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[发明专利]一种基于数据预编码的SRAM架构-CN202110949200.1有效
发明人：贺雅娟;黄茂航;王梓霖;骆宏阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说涉及一种基于数据预编码的SRAM架构。本发明提出的一种基于数据预编码的SRAM架构，包括预编码模块和整体架构。所述SRAM架构通过将输入数据预先进行编码，然后再写入SRAM电路。本发明提出的一种SRAM架构虽然损失了部分精度，但却显著降低了功耗。本发明适用于有一定容忍度的场景。
一种基于数据预编 sram 架构

[发明专利]适用于差分SRAM存储单元的存算一体化存储阵列结构-CN202110872089.0有效
发明人：贺雅娟;王梓霖;黄茂航;骆宏阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说是涉及一种适用于差分SRAM存储单元的存算一体化存储阵列结构。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上将读写位线分为BL、BLB和RBL、RBLB两组，并且增加两根读字线RWL和RWLB加载反相输入信号，从而实现了在SRAM存储阵列内进行二值点积运算。
适用于 sram 存储单元一体化阵列结构

[发明专利]一种低压下提升读写速度和稳定性的SRAM存储单元电路-CN202010679686.7有效
发明人：贺雅娟;黄茂航;吕嘉洵;王梓霖;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种低压下提升读写速度和稳定性的SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明是12管的SRAM存储单元电路，利用第三NMOS管打断整个反馈环使得第二PMOS管和第二NMOS管容易写入电压，当进行写操作时，第一写字线拉为高电平，第二写字线拉为低电平使第二NMOS管和第二PMOS管导通，第三NMOS管N3关断从而使反馈环打断，能够大幅提升SRAM存储单元电路的写能力；同时设置了第五PMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管构成读缓冲器结构，用来消除读干扰对SRAM存储单元电路的影响；因此本发明在提升写能力的同时不影响读稳定性，能够用于单端读写阵列结构，用以解决低压下单端结构带来的写能力降低的问题。
一种压下提升读写速度稳定性 sram 存储单元电路

[发明专利]一种能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路-CN201911082163.8有效
发明人：贺雅娟;吕嘉洵;黄茂航;吴晓清;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路，为9管结构，第六NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极和第一写字线，其漏极连接写位线，其源极连接第五NMOS管的漏极；第二NMOS管的栅极连接第三写字线，其漏极连接第五NMOS管的源极、第一PMOS管的漏极以及第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的栅极，其源极连接第一NMOS管的漏极；第二PMOS管的栅极连接第二写字线，其漏极连接第一PMOS管的源极，其源极连接第三PMOS管的源极和电源电压；第三NMOS管的漏极连接第三PMOS管的漏极、第一NMOS管和第一PMOS管的栅极，其源极连接第一NMOS管的源极和地；第四NMOS管的漏极连接读位线，源极连接读字线。本发明能提升SRAM存储单元的写能力并降低系统静态功耗，同时不影响读稳定性，尤其适用于低压应用。
一种能够实现压下读写稳定性 sram 存储单元电路

[发明专利]一种在低压下提升读写稳定性的单端8管SRAM存储单元电路-CN201910564527.X有效
发明人：贺雅娟;吕嘉洵;吴晓清;黄茂航;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一种在低压下提升读写稳定性的单端8管SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明通过设置第三NMOS管和第四NMOS管构成读缓冲器结构，用来消除读干扰对SRAM存储单元电路的影响；增加了第五NMOS管，当进行写操作时，字线开启使第六NMOS管导通，第五NMOS管关断，从而使存储点Q处于浮动状态，大幅提升SRAM存储单元电路的写1能力；另外通过增大第六NMOS管的尺寸能够提升SRAM存储单元电路写0的能力。本发明能够用于单端读写阵列结构，用以解决低压下单端结构带来的写能力降低的问题。
一种压下提升读写稳定性 sram 存储单元电路

[实用新型]一种自动化制锁挂具机的中间板-CN201820474463.5有效
发明人：齐新霞;周春英;贾琦;陈东林;朱伟华;郭泽鑫;成灿明;张广洪;韩润梅;詹婷婷;黄茂航;邓帮睿 -专利权人：北京理工大学珠海学院
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自动化制锁挂具机的中间板，属于制锁设备技术领域。目的是为实现把目前制锁用工件的单个上挂具优化设计成批量上挂，实现把制锁工件安全挂上挂料板并将电镀后的工件平安从挂料板取下的目标。自动化制锁挂具机的中间板，包括本体框架及压轴，所述本体框架为矩形框架，所述压轴为圆柱轴，所述压轴安装在本体框架内的长度方向上。本实用新型的中间板主要用于夹持或放松挂料板上的插头，以实现工件的批量上下挂料板，符合自动化操作的设计原则。突显了“自动化”主题，可以提高制锁行业生产效率，降低人力成本。
挂料板中间板自动化锁挂压轴本实用新型自动化操作矩形框架人力成本设计原则生产效率优化设计制锁设备插头圆柱轴电镀挂具夹持取下突显平安放松安全