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[发明专利]栅极间隔物图案化-CN202110776883.5在审
发明人：曾文德;P·莫林;A·P·彼得 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及栅极间隔物图案化，具体地，涉及一种用于在形成FinFET结构时保护栅极间隔物的方法(100)，所述方法包括：提供(110)鳍片(1)，其具有至少一个与鳍片(1)交叉的伪栅极(2)，其中栅极硬掩模(3)存在于伪栅极(2)的顶部；提供(120)栅极间隔物(4)以使得其覆盖伪栅极(2)和栅极硬掩模(3)；凹陷(140)栅极间隔物(4)以使得至少部分栅极硬掩模(3)被暴露出来；通过区域选择性沉积，在暴露的部分栅极硬掩模(3)上选择性地生长(150)额外封盖材料(5)。
栅极间隔图案

[发明专利]Si钝化的Ge栅极堆叠体-CN201911192022.1在审
发明人：有村拓晃;A·P·彼得;H·F·W·德克士 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在第一方面中，本发明涉及形成场效应晶体管的栅极堆叠体的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将Si封盖层(200)沉积在Ge通道材料(100)上；以及(b)通过等离子体增强沉积技术在200℃或更低的温度以及100W或更低、优选90W或更低的等离子体功率下，将氧化物层(300)沉积在Si封盖层(200)上。
si 钝化 ge 栅极堆叠