专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体-CN201180035592.5无效
  • T·梅耶尔-弗里德里奇森;K·路透;A·埃尔施纳;M·哈里克 - 赫劳斯贵金属有限两和公司
  • 2011-07-19 - 2013-06-05 - C07D495/04
  • 本发明涉及通式(I)的化合物:其中Z为:-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基,n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C1-C22烷基;-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基,n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C5-C12环烷基;-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基,n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C6-C14芳基或选自噻吩基、吡咯基、呋喃基或吡啶基的杂芳基;-任选被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基,n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C7-C30芳烷基;或者-三烷基甲硅烷基R5R6R7Si,其中R5、R6、R7彼此独立地为相同或不同的C1-C18烷基。本发明还涉及一种半导体层、一种电子组件、一种制备电子组件的方法、可通过该方法获得的电子组件以及通式(I)化合物的用途。
  • 基于取代噻吩半导体
  • [发明专利]稳定化的噻吩衍生物-CN200910253042.5无效
  • K·鲁特;U·默克;K·沃索;A·埃尔施纳 - H.C.施塔克·克莱维奥斯有限责任公司
  • 2009-09-30 - 2013-03-27 - C08L65/00
  • 本发明涉及一种稳定化的噻吩衍生物,具体地涉及一种稳定化的单体组合物,其包括基于稳定化的单体组合物的总重量,至少50wt%的具有通式(I)的噻吩衍生物单体其中R1和R2相互独立地代表氢、任选被取代的C1-C20-烷基或C1-C20-烷氧基,其任选被1-5个氧原子和/或硫原子中断,或者共同地代表任选被取代的C1-C20-二氧亚烷基或者C6-C20的二氧亚芳基,和基于稳定化的单体组合物的总重量,0.001-10wt%的稳定剂。本发明同样涉及一种制造电容器的方法,通过该方法制造的电容器、所述稳定化的单体组合物的应用和所述稳定剂的应用。
  • 稳定噻吩衍生物

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