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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有低源极电阻的场效应晶体管器件-CN201280029903.1有效
发明人：柳世衡;D·C·克派尔;程林;S·德哈;C·乔纳斯;A·阿嘎瓦尔;J·帕尔莫 -专利权人：克里公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括漂移层，具有第一导电类型；阱区域，在该漂移层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；以及源极区域，在该阱区域中。该源极区域具有该第一导电类型并且限定该阱区域中的沟道区域。该源极区域包括邻近该沟道区域的横向源极区域，以及从横向源极区域相反于该沟道区域而延伸开的多个源极接触区域。具有该第二导电类型的体接触区域位于该多个源极接触区域的至少两个之间并且与该阱区域接触。
具有低源极电阻场效应晶体管器件

[发明专利]用于碳化硅器件的双保护环边缘终端和制造具有双保护环边缘终端的碳化硅器件的方法-CN200980111322.0有效
发明人：张清纯;C·乔纳斯;A·K·阿加瓦尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了用于半导体器件的边缘终端结构，包括在半导体层中的多个隔开的同心浮置保护环，至少部分环绕半导体结。隔开的同心浮置保护环具有重掺杂部分和轻掺杂部分。在此还提供了制作器件的相关方法。
用于碳化硅器件保护环边缘终端制造具有方法

[发明专利]高功率绝缘栅双极晶体管-CN200780029460.5有效
发明人：张清纯;S·-H·刘;C·乔纳斯;A·K·阿加沃尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)包括具有第一导电类型的衬底(12)，具有与第一导电类型相反的第二导电类型的漂移层(16)，以及在漂移层中并具有第一导电类型的阱区(18)。外延沟道调节层(40)在漂移层上并且具有第二导电类型。发射极区域(22)从外延沟道调节层的表面延伸通过外延沟道调节层并进入阱区。发射极区域具有第二导电类型并且至少部分定义了阱区中相邻于发射极区域的沟道区。栅极氧化物层(26)在沟道区域上，并且栅极(28)在栅极氧化物层上。相关的方法也被公开。
功率绝缘双极晶体管

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