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[发明专利]用于配制润滑油组合物的添加剂浓缩物-CN201610866198.0有效
发明人： D·B·克拉克;S·奥伯罗伊;J·埃默特;A·W·杨 -专利权人：英菲诺姆国际有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C10M167/00 文献下载
摘要：润滑剂添加剂浓缩物，包含(i)分散剂，其是多胺和聚丁烯基琥珀酸酐的聚丁烯基琥珀酰亚胺反应产物，聚丁烯基琥珀酸酐经由烯马来化方法衍生自具有约1300至约2500道尔顿的数均分子量和至少约50％的末端乙烯叉基含量的聚丁烯和和马来酸酐；(ii)具有约300至约900mg KOH/g的总碱值的过碱性镁胶态清净剂；(iii)有机摩擦改进剂，选自C14‑C24烃的羟烷基烷基胺，C13‑C24烃的羟烷基烷基醚胺，衍生自具有C13‑C24烃基取代基的三乙醇胺的烷基酯胺，非碱性脂肪酰胺或它们的混合物；浓缩物中的(i)和(ii)的总质量％为约15至约50质量％；(i):(ii)的质量比为约1:1至约6:1；浓缩物含有约2质量％至约10质量％的(iii)；所述浓缩物的其余部分由基础油和除(i)、(ii)和(iii)以外的添加剂组成。
用于配制润滑油组合添加剂浓缩物

[发明专利]用于集成电路的颈缩互连熔丝结构-CN201480077847.8有效
发明人：陈占平;A·W·杨;S·郑;U·巴塔查里亚;C·H·华莱士 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种包括熔丝的互连熔丝结构以及制造这种结构的方法，该熔丝具有颈缩线段。由所施加的熔丝编程电压驱动的电流可以断开颈缩熔丝段以影响IC的操作。在实施例中，熔丝结构包括距中心互连线等距离的相邻互连线对。在其它实施例中，中心互连线以及相邻互连线至少其中之一包括横向宽度相差相同且互补的量的线段。在其它实施例中，中心互连线在颈缩线段的相对端部处被互连。在其它实施例中，利用间距减小基于间隔体的图案化工艺制造颈缩线段。
用于集成电路互连结构

[发明专利]锚固的互连件-CN201480076362.7有效
发明人： J·康;H·科塔里;C·C·蒙塔鲁;A·W·杨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：实施例包括一种半导体结构，包括：后端部分，该后端部分包括位于底部金属层与顶部金属层之间的多个金属层；顶部金属层包括具有第一侧壁表面和第二侧壁表面以及使侧壁表面彼此耦合的顶部表面的顶部金属层部分，其中，第一侧壁表面与第二侧壁表面相对；绝缘体层，该绝缘体层直接接触顶部表面；以及过孔，该过孔将接触凸块耦合至顶部金属层部分；其中，与耦合至后端部分的衬底正交的第一垂直轴与接触凸块、氮化物层、过孔、和顶部金属层部分相交。本文中描述了其它实施例。
锚固互连

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌-CN201811298090.1在审
发明人： A·W·杨;R·布雷恩;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点和更小集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括处于衬底上方的层间电介质(ILD)层中并由层间电介质层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线中的个体导电互连线具有低于ILD层的上表面的上表面。蚀刻停止层在ILD层和多个导电互连线上并与其共形，蚀刻停止层具有非平面上表面，该非平面上表面的最上部分在ILD层之上，并且该非平面上表面的最下部分在多个导电互连线之上。
导电互连上表面蚀刻停止层非平面高级集成电路集成电路结构结构制造形貌层间电介质层层间电介质衬底共形制造

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构-CN201811297815.5在审
发明人： A·W·杨;T·加尼;A·马德哈范;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物之上的第一和第二栅极电介质层。第一和第二栅极电极分别在第一和第二栅极电介质层之上，第一和第二栅极电极都具有带顶表面的绝缘帽。第一电介质间隔体与第一栅极电极的第一侧相邻。沟槽接触结构在与第一和第二电介质间隔体相邻的半导体源极或漏极区之上，沟槽接触结构包括导电结构上的绝缘帽，沟槽接触结构的绝缘帽具有与第一和第二栅极电极的绝缘帽大体上共面的顶表面。
栅极电极绝缘帽沟槽接触结构电介质间隔体高级集成电路集成电路结构栅极电介质层结构制造顶表面半导体源导电结构接触结构漏极区源栅极鳍状物制造

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的间距划分互连-CN201811298444.2在审
发明人： A·W·杨;A·马德哈范;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括处于ILD层中并由ILD层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线包括第一互连线、以及与第一互连线紧邻并具有与第一互连线的宽度不同的宽度的第二互连线。第三互连线与第二互连线紧邻。第四互连线与第三互连线紧邻并具有与第二互连线的宽度相同的宽度。第五互连线与第四互连线紧邻并具有与第一互连线的宽度相同的宽度。
互连线高级集成电路集成电路结构导电互连结构制造互连制造

[发明专利]包括与穿硅过孔组合的细间距单镶嵌后侧金属再分布线的3D互连结构-CN201180074419.6有效
发明人： K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：描述了3D互连结构及制造方法，其中金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)集成并使用单镶嵌型过程流程。氮化硅或碳化硅钝化层可设置在变薄的器件晶片后表面和RDL之间以在过程流程期间提供密封阻挡层和抛光停止层。
包括组合间距镶嵌金属再分布线互连结构

[发明专利]包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构-CN201180074420.9有效
发明人： K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。
包括结合使用镶嵌方案制造微细间距金属再分布线互连结构

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