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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]充气系统的电磁阀-CN201810149416.8有效
发明人： P.P.约翰;A.K.阿加瓦尔;J.马西拉姆尼 -专利权人：古德里奇公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： F16K31/06 文献下载
摘要：本文提供了一种操作充气系统的方法。所述方法包括：识别充气系统被用户激活或致动；向所述充气系统的电磁阀的电磁体供应电流，使得所述电磁阀的电枢‑阀元件移动到打开位置，其中所述电枢阀元件向所述打开位置移动致动致动器壳体，所述致动器壳体继而导致所述充气系统的阀壳体的常闭阀元件打开；以及一旦所述致动器壳体被致动，便停止向所述电磁体供应电流。
充气系统电磁阀

[发明专利]采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构-CN201711040565.2有效
发明人： J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔莫尔;S.艾伦 -专利权人：科锐
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构。一种边缘终端结构的元件（诸如多个同心保护环）是漂移层中的有效掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成其中将形成所述边缘终端结构的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的这些区域被掺杂以形成相应的边缘终端元件。
采用用于边缘终端元件凹处结构

[发明专利]用于碳化硅器件的扩散结终端结构及制造并入其的碳化硅器件的方法-CN201710224291.6有效
发明人：张清纯;A.K.阿加瓦尔;T.S.苏达尚;A.波罗特尼科夫 -专利权人：克里公司;南卡罗来纳州大学
申请日： 2010-03-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：一种电子器件包括碳化硅层，该碳化硅层具有第一传导类型及邻近碳化硅层表面的主结，和位于碳化硅层邻近主结的表面的结终端区域。结终端区域中的电荷随着距主结的横向距离而减少，并且结终端区域中的最大电荷可少于大约2×1014cm‑2。
用于碳化硅器件扩散终端结构制造并入方法

[发明专利]用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法-CN201710685897.X有效
发明人： S.达;L.程;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔穆尔;E.马基;J.古尔加努斯;D.J.利希滕瓦尔纳 -专利权人：科锐
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请涉及用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法。本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。
用于制造沟道迁移率增强半导体器件湿法化学

[发明专利]用于降低的电流拥挤的双极性结型晶体管结构及制造其的方法-CN201280061214.9有效
发明人： L.程;A.K.阿加瓦尔;S-H.刘 -专利权人：科锐
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本公开内容涉及相对于常规BJT在改善电流增益的同时显著降低电流拥挤的双极性结型晶体管（BJT）结构。BJT包括集电极、基极区、和发射极。所述基极区被形成在所述集电极上方并包括至少一个外基区并包括内基区，所述内基区在所述至少一个外基区之上延伸以提供台式晶体管。所述发射极被形成在所述台式晶体管上方。BJT可以由各种材料体系形成，诸如碳化硅（SiC）材料体系。在一个实施例中，发射极在台式晶体管上方形成，使得实质上没有发射极在外基区上方形成。通常，但不必须，内基区直接横向邻接至少一个外基区。
用于降低电流拥挤极性晶体管结构制造方法

[发明专利]带有锯切割通道的模制流体流动结构-CN201380076073.2有效
发明人：陈健华;M.W.坎比;A.K.阿加瓦尔 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种流体流动结构包括嵌入模制件中的微型装置。流体供给孔穿过所述微型装置形成，并且锯限定的流体通道被切割穿过所述模制件以将所述流体供给孔与所述通道流体联接。
带有切割通道流体流动结构

[发明专利]模制流体流动结构-CN201380076066.2有效
发明人：陈健华;M.W.坎比;A.K.阿加瓦尔 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：在一个示例中，一种用于制造微型装置结构的过程包括在材料的一体化主体中模制微型装置；以及在主体中形成流体流动通路，流体能穿过该流体流动通路直接流至微型装置。
流体流动结构

[发明专利]用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法-CN201280041907.1有效
发明人： S.达;L.程;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔穆尔;E.马基;J.古尔加努斯;D.J.利希滕瓦尔纳 -专利权人：科锐
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。
用于制造沟道迁移率增强半导体器件湿法化学

[发明专利]以负斜角封端的具有高阻断电压的碳化硅器件-CN201280035253.1有效
发明人： Q.张;C.卡佩尔;A.K.阿加瓦尔;S-H.刘 -专利权人：科锐
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了用于碳化硅（SiC）半导体器件的负斜角边缘终端。在一个实施例中，负斜角边缘终端包括以期望的斜度接近于平滑负斜角边缘终端的多个台阶。更具体地，在一个实施例中，负斜角边缘终端包括至少五个台阶、至少十个台阶或至少15个台阶。在一个实施例中，期望的斜度小于或等于十五度。在一个实施例中，负斜角边缘终端导致半导体器件的阻断电压为至少10千伏（kV）或至少12 kV。半导体器件优选地但不一定是诸如功率晶闸管之类的晶闸管、双极性结型晶体管（BJT）、绝缘栅双极性晶体管（IGBT）、U沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（UMOSFET）或PIN二极管。
斜角具有阻断电压碳化硅器件

[发明专利]垂直功率晶体管器件-CN201480044619.0在审
发明人： V.帕拉;A.K.阿加瓦尔;L.程;D.J.利奇滕瓦尔纳;J.W.帕尔摩尔 -专利权人：科锐
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括衬底、衬底之上的漂移层和漂移层之上的扩展层。扩展层包括通过结型栅极场效应（JFET）区分离的结型注入物对。栅极氧化物层在扩展层的顶上。栅极触点在栅极氧化物层的顶上。源极触点的每个源极触点在与栅极氧化物层和栅极触点分离的扩展层的部分上。漏极触点在与漂移层相对的衬底的表面上。
垂直功率晶体管器件

[发明专利]采用用于结势垒阵列的元件的凹处的肖特基二极管-CN201280044079.7在审
发明人： J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔莫尔;S.艾伦 -专利权人：科锐
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本公开一般地涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底之上所提供的漂移层和在所述衬底的活性区域之上所提供的肖特基层。结势垒阵列被提供在正好在所述肖特基层下方的漂移层中。所述结势垒阵列的元件通常是漂移层中的掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成在其中将形成所述结势垒阵列的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的区域被掺杂以形成所述结势垒阵列的相应元件。
采用用于结势垒阵列元件凹处肖特基二极管

[发明专利]包括具有改进布局的晶体管的高电流密度功率模块-CN201280055081.4在审
发明人： J.P.亨宁;Q.张;S-H.柳;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔摩尔;S.艾伦 -专利权人：科锐
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了功率模块，所述功率模块包括具有内室的外壳，其中，多个开关模块被安装在内室内。开关模块包括被互连以促进切换负载的功率的多个晶体管和二极管。在一些实施例中，晶体管的布局导致减小的源接触电阻。在一个实施例中，开关模块中的至少一个支持至少每cm²10安培的电流密度。
包括具有改进布局晶体管电流密度功率模块

[发明专利]肖特基二极管-CN201280044080.X有效
发明人： J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔摩尔;S.艾伦 -专利权人：科锐
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明总体上涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底上所提供的漂移层和在所述漂移层的有源区域上所提供的肖特基层。选择用于所述肖特基层的金属以及用于所述漂移层的半导体材料，用以在所述漂移层和所述肖特基层之间提供低位垒高度肖特基结。
肖特基二极管

[发明专利]采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构-CN201280044076.3在审
发明人： J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔莫尔;S.艾伦 -专利权人：科锐
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种边缘终端结构的元件（诸如多个同心保护环）是漂移层中的有效掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成其中将形成所述边缘终端结构的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的这些区域被掺杂以形成相应的边缘终端元件。
采用用于边缘终端元件凹处结构

[发明专利]用于碳化硅器件的边缘终端结构和制造包含该结构的碳化硅器件的方法-CN201210265808.3无效
发明人：柳世衡;A.K.阿加瓦尔;A.沃德 -专利权人：克里公司
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种用于碳化硅半导体器件的边缘终端结构，包括：位于碳化硅层中的多个间隔的同心浮置保护环（34），该浮置保护环至少部分围绕基于碳化硅的结；该浮置保护环上的绝缘层；以及位于该浮置保护环之间并且与该绝缘层相邻的碳化硅表面电荷补偿区（38）。在该碳化硅层上有氮化硅层（56），并且在该氮化硅层上有一有机保护层（66）。在该氮化硅层和碳化硅层表面之间可以有氧化物。同时还公开了形成边缘终端结构的方法。
用于碳化硅器件边缘终端结构制造包含方法

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