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[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块-CN201721552715.3有效
发明人：匡珩;黄贞松 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本实用新型是TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，包括标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片，其中氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上，三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上，一个PIN二极管作为发射通道，其它二个PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路，接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道，开关电路的切换由硅驱动芯片实现。优点：1）一体化集成度高，通用性好，工作安全可靠；2）多芯片组装和裸芯片直接粘接加工，降低热阻，提升可靠性，降低使用成本。
低噪放芯片氮化铝基板驱动芯片砷化镓接收前端模块标准封装接收支路开关电路引线框一体化粘接本实用新型驱动发射通道工作安全接收通道开关元件直接粘接中心金属集成度多芯片高集成裸芯片衬底级连热阻串联组装加工

[发明专利]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块及其制备方法-CN201711155949.9在审
发明人：匡珩;黄贞松 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本发明是TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块及其制备方法，包括标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片，其中氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上，三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上，第一PIN二极管作为发射通道，第二PIN二极管和第三PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路，接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道，开关电路的切换由硅驱动芯片实现。优点1）一体化集成度高，通用性好，工作安全可靠；2）多芯片组装和裸芯片直接粘接加工，降低热阻，提升可靠性，降低使用成本。
tdd 开关驱动低噪放一体化接收前端模块及其制备方法

[实用新型]双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端-CN201620014323.0有效
发明人： 黄贞松;宋艳 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双通道大功率开关低噪放一体化接收前端，其结构是接收前端是双通道设计，其制备方法，包括：1）在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接两个氮化铝基板、两个砷化镓低噪放单片；2）在每个氮化铝基板上分别粘接一个大功率、两个中功率PIN二极管芯片；3）三个PIN二极管芯片与氮化铝基板、QFN6×6-40L标准封装引线框管脚间，氮化铝基板、砷化镓低噪放单片与QFN6×6-40L标准封装引线框管脚间均通过键合金丝连接。优点：有效减小了系统电路尺寸，工作安全可靠，满足系统接收通道增益放大，低噪声系数的要求，接收灵敏度高。集成度高成本低，性能优，使用便利。
双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端

[发明专利]双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端及制备方法-CN201610007677.7在审
发明人： 黄贞松;宋艳 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端及其制备方法，其结构是接收前端是双通道设计，其制备方法，包括：1）在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接两个氮化铝基板、两个砷化镓低噪放单片；2）在每个氮化铝基板上分别粘接一个大功率、两个中功率PIN二极管芯片；3）三个PIN二极管芯片与氮化铝基板、QFN6×6-40L标准封装引线框管脚间，氮化铝基板、砷化镓低噪放单片与QFN6×6-40L标准封装引线框管脚间均通过键合金丝连接。优点：有效减小了系统电路尺寸，工作安全可靠，满足系统接收通道增益放大，低噪声系数的要求，接收灵敏度高。集成度高成本低，性能优，使用便利。
双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端制备方法

[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端-CN201320688635.6有效
发明人： 黄贞松;许庆;宋艳 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端，其结构是发射通道采用一个PIN二极管，接收支路采用两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路，在接收支路后连接两个砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道。接收前端氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上构成收发开关切换电路，二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间以及上述芯片与标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接。设计满足规模生产的标准封装，具有集成度高，成本低，性能优，一致性好，使用便利等优点。
tdd 开关驱动低噪放一体化接收前端

[发明专利]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端及其制备方法-CN201310537228.X有效
发明人： 黄贞松;许庆;宋艳 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端及其制备方法，其结构是发射通道采用一个PIN二极管，接收支路采用两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路，在接收支路后连接两个砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道。接收前端氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上构成收发开关切换电路，二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间以及上述芯片与标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接。设计满足规模生产的标准封装，具有集成度高，成本低，性能优，一致性好，使用便利等优点。
tdd 开关驱动低噪放一体化接收前端及其制备方法

[实用新型]一种射频收发前端模块-CN201220219164.X有效
发明人：杨磊;黄贞松 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频收发前端模块，该模块采用QFN8×8-16L标准封装，在QFN8×8-16L标准封装引线框中心的金属衬底上设置有一个矩形的氮化铝基板、一个砷化镓低噪放芯片，所述砷化镓低噪放芯片分别与QFN8×8-16L标准封装的相应引脚连接；所述氮化铝基板表面上分别设置有五个相互隔离的金属涂覆层区域，金属涂覆层区域中的四个PIN二极管芯片两个芯片电容构成收发开关切换电路；其中一个芯片电容连接砷化镓低噪放芯片，构成接收通道。本实用新型满足TDD工作模式系统基站功放极大功率切换，工作安全可靠，同时具有接收灵敏度高、集成度高、成本低、性能优、使用便利等优点。
一种射频收发前端模块

[发明专利]一种射频收发前端模块及其制备方法-CN201210151162.6有效
发明人：杨磊;黄贞松 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频收发前端模块，该模块采用QFN8×8-16L标准封装，在QFN8×8-16L标准封装引线框中心的金属衬底上设置有一个矩形的氮化铝基板、一个砷化镓低噪放芯片，所述砷化镓低噪放芯片分别与QFN8×8-16L标准封装的相应引脚连接；所述氮化铝基板表面上分别设置有五个相互隔离的金属涂覆层区域，金属涂覆层区域中的四个PIN二极管芯片两个芯片电容构成收发开关切换电路；其中一个芯片电容连接砷化镓低噪放芯片，构成接收通道。本发明还公开了该模块的制备方法。本发明满足TDD工作模式系统基站功放极大功率切换，工作安全可靠，同时具有接收灵敏度高、集成度高、成本低、性能优、使用便利等优点。
一种射频收发前端模块及其制备方法

[发明专利]超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法-CN200910232878.7有效
发明人： 黄贞松;李剑群 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H04B7/005 文献下载
摘要：本发明是超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法，其结构在大功率开关的基础上集成低噪放芯片构成接收前端，两通道间切换控制由集成硅驱动芯片实现。制备方法：在高导热的RO4350基板上用银浆粘接AIN衬底、集成硅驱动芯片和PIN二极管芯片；AIN衬底上用银浆粘接大功率PIN二极管芯片；PIN二极管、集成硅驱动芯片与RO4350基板间用键合金丝连接；砷化镓低噪放集成电路芯片用银浆粘接在RO4350基板和ANT-RX通道上构成接收通路。优点：满足TD-SCDMA系统基站功放超大功率切换控制的长时间/极限条件下大功率工作条件，工作安全可靠。满足低噪声系数要求，接收灵敏度和集成度高，成本低，性能优。
超大功率噪声射频接收前端模块及其制备方法

[发明专利]非对称式的超大功率射频开关模块及其制备方法-CN200910183508.9有效
发明人： 黄贞松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01P1/15 文献下载
摘要：本发明是非对称式的超大功率射频开关模块及其制备方法，其结构是在ANT-TX与ANT-RX两个通道间形成两个不对称通道，两个通道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现。制备方法：在高导热的RO4350基板上用银浆粘接超高导热性能的AIN衬底、集成硅驱动芯片以及ANT-RX通道的两个PIN二极管芯片；在AIN衬底上用银浆粘接ANT-TX通道的大功率PIN二极管芯片；PIN二极管芯片、集成硅驱动芯片与RO4350基板间通过键合金丝连接。优点：满足TD-SCDMA及WIMAX系统基站功放超大功率切换控制的长时间/极限条件下的大功率工作条件，在射频功率大于35W条件下能安全可靠工作。集成度高，成本低，性能优。
对称超大功率射频开关模块及其制备方法

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