“翁贝托·M·梅奥托”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法-CN202110966680.2有效
发明人： 翁贝托·M·梅奥托;E·卡梅尔伦吉;P·泰萨里欧;L·罗伦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本专利申请案涉及微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法。一种形成微电子装置的方法包括形成存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包括垂直位于基底结构之上的存储器单元，所述基底结构包括半导电材料及垂直延伸到所述半导电材料中的对准标记结构。形成延伸穿过所述存储器阵列区域且到所述对准标记结构中的第一接触结构。在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构。移除所述基底结构的一部分以暴露所述对准标记结构。形成垂直邻近所述基底结构的剩余部分的控制逻辑区域。所述控制逻辑区域包括通过部分延伸穿过所述对准标记结构且接触所述第一接触结构的第二接触结构与所述第一接触结构电连通的控制逻辑装置。
微电子装置相关存储器电子系统方法

[发明专利]与熔丝阵列一起形成电阻式随机存取存储器-CN201110225660.6有效
发明人：安德烈亚·雷达埃利;阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺;翁贝托·M·梅奥托;乔治·塞尔瓦利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：可在具有熔丝阵列的同一衬底上形成电阻式随机存取存储器阵列。所述随机存取存储器与所述熔丝阵列可使用同一活性材料。举例来说，所述熔丝阵列及所述存储器阵列两者均可使用硫属化物材料作为活性切换材料。主要阵列可使用若干组垂直沟槽隔离部的图案，且所述熔丝阵列可仅使用一组平行沟槽隔离部。因此，所述熔丝阵列可具有在邻近沟槽隔离部之间连续延伸的导电线。在一些实施例中，此连续线可减小穿过所述熔丝的导电路径的电阻。
阵列一起形成电阻随机存取存储器