“B·陈”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果108个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多任务虚拟机的堆组织-CN200680055340.8无效
发明人： X·周;G·吴;P·郭;J·彭;Z·英;B·陈 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本文描述了多任务虚拟机的堆组织。堆组织可以包括用于并发执行多个任务的执行引擎和与该执行引擎相耦合的多个堆。在一些实施例中，所述多个堆可以包括系统堆和与该系统堆相分离的任务堆。系统堆可以存储可由所述多个任务访问的系统数据。任务堆可以存储仅可由所述多个任务中的一个任务访问的任务数据。
任务虚拟机组织

[发明专利]负载型贵金属催化剂-CN200810087088.X有效
发明人： K·默布斯;T·邓恩;B·陈 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： B01J23/44 文献下载
摘要：一种负载型贵金属催化剂，包括施加于载体的由胶体包裹的钯盐，所述负载型贵金属催化剂是通过使用碱使钯盐溶液水解并将胶状悬浮体施加于载体来制备的。所述催化剂可以用在氢化反应中。
负载贵金属催化剂

[发明专利]电子数据报表的命名对象视图-CN200680032787.3有效
发明人： D·C·巴塔金;Y·本－多维;J·S·坎普贝尔;B·陈;E·梅格多 -专利权人：微软公司
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：从电子数据文件中生成报表的命名对象视图。在文件中标识文件中要发布的的文件中对象。通过发布所标识的对象来生成与该文件相关联的报表的命名对象视图。向客户机处的查看者呈现该报表的命名对象视图，使得查看者的注意力集中在发布对象上。
电子数据报表命名对象视图

[发明专利]具有改进的稳定性、亮度和效率的有机发光二极管（OLED）-CN200580048428.2有效
发明人： K·R·萨马;B·陈;X·孙 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机发光二极管(OLED)，包括设置于阳极(104)和空穴传输层(106)之间的相对较薄的类金刚石碳(DLC)层(114)，用以提高发光效率和操作寿命。该相对较薄的DLC层(114)抑制空穴注入，其平衡电荷流动并提高效率，增大阳极(104)的表面光滑度，其有助于提高操作寿命。
具有改进稳定性亮度效率有机发光二极管 oled

[发明专利]单栅非易失性快闪存储单元-CN200710101654.3无效
发明人： B·陈;Y·W·胡;D·李 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种具有单多晶硅栅、与常规的逻辑工艺相兼容的非易失性浮栅存储单元包括第一导电类型的衬底。第二导电类型的第一和第二区域在该衬底中，彼此间隔开以限定其间的沟道区域。第一栅与该衬底绝缘且位于该沟道区域的第一部分和第一区域之上，并且与其充分电容性耦接。第二栅与该衬底绝缘，且与该第一栅间隔开，并且位于沟道区域的与第一部分不同的第二部分之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。
单栅非易失性快闪存单元

[发明专利]NROM器件及其制造方法-CN200510108415.1有效
发明人： B·陈;D·李;Y·W·胡;B·叶 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2005-10-08 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种形成存储器件(以及所得到的器件)的方法，包括：在衬底上形成电子俘获介电材料；在介电材料上形成导电材料；在导电材料上形成材料间隔物；除去介电材料和导电材料的一部分，以形成设置在材料间隔物下面的片段；在具有不同于衬底的导电类型的第二导电类型的衬底中形成第一和第二间隔区域，其中具有在第一和第二区域之间延伸的沟道区，其中电介质和第一导电材料的片段设置在沟道区的第一部分上，用于控制其导电性；以及在沟道区的第二部分上形成与之绝缘的第二导电材料，用于控制其导电性。
nrom 器件及其制造方法

[发明专利]基于软件的音频呈现-CN200610002511.2有效
发明人： B·陈 -专利权人：微软公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H04N7/54 文献下载
摘要：描述了基于软件的音频呈现。一个特定的实现包括计算机可读介质，它被配置成测量外部时钟与音频时钟之间的第一漂移速率，直到漂移达到一个阈值。响应于该漂移达到阈值并且基于第一漂移速率，该实现操纵音频时钟，使它达到第二漂移速率，该第二漂移速率具有较小的值以及与第一漂移速率相反的极性。
基于软件音频呈现

[发明专利]用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法-CN200380103007.6有效
发明人： R·怀斯;阎红雯;B·吉;S·潘达;B·陈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-12-02 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
用于等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响设备方法

[发明专利]集成电镀和平面化的方法及其设备-CN200380101929.3有效
发明人： L·埃科诺米可斯;H·德利吉安尼;J·M·科特;H·J·格拉巴尔兹;B·陈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C25D5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在衬底上电镀金属层并CMP平面化该层的方法和设备。该设备包括：工作台(10)，用于支撑抛光衬垫(20)，并具有多个形成用于将电镀溶液施加到衬垫上的通道的孔(210、220)；电镀阳极(201、202、203)，设置在通道中并与电镀溶液接触；载体(12)，用于固定衬底与衬垫的顶表面基本上平行，并用于将压在衬垫上的可变的机械力施加到衬底，从而衬底和衬垫之间的间距在电镀期间小于在电蚀刻期间。
集成电镀平面化方法及其设备

[发明专利]埋置位线非易失浮动栅存储单元、其阵列及其制造方法-CN200510055090.5无效
发明人： D·李;B·陈;S·基亚尼安 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：埋置位线读出/程序非易失存储单元及阵列能够获得高密度。单元和阵列制作在具有多个间隔开的沟槽的半导体衬底上，沟槽间有平面表面。每个存储单元具有用于在其上存储电荷的浮动栅。单元具有间隔开的源区/漏区，它们之间有沟道。源区/漏区之一位于沟槽的底壁内。浮动栅在沟槽内，在沟道的第一部分上面，与沟槽的侧壁间隔开。栅电极控制着沟道的第二部分的导通，第二部分在衬底的平面表面上。另一源区/漏区在衬底平面表面上的衬底中。可独立控的控制栅也在沟槽内，它与浮动栅绝缘并与其容性耦合。源、漏和控制栅基本上相互平行，而栅电极基本上垂直于源/漏/控制栅。
埋置位线非易失浮动存储单元阵列及其制造方法

[发明专利]非易失浮栅存储单元及其阵列以及其形成方法-CN200410033397.0有效
发明人： B·陈;J·弗雷尔;D·李 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：双向读取/编程非易失存储单元和阵列能实现高密度。每个存储单元具有两个隔开的浮栅，用于在其上存储电荷。该单元具有隔开的源/漏区，其间具有沟道，该沟道具有三个部分。其中一个浮栅位于第一部分上；另一浮栅位于第二部分上，栅电极控制第一和第二部分之间的第三部分中的沟道的导电。控制栅被连接到源/漏区的每一个上，并且还容性耦合到浮栅。该单元通过热沟道电子注入而编程，并通过电子从浮栅到栅电极的Fowler－Nordheim遂穿来擦除。双向读取允许该单元被编程以存储位，其中每个浮栅中有一个位。
非易失浮栅存储单元及其阵列形成方法

[发明专利]非易失浮栅存储单元及其阵列以及其形成方法-CN200410033398.5有效
发明人： B·陈;D·李;B·叶 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：非易失存储单元具有第一导电类型的单晶半导体材料，如单晶硅。在半导体材料中形成每个为第二导电类型的彼此隔开的第一和第二区，所述第二导电类型不同于第一导电类型。具有第一部分和第二部分的沟道区连接第一和第二区用于传导电荷。电介质位于沟道区上。可以是导电的或不导电的浮栅位于电介质上，并与沟道区的第一部分隔开。沟道区的第一部分与第一区相邻，第一浮栅具有大体上的三角形状。浮栅形成在腔中。栅电极容性耦合到第一浮栅，并与沟道区的第二部分隔开。沟道区的第二部分位于第一部分和第二区之间。双向非易失存储单元具有每个均形成在腔中的两个浮栅。还公开了该非易失存储单元和阵列的制造方法。
非易失浮栅存储单元及其阵列形成方法

[发明专利]具有独立可控的控制栅的双向读取/编程非易失性浮栅存储单元及其阵列和形成方法-CN200410033393.2无效
发明人： B·陈;S·基亚尼安;J·弗雷尔 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：能够获得高密度的双向读取/编程非易失性存储单元和阵列。每一存储单元具有两个间隔开的用于在其上存储电荷的浮栅。该单元具有间隔开的源/漏区，沟道在源/漏区之间，该沟道具有三个部分。一个浮栅在第一部分上；另一浮栅在第二部分上，且栅电极控制在第一和第二部分之间的第三部分中的沟道的导通。独立可控的控制栅与源/漏区的每一个绝缘，且还电容耦合于浮栅。该单元通过热沟道电子注入来编程，并通过从浮栅到栅电极的电子福勒－诺德海姆隧穿来擦除。双向读取允许编程单元以存储位，每个浮栅中存储一位。独立可控的控制栅允许这种存储单元阵列在NAND结构中操作。
具有独立可控控制双向读取编程非易失性浮栅存储单元及其阵列形成方法

[发明专利]通过胺的低压多相氧化羰基化合成氨基甲酸酯-CN02812794.3无效
发明人： S·闯;Y·驰;B·陈;P·图切德 -专利权人：阿克伦大学
申请日： 2002-04-26 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C07C205/00 文献下载
摘要：本发明所公开的方法满足本领域中用于工业化的可行的氧化羰基化催化体系的要求，并能够以显著高于期刊和专利文献中所报道的方法的速率合成氨基甲酸酯。该反应过程通过不涉及剧烈反应条件的反应机理发生。尤其是，本发明的催化体系采用了VIII族金属催化剂和/或铜基催化剂和卤素助催化剂，在大气压和相对不剧烈的温度下，在气－固羰基化过程中通过多相氧化羰基化合成氨基甲酸酯。
通过低压多相氧化羰基化合成氨基甲酸酯

[发明专利]岗哨病毒Ⅱ-CN01812236.1无效
发明人： J·－K·刘;S·路易斯;R·博亨茨基;Y·－H·林;L·拉马斯瓦米;J·蒙蒂尔;H·－G·巴茨;B·陈 -专利权人：霍夫曼－拉罗奇有限公司
申请日： 2001-05-04 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： C12N7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种命名为H101.c33或岗哨病毒II(SVII)的新的病毒。提供了分离的SVII病毒、来自SVII病毒的多核苷酸和蛋白、以及结合SVII病毒和SVI病毒蛋白的抗体。可以使用本发明的多核苷酸、蛋白以及抗体来检测SVII病毒或者易感个体中SVII病毒的感染。另外，可以将本发明的多核苷酸插入到重组表达载体中以供重组生产病毒蛋白。
岗哨病毒