|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 6个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]用于接合基板的接触表面的方法-CN201910644305.9有效
-
B.雷布汉
-
EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
-
2013-07-05
-
2023-08-15
-
H01L21/60
- 本发明涉及一种用于将第一基板（1,1＇）的第一至少部分地为金属的接触表面与第二基板的第二至少部分地为金属的接触表面相接合的方法，其具有以下步骤、尤其是以下进程：‑将至少部分地、尤其是主要可溶于所述接触表面中的至少一个的材料中的牺牲层（4）施加到所述接触表面中的至少一个上，‑在将所述牺牲层（4）至少部分溶于所述接触表面中的至少一个中的情况下接合所述接触表面。所述接触表面可以毯覆方式被布置在一个接合区域（3）上。可替换地，所述接触表面可由多个接合区（3＇）构造，所述接合区（3＇）被块体材料（5）环绕或者被布置在基板腔（2）中。为了产生基板之间的预接合可使用液体（例如水）。
- 用于接合接触表面方法
- [发明专利]用于永久接合晶片的方法和装置以及切削工具-CN201280002216.0有效
-
K.马廷希茨;M.温普林格;B.雷布汉
-
EV集团E·索尔纳有限责任公司
-
2012-01-23
-
2016-11-09
-
B23K20/22
- 本发明涉及一种用于将由第一材料制成的第一固体基底（1）的第一接合表面（1o）与由第二材料制成的第二固体基底（2）的第二接合表面（2o）接合的方法，具有以下步骤，特别是以下流程：利用切削工具（5）在低于临界速度vk的速度vs以及在高于临界温度Tk的温度Ts下对该第一和/或第二接合表面（1o，2o）进行加工，直到表面粗糙度O小于1μm，使所述第一固体基底（1）和第二固体基底（2）在所述接合表面（1o，2o）上相接触，以及对接触后的固体基底（1，2）施加温度，以利用高于再结晶温度的接合温度TB在所述接合表面（1o，2o）上构造至少主要是通过再结晶引起的、分别直至再结晶深度R的永久接合，所述再结晶深度R大于所述接合表面（1o，2o）的表面粗糙度O。本发明还涉及一种对应的装置和一种切削工具（5），所述切削工具用于在低于临界速度vk的速度vs以及在高于临界温度Tk的温度Ts下对第一和/或第二接合表面进行加工，直至粗糙度O小于1μm。
- 用于永久接合晶片方法装置以及切削工具
|
