专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于填充和封闭铝容器的无菌设备-CN202310226552.3在审
  • A·保罗;C·路易吉;C·安德鲁 - GEA普罗科马克股份公司
  • 2023-03-09 - 2023-10-17 - B65B55/02
  • 一种用于填充和封闭铝容器(100)的无菌设备(1),该无菌设备(1)包括:‑填充单元(2),其包括第一室(20);‑至少一个传送星轮(3),其在填充单元(2)下游;‑封闭件放置站(30),其布置在传送星轮(3)的位于填充单元(2)旁边的第一区域上,该封闭件放置站(30)构造成将凹形封闭件(200)放置到每个容器(100)的口部(100a)上;‑封闭单元(4),其布置在传送星轮(3)下游并包括容纳封闭机器(41)的第二室(40),该封闭机器(41)构造成围绕对应的容器(100)的颈部(100b)施加每个凹形封闭件(200),其中第一室(20)处于第一压力,并且第二室(40)处于低于第一压力的第二压力。
  • 用于填充封闭容器无菌设备
  • [发明专利]存储器电路架构-CN202180079495.X在审
  • D·李;R·比拉达;B·马纳卡姆·维蒂尔;陈薄弘;A·保罗;S·松;S·库什瓦哈;R·R·彻科拉;D·扬 - 高通股份有限公司
  • 2021-12-08 - 2023-07-25 - G11C5/06
  • 一种半导体器件包括:具有多个象限的存储器电路,该多个象限被布置在存储器电路的拐角处并且围绕存储体控制组件;其中多个象限中的第一象限包括第一位单元核和输入输出电路的第一集合,输入输出电路的第一集合被配置为访问第一位单元核,第一象限由包围存储器电路的两个垂直的边缘的部分的矩形边界限定;其中多个象限中的第二象限包括第二位单元核和输入输出电路的第二集合,输入输出电路的第二集合被配置为访问第二位单元核,第二象限与第一象限相邻,其中第一象限与第二象限之间的界线限定第一轴线,第一象限和第二象限关于该第一轴线对称。
  • 存储器电路架构
  • [发明专利]大功率场效应晶体管(FET)-CN202180061765.4在审
  • A·保罗 - 高通股份有限公司
  • 2021-08-25 - 2023-05-12 - H01L29/78
  • 公开了用于制造的装置和相关方法。该装置包括场效应晶体管(FET)。该FET(100)具有:源极接触件(150),耦合到该本体层(120)中的源极注入物(155);漏极接触件(160),耦合到本体层中的漏极注入物;以及第一栅极(102),耦合到该源极接触件和该漏极接触件之间的该本体层中的晶体管沟道(115)。该FET还包括:第二栅极(104),耦合到该源极接触件和该漏极接触件之间的该本体层;该本体层中的漂移区(121),其中该第二栅极与该漂移区至少部分地重叠;以及resurf部分(106),部分地设置在该第一栅极之上和该第二栅极之上。
  • 大功率场效应晶体管fet
  • [发明专利]具有被监测的用于切换准直透镜的枢转单元的激光加工头-CN202180045378.1在审
  • A·胡贝尔;A·米利希;A·保罗;S·普夫吕格尔;D·韦埃斯 - 通快机床欧洲股份公司
  • 2021-06-24 - 2023-03-17 - B23K26/06
  • 一种激光加工头(30),其包括:‑用于沿着射束轴线(LA)传播的激光射束(5)的射束导向壳体(111);‑枢转单元(112),该枢转单元包括枢转轴(41)和枢转框架(6),该枢转框架刚性地固定在枢转轴(41)上并且布置在射束导向壳体(111)中;‑调节机构(34),借助该调节机构可以使枢转单元(112)相对于射束导向壳体(111)围绕枢转轴(41)旋转;‑至少两个准直透镜(2,9),所述准直透镜固定在枢转框架(6)上,并且所述准直透镜能够通过枢转单元(112)的旋转而选择性地被带到激光射束(5)的射束轴线(LA)中;‑以及在激光射束(5)的射束轴线(LA)中的至少一个聚焦透镜(102),其特征在于,激光加工头(30)具有监测装置(106),借助该监测装置可以测量枢转单元(112)的温度。本发明提供一种激光加工头,借助该激光加工头特别是可以提早识别出并且必要时防止在高的激光功率下在激光加工中的可能的不准确性或者激光加工头的可能的使用寿命缩短或损坏。
  • 具有监测用于切换透镜单元激光工头
  • [发明专利]轴接地元件-CN202210834717.0在审
  • A·保罗 - 卡科有限责任两合公司
  • 2022-07-05 - 2023-01-10 - H01R4/64
  • 本发明涉及一种轴接地元件,所述轴接地元件用于将感应产生的电压、电流或电荷从第一机器元件、优选从轴导出到第二机器元件中,所述轴接地元件具有导电的放电元件(1),所述放电元件设有接触面。所述放电元件构造成多层的,由此实现了,在紧凑地构成同时所述轴接地元件在长使用寿命期间具有最佳的放电特性。通过这种多层的构成增大了轴接地元件的接触表面。当基体至少部分地具有多孔的材料结构时,也可以实现接触面的表面增大,导电的涂层保持在所述材料结构上。与具有光滑上侧的基体相比,上侧的多孔性使得表面增大。导电的涂层特别好地附着在多孔的上侧上。
  • 接地元件
  • [发明专利]采用边缘晶体管电流泄漏抑制以减少FET电流泄漏的场效应晶体管(FET)-CN202180027839.2在审
  • A·保罗;M·马特罗比安 - 高通股份有限公司
  • 2021-03-25 - 2022-11-25 - H01L29/10
  • 公开了采用边缘晶体管电流泄漏抑制来减少FET电流泄漏的场效应晶体管(FET)和相关方法。FET(200)包括栅极,该栅极包括与半导体层边缘重叠以在边缘晶体管(208E(1)、208E(2))中形成延伸长度的边缘传导沟道的延伸长度的边缘栅极区域(202E(1)、202E(2))。以这种方式,边缘晶体管的阈值电压增加,从而减少了边缘晶体管的电流泄漏和FET的整体电流泄漏。在另一方面,为了使源极区域(S)或漏极区域(D)与FET的本体(214)短接而形成的本体连接注入物(212)在长度上延伸,以在边缘栅极区域的至少一部分下方形成本体连接注入物区域。以这种方式,边缘栅极区域的功函数在电压上增加,从而增加了边缘晶体管的阈值电压并且减少了边缘晶体管和FET的电流泄漏。
  • 采用边缘晶体管电流泄漏抑制减少fet场效应

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