，ESD器件被配置成包括协助形成所述ESD器件的触发的触发器件。所述触发器件被配置成响应于输入电压具有不小于所述ESD器件的所述触发值的值而启动晶体管或SCR的晶体管。
触发器件触发启动晶体管输入电压晶体管配置响应

[实用新型]包括挥发性电阻性切换装置的高密度非挥发性内存装置-CN201620470084.X有效
发明人： H·纳扎里安;S·H·乔;H·Y·吉;T·库马尔;N·小巴斯奎兹;S·P·马克斯韦尔;S·纳拉亚南 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及包括挥发性电阻性切换装置的高密度非挥发性内存装置，具体涉及一种内存装置包含深沟槽晶体管、挥发性选择器装置、以及电容器结构，该深沟槽晶体管至少部分在介电层或基板内形成，该晶体管具有闸极，该闸极的宽度小于约100纳米(nm)，该挥发性选择器装置包含与该闸极电性接触的第一金属接点、以及第二金属接点，而该电容器结构具有与该第二金属接点电性接触的第一终端、以及与讯号输入电性接触的第二终端。
包括挥发性电阻切换装置高密度内存