专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]对特征进行等离子体蚀刻的方法、由其形成的衬底及用于等离子体蚀刻的设备-CN202011153176.2在审
  • H·阿什拉夫;A·克鲁特;K·里德尔 - SPTS科技有限公司
  • 2020-10-26 - 2021-06-04 - H01L21/3065
  • 本发明的实施例涉及一种对特征进行等离子体蚀刻的方法、由其形成的衬底及用于等离子体蚀刻的设备,其中所述方法包括如下步骤:(a)提供上面形成有掩模的衬底,所述掩模具有开口,其中所述衬底由复合半导体材料形成;(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以穿过所述开口各向异性地蚀刻所述衬底以产生具有包括外围区域的底部表面的经部分形成特征;及(c)执行第二等离子体蚀刻步骤以穿过所述开口各向异性地蚀刻所述经部分形成特征的所述底部表面,同时将钝化材料沉积到所述掩模上以便减小所述开口的尺寸,其中所述开口的所述尺寸的所述减小导致所述外围区域的蚀刻的衰减,借此产生具有包括中央区域及边缘区域的底部表面的经完全形成特征,其中所述中央区域比所述经完全形成特征的所述底部表面的所述边缘区域深。
  • 特征进行等离子体蚀刻方法形成衬底用于设备

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