专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有直接存取的多级存储器-CN201610912901.7有效
  • B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 - 英特尔公司
  • 2011-12-29 - 2021-03-12 - G06F12/02
  • 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中,该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器(NVRAM)指定为用作可替换于动态随机存取存储器(DRAM)的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后,该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后,该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
  • 具有直接存取多级存储器
  • [发明专利]具有直接存取的多级存储器-CN201180075995.2有效
  • B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 - 英特尔公司
  • 2011-12-29 - 2016-11-09 - G06F12/00
  • 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中,该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器(NVRAM)指定为用作可替换于动态随机存取存储器(DRAM)的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后,该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后,该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
  • 具有直接存取多级存储器
  • [发明专利]非易失性RAM盘-CN201180076054.0有效
  • J.B.克罗斯兰;T.奥普费尔曼;B.芬宁 - 英特尔公司
  • 2011-12-29 - 2014-08-27 - G06F12/02
  • 公开方法和系统。在一个实施例中,方法包括在变存储器和开关(PCMS)存储器内若存储器位置以用作随机存取存储器(RAM)盘。创建RAM盘以供在计算机系统中运行的软件应用使用。方法还包括将分配数量的PCMS存储器中的至少一部分映射到软件应用地址空间。最后,方法还授予软件应用对分配数量的PCMS存储器的至少一部分的直接访问。
  • 非易失性ram

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