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[发明专利]用蒸气沉积法涂布一根或多根纱线的装置-CN201680067915.1有效
发明人： E·巴特;S·泰鲍德;A·戴尔坎普;C·德斯坎普斯 -专利权人：赛峰航空陶瓷技术公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用气相沉积法涂布一根或多根纱线(2)的装置(1)，所述装置至少包括：处理室(4)，其限定至少第一处理区(4a)和第二处理区(4b)，在第一处理区和第二处理区中，至少一根纱线(2)将使用气相沉积法进行涂布，所述第一和第二区由壁(5)分隔开并且第一区包围第二区或者叠加在第二区的顶部上；传送系统(6)，其设计成将所述至少一根纱线(2)输送通过第一(4a)和第二(4b)区；设计成将第一处理气相注入第一区(4a)的第一注射装置，以及设计成将残留的第一气相(11d)从第一区(4a)中去除的第一去除装置；以及设计成将第二处理气相注入第二区(4b)的第二注射装置，以及设计成将残留的第二气相(12d)从第二区(4b)中去除的第二去除装置。
蒸气沉积法涂布一根纱线装置

[发明专利]一种化学气相渗透或沉积的方法-CN201780041235.7在审
发明人： S·高加德;A·戴尔凯姆;C·德斯坎普斯 -专利权人：赛峰航空陶瓷技术公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相渗透或沉积的方法，所述方法至少包括以下步骤：‑在多孔基材的孔中或在基材的表面上形成碳化硅，将基材置于反应室中，由引入反应室的气相形成碳化硅，所述气相包含试剂化合物，该试剂化合物是碳化硅的前体，并具有下式：其中：‑n是等于0或1的整数；‑m是1‑3范围内的整数；‑p是0‑2范围内的整数，并且m+p＝3；和‑R表示‑H或‑CH₃；引入的气相中碳原子数与硅原子数之比C/Si在2至3的范围内。
碳化硅化学气相渗透试剂化合物反应室基材沉积多孔基材硅原子数碳原子数引入前体