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[发明专利]用于3D NAND可扩展性的多层堆叠-CN201880066334.5在审
发明人：韩新海;D·帕德希;E-X·平;S·古格吉拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件(诸如存储器器件等等)的方法和材料。在一个实施方式中，存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料，其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中，存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或制造为硅化物材料。在另一个实施方式中，氮化硅材料用作在存储器层堆叠的含氧化物层和含硅层之间的界面层。
用于 nand 扩展性多层堆叠

[发明专利]用于沉积贫氧金属膜的方法-CN201380036473.0在审
发明人： C·舒伯特;E-X·平;Y·森扎齐 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在此描述的是沉积贫氧金属膜的方法，该方法是透过基板上具有预定贫氧度的至少一个前体的化学反应所完成。示范性方法包括：于金属氧化物沉积循环期间，将该基板暴露至包含金属的金属反应物气体与包含氧的氧反应物气体，以在基板上形成含有金属氧化物的层；于贫氧沉积循环期间，将该基板暴露至包含金属的金属反应物气体与排除氧的额外反应物气体，以于第二循环期间在该基板上形成金属氮化物与混合金属的至少一者的第二层，该第二层相对于含有该金属氧化物的层为贫氧；以及重复该金属氧化物沉积循环与该贫氧沉积循环，以形成具有预定贫氧度的贫氧膜。
用于沉积金属膜方法