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[发明专利]极高功率激光腔光学改进-CN201410266999.4有效
发明人：叶红;R·洛奇斯基;R·A·伯格斯泰德;A·I·叶尔绍夫;L·刘;J·W·维尔泰拉;R·H·劳;R·F·齐布尔斯基;T·P·杜斐;D·J·W·布朗;J·J·法瑞尔 -专利权人：西默有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01S3/034 文献下载
摘要：本申请涉及极高功率激光腔光学改进。所揭示的主题的一个方面包括一种用于减小光束反向器棱镜的激光吸收的方法，包括下列至少一项：增加第一入射点和经倒角的角落之间的第一距离，其中第一入射点在棱镜的第一反射表面上，并且在棱镜的第一反射表面和第二反射表面之间形成经倒角的角落，其中经倒角的角落具有经倒角的表面；增加第二入射点和经倒角的角落之间的第二距离，其中第二入射点在棱镜的第二反射表面上；以及增加棱镜的经倒角的角落的经倒角的表面的反射率。还揭示了一种为光学部件确定最佳切割的方法。还揭示了包括至少一个最佳切割光学部件的激光器。
倒角棱镜反射表面入射点高功率激光光学部件切割光束反向器激光吸收激光器反射率减小改进申请

[发明专利]苛刻环境的光学元件保护-CN201380051709.8有效
发明人： A·I·叶尔绍夫;N·R·鲍尔林;B·拉方丹;S·德地 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：用于保护光学元件，特别是反射性光学元件免于在苛刻环境(例如，EUV光源的真空室内的环境)中使它们光学性质劣化的光学元件保护系统。系统包括在各层中使用材料的组合，其中对材料进行选择并对层进行配置和布置，以延长光学元件的寿命而不损害其光学性质。
苛刻环境光学元件保护

[发明专利]激光产生的等离子体EUV光源-CN201180013023.0有效
发明人： G·O·瓦斯恩冦;A·I·叶尔绍夫;R·L·桑德斯特伦 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：在此公开一种可以包括等离子体产生系统的设备，该等离子体产生系统包括靶材料液滴源和产生在辐射区域辐射液滴的光束的激光器，等离子体产生EUV辐射，其中，液滴源包括离开小孔的流体以及在流体中产生扰动的子系统，该子系统产生具有不同初始速率的液滴，当液滴行进到辐射区域时引起在至少一些相邻液滴之间的间距减少。
激光产生等离子体 euv 光源

[发明专利]用于EUV光源的集光器-CN201110094574.6无效
发明人： W·N·帕特洛;J·M·阿尔哥特斯;G·M·布卢门施托克;N·鲍尔林;A·I·叶尔绍夫;I·V·福缅科夫;X·J·潘 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：揭示一种从EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法与设备，反射表面含第一材料，碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。该系统与方法包括一受控的溅射离子源，该溅射离子源包括含溅射离子材料原子的气体；和一把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构，电离态被选成具有围绕选定能量峰的分布，对第二材料具有高的溅射概率，而对第一材料具有极低的溅射概率。激发机构包括一RF或微波感应机构。气体保持于部分决定选定能量峰的压力，激发机构产生溅射离子材料的离子流入量，从反射器表面形成第二材料的原子溅射密度，它等于或超过第二材料等离子体碎片原子的流入速率。对指定的反射表面期望寿命选择溅射速率。反射表面可被覆盖。集光器包括椭圆镜与包含径向延伸沟道的碎片屏。第一材料是钼，第二材料为锂，离子材料为氦，系统具有从反射表面蒸发第二材料的加热器，激发机构在点火时刻之间连接反射表面，反射表面有阻挡层。集光器是组合了掠入射角反射器壳体的球面镜，通过对反射器壳体上的多层堆选用层材料，壳体可用作光谱滤波器。溅射可结合加热，后者去除锂，前者去除锂化合物，可用等离子体生成的离子作溅射而不用受激的气体原子。
用于 euv 光源集光器

[发明专利]极高功率激光腔光学改进-CN200980142529.4有效
发明人：叶红;R·洛奇斯基;R·A·伯格斯泰德;A·I·叶尔绍夫;L·刘;J·W·维尔泰拉;R·H·劳;R·F·齐布尔斯基;T·P·杜斐;D·J·W·布朗;J·J·法瑞尔 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：所揭示的主题的一个方面包括一种用于减小光束反向器棱镜的激光吸收的方法，包括下列至少一项：增加第一入射点和经倒角的角落之间的第一距离，其中第一入射点在棱镜的第一反射表面上，并且在棱镜的第一反射表面和第二反射表面之间形成经倒角的角落，其中经倒角的角落具有经倒角的表面；增加第二入射点和经倒角的角落之间的第二距离，其中第二入射点在棱镜的第二反射表面上；以及增加棱镜的经倒角的角落的经倒角的表面的反射率。还揭示了一种为光学部件确定最佳切割的方法。还揭示了包括至少一个最佳切割光学部件的激光器。
极高功率激光光学改进

[发明专利]用于在激光致等离子体EUV光源中输送靶材料的系统和方法-CN200980109891.1有效
发明人： G·O·瓦斯恩寇;A·N·贝卡诺弗;N·R·鲍尔林;D·C·勃兰特;A·I·叶尔绍夫;R·D·西蒙斯;O·V·霍迪金;I·V·福缅科夫 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：公开了多个设备，这些设备可包括EUV反射光学装置，该光学装置具有限定旋转轴和圆形外围的旋转表面。该光学装置可被定位成使其轴相对于水平面以非零角度倾斜，并在水平面中建立该外围的垂直投影，且该外围投影在水平面中约束一区域。该设备可进一步包括输送靶材料的系统，该系统具有位于水平面中且在由该外围投影所约束的区域之外的靶材料释放点，以及产生激光束以辐照该靶材料以产生EUV发射的系统。
用于激光等离子体 euv 光源输送材料系统方法

[发明专利]用于激光致等离子体EUV光源的气体管理系统-CN200880105195.9有效
发明人： A·N·贝卡诺弗;A·I·叶尔绍夫;I·V·福缅科夫;D·C·勃兰特 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G21G4/00 文献下载
摘要：本文记载设备及其相应使用方法，该设备可包括界定闭环流体路径的密封结构以及在等离子体场所产生等离子体的系统，例如激光致等离子体系统，其中等离子体场所可与流体路径流体连通。对该设备而言，可将气体设置在可包含离子止动缓冲气和/或腐蚀剂的密封结构中。可提供泵以强制气体通过闭环流体路径。可提供从在流体路径中的流动的气体去除热量的一个或多个热交换器。在一些配置中，可使用过滤器从在流体路径中流动的气体中去除至少一部分靶核素。
用于激光等离子体 euv 光源气体管理系统

[发明专利]用于EUV光源的集光器-CN200480009342.4无效
发明人： W·N·帕特洛;J·M·阿尔哥特斯;G·M·布卢门施托克;N·鲍尔林;A·I·叶尔绍夫;I·V·福缅科夫;X·J·潘 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： A61N5/00 文献下载
摘要：揭示一种从EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法与设备，反射表面含第一材料，碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。该系统与方法包括一受控的溅射离子源，该溅射离子源包括含溅射离子材料原子的气体；和一把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构，电离态被选成具有围绕选定能量峰的分布，对第二材料具有高的溅射概率，而对第一材料具有极低的溅射概率。激发机构包括一RF或微波感应机构。气体保持于部分决定选定能量峰的压力，激发机构产生溅射离子材料的离子流入量，从反射器表面形成第二材料的原子溅射密度，它等于或超过第二材料等离子体碎片原子的流入速率。对指定的反射表面期望寿命选择溅射速率。反射表面可被覆盖。集光器包括椭圆镜与包含径向延伸沟道的碎片屏。第一材料是钼，第二材料为锂，离子材料为氦，系统具有从反射表面蒸发第二材料的加热器，激发机构在点火时刻之间连接反射表面，反射表面有阻挡层。集光器是组合了掠入射角反射器壳体的球面镜，通过对反射器壳体上的多层堆选用层材料，壳体可用作光谱滤波器。溅射可结合加热，后者去除锂，前者去除锂化合物，可用等离子体生成的离子作溅射而不用受激的气体原子。
用于 euv 光源集光器

[发明专利]带有波长控制的注入种子的F2激光器-CN02807812.8无效
发明人： R·L·桑德斯特伦;R·M·内斯;W·N·帕特洛;A·I·叶尔绍夫;E·D·昂科尔斯;吴忠勋 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S3/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有两个激光器子系统的窄带激光器系统。第一激光器子系统(种子激光器)提供了非常窄带脉冲光束，它用于把种子注入第二激光器子系统(从属振荡器或功率放大器)，其中窄带脉冲种子光束被放大以产生窄带脉冲输出光束。脉冲电源(脉冲功率)对两个激光器子系统内的放电进行精确定时，使得这两个放电被适当同步。激光器气体包括F₂，其分压强低于约1％，缓冲气体由氦、氖或它们的组合组成。通过调整第一激光器子系统内下列参数的一个或多个而提供对输出光束中心波长的控制：总激光器气压、氦或氖的相对浓度、F₂分压强、激光器气体温度、放电电压和脉冲能量。
带有波长控制注入种子 f2 激光器

[发明专利]具有氦吹洗窄线装置的高功率气体放电激光器-CN00816396.0有效
发明人： W·N·帕特罗;R·L·桑德斯特罗姆;R·F·塞布尔斯基;I·V·弗门科夫;A·I·叶尔绍夫 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2000-11-22 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H01S3/22 文献下载
摘要：一种光栅基窄线装置用的氦气吹洗，用以使在高重复速率下产生高能激光束的窄线激光器中的热失真减至最少。申请者们业已表明，和先前技术中的氮吹洗相比，氦吹洗在性能上有明显的改进。在较佳实施例中氦气流对着光栅面(16)直接越过。在其他实施例中使吹洗气压降低以减小热气体层的光学影响。
具有氦吹洗窄线装功率气体放电激光器

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