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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管-CN202310316070.7在审
发明人： P·莫恩斯;B·帕德玛纳伯翰;D·E·普罗布斯特;P·文卡特拉曼;T·萨卡;G·H·洛切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管。累积MOSFET包括多个器件单元。每个器件单元包括与设置在掺杂半导体衬底中的垂直沟槽邻接的台面。台面具有设置在底台面部分上的顶台面部分。顶台面部分具有比底台面部分的宽度窄的宽度。邻接该台面的垂直沟槽具有顶沟槽部分和底沟槽部分。顶沟槽部分具有比底沟槽部分的宽度宽的宽度。电介质设置在垂直沟槽的侧壁上。设置在顶沟槽部分中的栅极电极在顶台面部分中形成累积沟道区，并且设置在底沟槽部分中的屏蔽电极在底台面部分中形成耗尽漂移区。
垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管

[发明专利]纵向沟槽栅设备中的击穿电压提升-CN202211240052.7在审
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;索维克·乔杜里 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一般方面，纵向晶体管可以包括第一导电类型的半导体区域，以及多个垂直相交的沟槽，该沟槽具有布置在其中的纵向晶体管的屏蔽栅结构。半导体区域的台面可以由多个垂直相交的沟槽限定。台面可以包括具有第一导电类型的第一掺杂浓度的近端部、具有第一导电类型的第一掺杂浓度的远端部、以及布置在近端部与远端部之间的中心部。该中心部可以具有第一导电类型的小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
纵向沟槽设备中的击穿电压提升

[发明专利]包括晶体管和缓冲器的电路、以及半导体器件-CN202210691537.1在审
发明人：迪安·E·普罗布斯特;J·A·叶迪纳克;B·帕德玛纳伯翰;P·A·伯克;杰弗里·A·尼尔斯;阿肖克·沙拉 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本申请涉及包括晶体管和缓冲器的电路、以及半导体器件。在一些方面，本文描述的技术涉及一种电路，该电路包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，包括栅极、源极和漏极；以及缓冲电路，耦接在漏极和源极之间，缓冲电路包括：二极管，具有阴极和阳极，阴极与漏极耦接；电容器，具有与阳极耦接的第一端子以及与源极耦接的第二端子；和电阻器，具有与阳极和电容器的第一端子耦接的第一端子以及与源极耦接的第二端子。
包括晶体管缓冲器电路以及半导体器件

[发明专利]电子器件-CN202010086093.X在审
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;Z·豪森;唐纳德·扎里姆巴;戈登·M·格里芙尼亚;亚历山大·杨 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种电子器件，该电子器件具有用于供应栅极电压的栅电极、源极、漏极和沟道，该沟道被掺杂为在电压被施加至栅电极时使得电流能够从漏极流向源极。该电子器件还可以包括处于沟道和栅电极之间的栅极绝缘体。该栅极绝缘体可以包括具有第一厚度的第一栅极绝缘体区段和具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘体区段。栅极绝缘体区段由此通过使电流能够在比第一栅极绝缘体区段低的电压上流过第二栅极绝缘体区段而改善了安全操作区域。
电子器件

[实用新型]电子器件-CN201821353095.5有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;E·M·莱恩翰;K·K·黄;Z·豪森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子器件。所述电子器件可包括具有栅极电极、第一部分和第二部分的晶体管，其中沿着所述栅极电极，所述晶体管的所述第一部分具有第一栅极‑漏极电容和第一栅极‑源极电容，所述晶体管的所述第二部分具有第二栅极‑漏极电容和第二栅极‑源极电容，并且所述第一栅极‑漏极电容与所述第一栅极‑源极电容之比小于所述第二栅极‑漏极电容与所述第二栅极‑源极电容之比。
源极电容电容漏极电子器件晶体管栅极电极

[发明专利]高电子迁移率的半导体器件及其方法-CN201410172703.2有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·温卡特拉曼;小J·M·帕西;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及高电子迁移率的半导体器件及其方法。在一个实施例中，III族‑氮化物材料用于形成半导体器件。鳍形结构用III族‑氮化物材料形成，且以与鳍形结构分离的关系形成栅结构、源电极和漏电极。该鳍形结构提供极化和半极化的2DEG区域两者。在一个实施例中，栅结构配置为控制极化的2DEG区域中的电流。屏蔽导体层被包括在栅结构上方并与半导体器件的漏区处于分离关系。
半导体器件鳍形结构极化栅结构氮化物材料电子迁移率分离关系屏蔽导体漏电极源电极漏区配置

[实用新型]电路-CN201720873101.9有效
发明人： J·罗伊格-吉塔特;B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型题为“电路”。电路可包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括源极和栅极；第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极和栅极，其中所述第一晶体管的所述源极耦接到所述第二晶体管的所述漏极；和可切换元件，所述可切换元件具有耦接到所述第一晶体管或所述第二晶体管的所述栅极的端子。在具体实施方案中，所述电路可为共源共栅电路。本实用新型所实现的技术效果是提供改进的电路。本实用新型要解决的问题是针对包括一对串联连接晶体管的电路来改进对作为时间的函数的漏极到源极电压的控制。
晶体管电路本实用新型漏极可切换元件源极串联连接晶体管共源共栅电路技术效果源极电压改进

[实用新型]电子器件-CN201721068747.6有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子器件。该电子器件可包括双向JFET，其可包括漏极/源极区、覆盖漏极/源极区的轻掺杂半导体层、覆盖轻掺杂半导体层的源极/漏极区、延伸穿过源极/漏极区并进入轻掺杂半导体层中的沟槽、位于沟槽内的双向JFET的栅极电极，以及位于沟槽内的场电极。本实用新型所要解决的问题是获得包括具有低导通状态电阻和良好的漏极‑源极击穿电压的双向结型场效应晶体管的电子器件。本实用新型实现的技术效果是提供具有低导通状态电阻和良好的漏极‑源极击穿电压的双向结型场效应晶体管。
电子器件漏极轻掺杂半导体层本实用新型结型场效应晶体管导通状态电阻源极/漏极区击穿电压源极区源极技术效果延伸穿过栅极电极场电极覆盖

[实用新型]半导体组件-CN201620778055.X有效
发明人： P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及半导体组件。要解决的一个技术问题是提供改进的半导体组件。所述种半导体组件包括支撑件，所述支撑件具有第一器件接纳结构、第二器件接纳结构、第一引线、第二引线和第三引线；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片接合至所述第一器件接纳结构；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片电耦接至所述第一半导体芯片以及电耦接至所述第二器件接纳结构；第一电互连，所述第一电互连耦接在所述第一半导体器件的所述栅极接合焊盘与所述第一引线之间；以及第二电互连，所述第二电互连耦接在所述第一半导体芯片的所述源极接合焊盘与所述第三引线之间。通过本实用新型，可以获得改进的半导体组件。
半导体组件

[发明专利]制造具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件的方法-CN201310173956.7有效
发明人： Z·豪森;G·M·格里弗纳;D·B·巴伯;P·麦克格拉斯;B·帕德玛纳伯翰;P·温卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及制造具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件的方法。在一种实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括形成沟槽以及沿着沟槽的表面的电介质层。屏蔽电极形成于沟槽的下部内，并且电介质层被从沟槽的上侧壁表面去除。栅极电介质层沿着沟槽的上表面来形成。抗氧化间隔物沿着栅极电介质层而形成。其后，多晶间电介质层使用局部氧化来形成于屏蔽电极之上。氧化步骤增加了栅极电介质层的下部的厚度。抗氧化间隔物在形成邻接于栅极电介质层的栅电极之前去除。
制造具有屏蔽电极结构绝缘半导体器件方法

[实用新型]半导体构件-CN201620780192.7有效
发明人： P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;A·萨利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体构件，包含具有表面和与其集成于一体且从其延伸出的第一引线的支撑体；与支撑体相邻且与其电隔离的第二引线；具有第一和第二部分且接合于支撑体的基板；具有第一和第二表面的第一芯片，第一、第二和第三焊盘分别从第一表面的第一、第二和第三部分延伸出，第二表面接合于第一部分，第一芯片由III‑N半导体材料配置；具有第一和第二端的第一互连，第一互连的第一和第二端分别耦接于第一焊盘和第二部分；与第一互连的第二端接合的第二芯片；具有第一和第二端的第二互连，第二互连的第一和第二端分别与第二引线和第二芯片耦接。解决的一个技术问题是防止半导体构件的成本和寄生效应增加，一个技术效果是减小其成本和寄生效应。
半导体构件

[实用新型]半导体元件-CN201620778058.3有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;A·萨利赫;刘春利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体元件。根据一种实施例，半导体元件具有与硅基半导体器件连接的基于化合物半导体材料的半导体器件以及保护部件，其中该硅基半导体器件是晶体管。保护部件并联耦接于硅基半导体器件两端并且可以是电阻器、二极管或晶体管。根据另一种实施例，硅基半导体器件是二极管。化合物半导体材料可以用短路部件与电位源(例如，地线)短接。
半导体元件

[实用新型]半导体组件及屏蔽栅极半导体组件-CN201620788144.2有效
发明人： P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体组件及屏蔽栅极半导体组件。一种被配置成操作在雪崩中的屏蔽栅极半导体组件包括具有第一导电性类型并且具有第一和第二主表面的半导体材料；从第一导电性类型的半导体材料形成的多个台面结构，所述多个台面结构当中的第一台面结构具有第一宽度并且所述多个台面结构当中的第二台面结构具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度；从所述多个台面结构当中的第一台面结构和第一沟槽的一部分形成的屏蔽栅极半导体器件，其中所述屏蔽栅极半导体器件包括处于第一台面结构与第二台面结构之间的第一屏蔽栅极结构；所述多个台面结构当中的第二台面结构中的第一箝位结构；以及邻近第二台面结构的第一屏蔽结构。
半导体组件屏蔽栅极

[实用新型]半导体组件-CN201620778056.4有效
发明人： P·温卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本公开涉及半导体组件。根据实施例，具有至少第一和第二端子的半导体组件包括支撑件，具有第一和第二器件容纳部分、器件互连部分、第一和第二引线，第一和第二引线与器件互连部分一体形成并从器件互连部分延伸；第三引线，邻近第一和第二器件容纳部分并与第一和第二器件容纳部分电气地隔离；以及第一半导体器件，具有第一和第二表面，第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，第一接合焊盘耦合至第一器件容纳部分，第二接合焊盘耦合至第二器件容纳部分，第三接合焊盘耦合至器件互连部分，第一半导体器件由III‑N族半导体材料配置。可以提供改进的半导体组件。
半导体组件

[实用新型]半导体构件-CN201620778057.9有效
发明人：刘明焦;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体构件，该半导体构件包含具有器件容纳区、一个或多个引线框引线以及键合于器件容纳区的第一部分的至少一个绝缘金属基板的引线框。第一半导体器件被安装于第一绝缘金属基板，第一半导体器件由III‑N半导体材料配置成。第一电互连件耦接于第一半导体器件的第一载流端子与管芯容纳区的第二部分之间。本实用新型的一个方面的目的是提供一种级联半导体器件。本实用新型的一个方面的技术效果在于所提供的级联半导体器件实现起来具有成本效益。
半导体构件

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