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[发明专利]存储器阵列以及形成存储器阵列的方法-CN202311132134.4在审
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及一种存储器阵列以及形成存储器阵列的方法。本发明揭示一种包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层的存储器阵列，该存储器单元个别包括晶体管，该晶体管包括第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域及栅极，该第一源极/漏极区域及该第二源极/漏极区域具有介于其之间的沟道区域，该栅极操作性地接近该沟道区域。该沟道区域的至少一部分针对该部分中的水平电流来水平定向于该第一源极/漏极区域与该第二源极/漏极区域之间。该存储器单元的电容器包括具有介于其之间的电容器绝缘体的第一电极及第二电极。该第一电极电耦合到该第一源极/漏极区域。水平纵向伸长感测线位于该存储器单元层中的个别者中。
存储器阵列以及形成方法

[发明专利]双晶体管竖直存储器单元和屏蔽结构-CN202280016548.8在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;K·萨尔帕特瓦里;D·V·N·拉马斯瓦米;A·卡德罗尼;R·E·法肯索尔;D·R·米尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一些实施例包含设备，其中此类设备中的一者包含：第一存储器单元，其包含第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管具有耦合在数据线与导电区之间的第一沟道区以及位于第一数据线与所述导电区之间的第一电荷存储结构，所述第二晶体管具有耦合到所述第一数据线和所述第一电荷存储结构且位于所述第一数据线与所述第一电荷存储结构之间的第二沟道区；第二存储器单元，其包含第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管具有耦合在第二数据线与所述导电区之间的第三沟道区以及位于所述第二数据线与所述导电区之间的第二电荷存储结构，所述第四晶体管具有耦合到所述第二数据线和所述第二电荷存储结构且位于所述第二数据线与所述第二电荷存储结构之间的第四沟道区；导电线，其形成所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一者的栅极；以及导电结构，其位于所述第一电荷存储结构与所述第二电荷存储结构之间且与所述导电区电分离。
双晶竖直存储器单元屏蔽结构

[发明专利]将漏斗装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入有漏斗装置的电容器配置-CN201880080638.7有效
发明人： A·A·恰范;B·R·曲克;M·纳哈尔;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有通过支撑结构支撑的水平隔开底部电极的设备。漏斗装置材料直接抵靠所述底部电极。绝缘材料在所述底部电极上方，且上部电极在所述绝缘材料上方。板材料跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合。所述板材料直接抵靠所述漏斗装置材料。所述漏斗装置材料将所述底部电极电耦合到所述板材料，且可经配置以使过量电荷的至少部分从所述底部电极放电到所述板材料。一些实施例包含形成包含具有底部电极及顶部电极的电容器的设备的方法，其中所述顶部电极通过导电板彼此电耦合。形成漏斗装置以将所述底部电极电耦合到所述导电板。
漏斗装置并入电容器配置减少单元干扰方法

[发明专利]存储器单元及形成电容器的方法-CN201780082792.3有效
发明人： M·巴拉克瑞申安;B·R·库克;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器单元，其包括具有第一导电电容器电极的电容器，所述第一导电电容器电极具有个别拥有顶表面的横向间隔壁。第二导电电容器电极横向介于所述第一电容器电极的所述壁之间，且包括所述第一电容器电极上方的一部分。铁电材料横向介于所述第一电容器电极的所述壁之间且横向介于所述第二电容器电极与所述第一电容器电极之间。所述电容器包括从所述第一及第二电容器电极中的一者通过所述铁电材料到另一者的本征电流泄漏路径。平行电流泄漏路径介于所述第二电容器电极在所述第一电容器电极上方的所述部分的竖向内表面与所述第一电容器电极的所述横向间隔壁的所述个别顶表面中的至少一者之间。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征电流泄漏路径且具有低于所述本征电流泄漏路径的总电阻。揭示包含方法的其它方面。
存储器单元形成电容器方法

[发明专利]包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成包括个别包括晶体管及电容器的存储器单元的存储器阵列的方法-CN201880043219.6有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层，其中所述存储器单元个别包括晶体管，所述晶体管包括第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域及栅极，所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域具有介于其之间的沟道区域，所述栅极操作性地接近所述沟道区域。所述沟道区域的至少一部分针对所述部分中的水平电流来水平定向于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间。所述存储器单元的电容器包括第一电极及第二电极，其具有介于其之间的电容器绝缘体。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区域。水平纵向伸长感测线位于所述存储器单元层中的个别者中。相同存储器单元层中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区域中的个别者电耦合到存储器单元的所述个别层中的所述水平纵向伸长感测线。电容器‑电极结构竖向延伸穿过所述垂直交替层。所述电容器中的个别者的所述第二电极中的个别者电耦合到所述竖向延伸电容器‑电极结构。存取线柱竖向延伸穿过所述垂直交替层。所述存储器单元层中的不同者中的所述晶体管中的个别者的所述栅极包括所述竖向延伸存取线柱的一部分。本发明揭示包含方法的其它实施例。
包括绝缘材料存储器单元垂直交替阵列以及形成个别晶体管电容器方法

[发明专利]包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成存储器阵列的方法-CN201880057380.9有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种存储器阵列包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层。所述存储器单元个别地包括晶体管和电容器。所述电容器包括第一电极，其电耦合到所述晶体管的源极/漏极区。所述第一电极包括直线水平横截面中的环形，以及从所述第一电极环形径向朝内的电容器绝缘体。第二电极从所述电容器绝缘体径向朝内。电容器‑电极结构竖向延伸穿过所述垂直交替层。所述电容器中的个别电容器的所述第二电极中的个别第二电极电耦合到所述竖向延伸的电容器‑电极结构。感测线电耦合到在不同存储器‑单元层中的多个所述晶体管的另一源极/漏极区。本文公开包含方法的额外实施例和方面。
包括绝缘材料存储器单元垂直交替阵列以及形成方法

[发明专利]反相器以及相关存储器装置和电子系统-CN202310262610.8在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;K·萨尔帕特瓦里;R·E·法肯索尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及反相器以及相关存储器装置和电子系统。一种反相器包含晶体管、上覆于所述晶体管的额外晶体管，以及插入于所述晶体管与所述额外晶体管之间且由两者共享的混合栅极电极。所述混合栅极电极包含上覆于所述晶体管的沟道结构的区、上覆于所述区且下伏于所述额外晶体管的额外沟道结构的额外区，以及插入于所述区与所述额外区之间的另一区。所述区具有第一材料组成。所述额外区具有不同于所述区的第一材料组成的第二材料组成。
反相器以及相关存储器装置电子系统

[发明专利]包含铁电材料的凹陷晶体管-CN201911294882.6有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请涉及包含铁电材料的凹陷晶体管。一些实施例含括晶体管构造，其具有内衬在基底内的凹槽中的第一绝缘结构。第一导电结构内衬在所述第一绝缘结构的内部中，且铁电结构内衬在所述第一导电结构的内部中。第二导电结构位于所述铁电结构的下部区域内，且所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面。第二绝缘结构位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内。一对源极/漏极区域相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。
包含材料凹陷晶体管

[发明专利]包括垂直对置电容器对的阵列及其形成方法-CN201780082601.3有效
发明人： A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成包括垂直对置电容器对的阵列的方法，其包括：在支撑材料中的个别电容器开口中形成导电衬里。移除所述导电衬里中的个别者的竖向中间部分，以在所述个别电容器开口中形成彼此竖向分离及间隔的上电容器电极衬里及下电容器电极衬里。使电容器绝缘体形成于所述上及下电容器电极衬里的横向外。使导电材料形成于所述电容器绝缘体的横向外，以构成由所述垂直对置电容器对中的个别者中的垂直对置的电容器共享的共享电容器电极。揭示独立于制造方法的其它方法及结构。
包括垂直电容器阵列及其形成方法

[发明专利]电容器阵列和存储器单元阵列及其形成方法-CN201780082771.1有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线。所述电容器电极线中的个别者为纵向沿着所形成的电容器的线的个别电容器的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线。在所述电容器电极线中的个别者的一对横向相对侧上方且纵向沿着所述电容器电极线中的个别者形成电容器绝缘体。纵向沿着所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的一者而在所述电容器绝缘体上方形成竖向延伸的导线。横向切断所述导线，以形成所述个别电容器的所述两个电容器电极中的间隔开的个别另一者。本发明揭示了其它方法，包含独立于制造方法的结构。
电容器阵列存储器单元及其形成方法

[发明专利]使用漏斗装置的单元干扰预防-CN202211606018.7在审
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及使用漏斗装置的单元干扰预防。本发明的各种实施例包括设备及形成所述设备的方法。在一个实施例中，示范性设备包含多个存储器单元。所述存储器单元的至少一部分具有底部电极，其中每一底部电极与其余所述底部电极至少部分电隔离。至少一个电阻互连件电耦合两个或更多个所述底部电极。所述电阻互连件经布置以从所述两个或更多个底部电极排出至少一部分过量电荷。揭示额外设备及形成所述设备的方法。
使用漏斗装置单元干扰预防

[发明专利]存储器阵列、铁电晶体管及读取与写入存储器单元的方法-CN201780024915.8有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米;W·肯尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一些实施例包含铁电晶体管。所述晶体管具有配置为第一容器的栅极电介质材料，其中所述第一容器具有第一内表面。含金属材料配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器。所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面。铁电材料配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器。所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面。栅极材料位于所述第三容器内。一些实施例包含具有作为存储器单元的铁电晶体管的存储器阵列。一些实施例包含在存储器阵列的存储器单元是金属铁电金属绝缘体半导体MFMIS晶体管的情况下与所述存储器单元相关的写入/读取方法。
存储器阵列晶体管读取写入单元方法

[发明专利]晶体管及存储器阵列-CN202180045123.5在审
发明人： S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一些实施例包含具有存取晶体管的阵列的集成存储器。每一存取晶体管包含具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区及沟道区的有源区。所述存取晶体管的所述有源区包含具有选自周期表第13及16族的元素的半导体材料。第一导电结构沿着所述阵列的行延伸且具有与所述存取晶体管的所述沟道区邻近的门控段。异质绝缘区在所述门控段与所述沟道区之间。第二导电结构沿着所述阵列的列延伸，且与所述第一源极/漏极区电耦合。存储元件与所述第二源极/漏极区电耦合。一些实施例包含具有半导体氧化物沟道材料的晶体管。导电栅极材料与所述沟道材料邻近。异质绝缘区在所述栅极材料与所述沟道材料之间。
晶体管存储器阵列

[发明专利]电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法-CN202180046499.8在审
发明人： F·A·席赛克-艾吉;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：一种形成电容器阵列的方法包括在牺牲材料中形成水平隔开的开口的行及列。在所述开口的所述列中的多者中形成填充材料，且在其中包括所述填充材料的所述开口的所述列之间的多个所述列中形成下电容器电极。所述填充材料具有与所述下电容器电极的成分不同的成分。所述填充材料在个别地包括所述下电容器电极的多个水平隔开的群组之间。所述群组中的紧邻者通过包括其中包括所述填充材料的所述开口的所述列中的至少一者的间隙彼此水平间隔开。移除所述牺牲材料以暴露所述下电容器电极的横向外侧。在所述下电容器电极的顶上及所述横向外侧上面形成电容器绝缘体。在所述电容器绝缘体及所述下电容器电极上面形成上电容器电极材料。在所述群组中的个别者顶上形成水平伸长的导电线，所述导电线将那个个别群组中的位于所述导电线下方的所述上电容器电极材料直接电耦合在一起。
电容器阵列存储器单元形成方法

[发明专利]使用漏斗装置的单元干扰预防-CN201780073080.5有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的各种实施例包括设备及形成所述设备的方法。在一个实施例中，示范性设备包含多个存储器单元。所述存储器单元的至少一部分具有底部电极，其中每一底部电极与其余所述底部电极至少部分电隔离。至少一个电阻互连件电耦合两个或更多个所述底部电极。所述电阻互连件经布置以从所述两个或更多个底部电极排出至少一部分过量电荷。揭示额外设备及形成所述设备的方法。
使用漏斗装置单元干扰预防

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