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[发明专利]卷曲螺旋连接体-CN201680063411.2有效
发明人： G·穆德;J·塞普尔韦达;C·陶斯;L·穆德-伯尔 -专利权人：安可QR ML有限公司
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C07K7/08 文献下载
摘要：连接第一和第二分子的螺旋状的卷曲螺旋型结构连接体，其中第一分子包含肽第一α‑螺旋且第二分子包含肽第二α‑螺旋，其中第二α‑螺旋卷曲到第一α‑螺旋；其中第一α‑螺旋包含i)由氨基酸基序a‑x1和C‑端基序a‑x1‑x2的重复组成的C‑端区域；或ii)由氨基酸基序x1‑a和N‑端基序x2‑x1‑a的重复组成的N‑端区域；其中a是4‑8个氨基酸的基序；x1是赖氨酸；和x2是基序的延长，其中延长由1‑10个氨基酸组成，其中延长不包含超过4个连续的氨基酸，连续的氨基酸掺入所述基序a‑x1或x1‑a中；和包含通过该连接体相互连接的至少两条多肽链的多聚体蛋白，其中第一多肽链掺入第一α‑螺旋且第二第一多肽链掺入第二α‑螺旋；并且其中第一和第二多肽链通过第一和第二α‑螺旋的螺旋状的卷曲螺旋型结构连接。
卷曲螺旋连接

[发明专利]交叉点二极管存储器阵列的并行访问-CN02122441.2有效
发明人： C·陶斯;R·埃尔德 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：根据本发明的原理，提供了用于寻址一个交叉点存储器阵列，该阵列具有来自于第一和第二组地址线的第一和第二组电极。该寻址电路具有在所述第一组地址线和所述第一组存储器阵列电极之间的第一二极管连接，其中第一二极管连接把第一组中的每个存储器阵列电极连接到第一组地址线的一个相应唯一子集。在第二组地址线和第二组存储器阵列电极之间提供了第二二极管连接，该第二二极管连接把第二组中的每个存储器阵列电极连接到第二组地址线的一个相应唯一子集。至少一条读出线也具有到第一组存储器阵列电极及/或第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
交叉点二极管存储器阵列并行访问

[发明专利]寻址和读出一个交叉点二极管存储器阵列-CN02122447.1有效
发明人： C·陶斯;R·埃尔德 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-02-19 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：根据本发明的原理，提供了一个用于寻址一个交叉点存储器阵列的寻址电路，其中该存储器阵列具有这样布置的第一和第二组电极，以便使在第一组中的每个电极和在第二组中的每个电极交叉，并且在第一和第二组电极的每个交叉点处形成一个相应的存储单元。寻址电路包含一个第一组地址线，和多个连接在第一组地址线和第一组电极之间的第一二极管元件。所述第一组电极中的每一个都由所述第一二极管元件连接到第一组地址线的一个相应唯一子集。寻址电路还包含一个第二组地址线，和多个连接在第二组地址线和第二组电极之间的第二二极管元件，其中所述第二组电极中的每一个都由所述第二二极管元件连接到第二组地址线的一个相应的唯一子集。
寻址读出一个交叉点二极管存储器阵列

[发明专利]非易失性存储器-CN02122440.4无效
发明人： T·N·胡尔斯特;C·佩尔洛夫;C·威尔逊;C·陶斯 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： G11C5/00 文献下载
摘要：公开了一种数据存储器，它包括在介电材料衬底上形成的一个交叉点存储阵列。交叉点存储阵列包括第一和第二组横向电极，它们被一个包含至少一个半导体层的存储层所分隔。在每个由第一和第二组电极形成的交叉点处，存储层形成一个非易失性存储元件。通过对经过存储元件的预定电流形式的写入信号的应用，每个存储元件可以在低和高阻抗状态之间切换，表示对应的二进制状态。每个存储元件都包括在存储层上形成的二极管结点，至少是同时处于低阻抗状态。多个数据存储设备可以被堆叠并被层压成一个存储模块，以提供廉价的高容量数据存储。这样的存储模块可以被用于归档数据存储系统，其中存储模块提供一个一次写入的存储单元，该单元在设备或是接口卡中是可接收的。
非易失性存储器