“B·帕德玛纳伯翰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果32个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]电子器件-CN201320347145.X有效
发明人： J·塞勒斯;B·帕德玛纳伯翰 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件。本实用新型要解决的技术问题之一是提供性能得到改进的电子器件。提供一种包括晶体管结构的电子器件，所述电子器件包括：覆盖在衬底之上并且具有主表面的图案化的半导体层，其中所述图案化的半导体层限定从所述主表面向所述衬底延伸的第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中的第一导电结构；在所述第一沟槽中并且覆盖在所述第一导电结构之上的栅极电极；在所述第二沟槽中的第一绝缘元件；以及在所述第二沟槽中的第二导电结构。本实用新型可被用于电子器件。通过本实用新型，可以获得性能获得提高的电子器件。
电子器件

[发明专利]制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构-CN201210141165.1有效
发明人： P·A·伯克;G·M·格里瓦纳;B·帕德玛纳伯翰;P·温卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构。在一个实施方案中，一种垂直型绝缘栅极场效应管包括形成于半导体材料内沟槽结构中的屏蔽电极。藉由使用栅极绝缘层，栅极电极与所述半导体材料隔离开。在形成所述屏蔽电极之前，可使用间隔层来沿着所述沟槽结构的部分形成屏蔽绝缘层。所述屏蔽绝缘层比所述栅极绝缘层厚。在另一个实施方案中，所述屏蔽绝缘层具有变化的厚度。
制造绝缘栅极半导体装置方法结构