专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于双模态光电器件的目标跟踪方法、装置、设备及介质-CN202310603290.8在审
  • 唐建石;黄河意;王钰言;高滨;钱鹤;吴华强 - 清华大学
  • 2023-05-25 - 2023-10-13 - G06T7/246
  • 本申请涉及一种基于双模态光电器件的目标跟踪方法、装置、设备及介质,双模态光电器件包括非易失性模态和易失性模态,包括:利用双模态光电器件的非易失性模态对待跟踪目标的像素区域进行模板记忆,得到待跟踪目标的模板;利用双模态光电器件的易失性模态提取待跟踪目标的动态视频图像,得到待跟踪目标的动态场景图像;对待跟踪目标的模板和待跟踪目标的动态场景图像进行相似度匹配,并根据相似度最大值对应的区域生成目标跟踪结果。由此,解决了相关技术中的目标定位由于传感器、存储器与处理器分离,导致信息传递时效性低,能耗高,制备工艺复杂等问题,降低了冗余的信息交换,提升处理时效性,并且简化了制备的工艺,利于多功能集成一体化。
  • 基于双模光电器件目标跟踪方法装置设备介质
  • [发明专利]基于全光电忆阻器的储备池系统的动作分类方法-CN202310603292.7在审
  • 唐建石;黄河意;梁向鹏;王钰言;高滨;钱鹤;吴华强 - 清华大学
  • 2023-05-25 - 2023-10-13 - G06V10/764
  • 本申请涉及人工智能技术领域,特别涉及一种基于全光电忆阻器的储备池系统的动作分类方法,该方法包括:获取目标人体至少一个部位的变化信号,将每个部位的变化信号转换为对应的光脉冲序列输入到处于动态光电模式的全光电忆阻器,得到至少一个高维信号,将至少一个高维信号通过全光电忆阻器的非易失性的线性输出层进行权重训练,得到不同输出节点对应的权重值,根据不同输出节点对应的权重值进行分类,得到目标人体的当前动作。由此,解决了储备池计算中需要配置两种不同硬件带来的架构与集成复杂度较高等问题,设计了一种具有多功能多模态的光电器件,不仅在同一硬件上实现储备池“感存算一体”任务,而且可以实现对视频动作的高精度分类。
  • 基于光电忆阻器储备系统动作分类方法
  • [发明专利]多功能光电忆阻器件及光电忆阻器件阵列的制备方法-CN202310603538.0在审
  • 唐建石;黄河意;王钰言;高滨;钱鹤;吴华强 - 清华大学
  • 2023-05-25 - 2023-09-12 - H10N70/20
  • 本申请涉及一种多功能光电忆阻器件及光电忆阻器件阵列的制备方法。多功能光电忆阻器件包括:由预设的涂层材料制成的底电极;设置于底电极上方的阻变层,用于形成导电细丝;设置于阻变层上方的过渡层,用于构建阻变层与过渡层之间的表面缺陷态,并提供满足预设计量条件的氧离子;设置于过渡层上方的上电极,对阻变层、过渡层和底电极进行保护。由此,通过将多功能光电忆阻器件制备到CMOS晶体管的源端,晶体管通过外围电路以及底部译码电路和互连线将128×8个光电忆阻器进行集成,解决了现阶段人工视觉系统所研究的光电器件层面功能单一,缺少大规模集成的问题,实现器件多功能多模态的融合,为感存算一体的实现提供硬件基础。
  • 多功能光电器件阵列制备方法
  • [发明专利]改变单晶钙钛矿氧化物薄膜材料电学性能的方法-CN202010331608.8在审
  • 黄河意;葛琛;金奎娟 - 中国科学院物理研究所
  • 2020-04-24 - 2021-10-26 - C30B33/02
  • 本发明提供一种改变单晶钙钛矿氧化物薄膜材料电学性能的方法,其包括如下步骤:将金属氢化物与待处理的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料置于石英玻璃管的不同位置处,然后将放置有金属氢化物与待处理的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料的石英玻璃管抽真空并密封,最后对密封的石英玻璃管进行退火处理,即得到电学性能改变的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料。由于本发明的方法采用固固反应改变单晶钙钛矿氧化物薄膜材料的电学性能,因此,本发明的方法既简单又清洁无污染。在本发明的方法中,通过调节退火温度和时间可以控制发生还原反应后的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料的电学性能。
  • 改变单晶钙钛矿氧化物薄膜材料电学性能方法

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