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[发明专利]一种核自旋纵弛豫时间测量方法-CN202010207436.3有效
发明人：秦杰;高溥泽;孙晓光;万双爱 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01R33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种核自旋纵弛豫时间测量方法，该方法包括：调整原子气室的温度，设置三维磁线圈对原子气室施加磁场；设置检测激光沿x方向通过原子气室，对通过原子气室的检测激光进行信号处理并采集处理后的信号，设置驱动激光沿z方向射入原子气室；阻断驱动激光的抽运光路直至核自旋完全退极化；恢复驱动激光的抽运光路，并同步保存采集的信号和抽运时间直至保存的信号的幅值稳定；对保存的信号进行分段处理，对每段信号分别进行傅里叶变换并计算每段信号对应的激励共振幅度，根据每段信号对应的激励共振幅度和抽运时间进行数据拟合以获取核自旋纵弛豫时间。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中核自旋纵弛豫时间测量效率低的技术问题。
一种自旋弛豫时间测量方法

[发明专利]一种气室核自旋弛豫测试装置-CN201610983411.6有效
发明人：秦杰;高溥泽;刘建丰;王春娥;田晓倩 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01C19/60 文献下载
摘要：本发明属于原子传陀螺技术领域，具体公开了一种气室核自旋弛豫测试装置，包括固定加热结构、光学结构、三维磁线圈和磁屏蔽桶，所述的固定加热结构设于三维磁线圈的中心，所述的三维磁线圈固定设于磁屏蔽桶内，且三维磁线圈的中心与磁屏蔽桶的中心重合，光学结构设于固定加热结构上；该结构兼容不同大小和形状的气室进行测试，更换气室简便；通过高导热材料(氮化硼)，使气室受热均匀，并使电加热片位置远离气室，从而使电加热对气室的干扰磁场大幅降低。
一种气室核自旋测试装置

[发明专利]一种原子气室内部温度简易标定方法-CN201710724485.2有效
发明人：秦杰;高溥泽;万双爱;牛光星;孙晓光;刘栋苏 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明属于标定方法，具体涉及一种原子气室内部温度简易标定方法。它包括：第一，选取气室，根据气室尺寸和标定温度范围，选取气压合适的气室进行温度标定；第二，测试，测量检测光出射和入射光功率之比；第三，对线偏振的检测光的频率进行选取和固定，第四，测试光强比，将气室加热并稳定在待标定的温度点，通入线偏振检测激光，测试出射光强与入射光强之比；第五，计算碱金属密度，计算碱金属密度n，第六，推算气室内部温度，利用碱金属密度n与气室内部温度T的通用公式，推算气室内部温度T。本发明的有益效果是：为系统测试提供有效气室内部温度参数；测试方便。
一种原子内部温度简易标定方法

[发明专利]一种抑制磁场的电加热片及设计方法-CN201410571687.4有效
发明人：郑辛;韩文法;汪世林;秦杰;高溥泽;王宇虹;孙晓光;杨磊 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于量子传感器件技术领域，具体涉及一种抑制磁场的电加热片及设计方法。本发明需要解决的技术问题为：现有的核磁共振陀螺仪用电加热片会产生强的无关磁场的问题。本发明的一种抑制磁场的电加热片，包括绝缘层和加热元件，所述加热元件通过胶粘剂高温压合粘结于绝缘层之间，所述加热元件为两段加热导体条在平面内反复折回环绕构成的消磁结构，此外本发明还提供了所述电加热片的设计方法。本发明抑制磁场的电加热片，电加热片通过合理的加热导体的排布，首先实现单层上电流的偶磁极矩消磁效果，在通过双层或者多层结构进一步消磁，实现在电加热片的近场磁场控制在极低的水平。
一种抑制磁场加热设计方法

[发明专利]一种磁屏蔽环境下的高均匀区磁场线圈设计方法-CN201510738130.X有效
发明人：郑辛;王春娥;秦杰;汪世林;高溥泽 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种高均匀磁场线圈设计方法，特别是一种在磁屏蔽环境下的高均匀磁场线圈设计方法。该方法将毕奥沙法尔定律在自由边界条件下计算的磁场和有限元法建立磁屏蔽边界模型条件下计算的磁场的比值设为磁屏蔽边界对线圈磁场系数放大作用的等效增益系数，采用场路结合的方法，以线圈磁场变化率最小为目标对线圈参数进行优化设计，与现有的完全采用有限元方法进行设计的磁屏蔽边界下线圈设计方法相比，该方法可以得到均匀性更高的线圈结构参数，且该方法计算效率高，可行性高。
磁屏蔽均匀磁场线圈线圈磁场磁场线圈结构参数边界模型磁场线圈等效增益放大作用计算效率线圈参数优化设计自由边界变化率均匀区均匀性下线圈奥沙

[发明专利]一种大均匀区三维磁线圈及其制造方法-CN201410573456.7有效
发明人：郑辛;高溥泽;汪世林;秦杰;韩文法;杨磊;王宇虹;孙晓光 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01R33/34 文献下载
摘要：本发明属于原子传感器技术领域，具体涉及一种大均匀区三维磁线圈及其制造方法。本发明的大均匀区三维磁线圈包括支撑体、纵线圈和横线圈；本发明还提供一种大均匀区三维磁线圈的线圈参数设计方法，包括计算磁场分量、有效均匀性计算、优化求解和误差考量的步骤。本发明需要解决的技术问题为：现有的三维线圈内的均匀区不足够大的问题。本发明的大均匀区三维磁线圈具有大的球形均匀区，均匀区均匀性良好，满足了纵线圈高均匀性的要求；还提供了实现高均匀三维线圈的参数设计方法，可根据不同线圈结构方案找出最优参数，使线圈方案突破传统定式，实现线圈形式和性能的突破。
一种均匀三维线圈及其制造方法

[发明专利]一种原子气室抗弛豫镀膜方法-CN201510094655.4有效
发明人：郑辛;秦杰;王宇虹;孙晓光;田晓倩;汪世林;高溥泽;韩文法;万双爱;王春娥;刘建丰;郭宇豪 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于一种原子气室的镀膜方法，具体涉及一种原子气室的抗弛豫镀膜方法。它包括如下步骤：第一步：采用“Piranha”溶液清洗气室内壁；第二步：用去离子纯水漂洗；第三步：对气室进行高温除气；第四步：激活气室壁，进行镀膜前准备；第五步：配制OTS溶液；第六步：使待镀膜气室壁在镀膜溶液中浸泡；第七步：用氯仿对气室内壁进行冲洗；第八步：膜层固化及后处理。其优点是，解决了原子自旋与气室内壁的碰撞改变原子自旋指向而导致弛豫的问题；此外，根据气室内壁膜层抗弛豫要求，提出了气室内壁抗弛豫镀膜的工艺步骤，保证了该技术的可行性。
一种原子气室抗弛豫镀膜方法

[发明专利]一种主被动磁屏蔽方法-CN201410571671.3有效
发明人：郑辛;秦杰;汪世林;杨磊;高溥泽;韩文法;王宇虹;孙晓光 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G01C19/60 文献下载
摘要：本发明属于陀螺技术领域，具体涉及一种核磁共振陀螺用磁屏蔽方法。本发明的主被动磁屏蔽方法，包括：步骤一、被动屏蔽：在核磁共振陀螺的外部设置被动屏蔽层，所述屏蔽层为高导磁材料；步骤二、主动补偿：在核磁共振陀螺敏感结构的外部，被动屏蔽装置的内部设置主动补偿装置，所述主动补偿装置包括原子磁强计、三维磁场线圈和电流源。发明需要解决的技术问题为：现有磁屏蔽方法难以满足目前小体积核磁共振陀螺对环境磁场高效屏蔽要求的问题。本发明的方法在未增加核磁共振陀螺硬件部件的基础上，提高磁屏蔽性能。
核磁共振磁屏蔽陀螺主动补偿装置屏蔽层主被动高导磁材料原子磁强计高效屏蔽环境磁场敏感结构内部设置屏蔽装置三维磁场陀螺技术外部设置硬件部件主动补偿电流源屏蔽外部

[发明专利]一种微小型原子气室的制作方法-CN201410573376.1在审
发明人：郑辛;王宇虹;汪世林;秦杰;裴强;高溥泽;韩文法;杨磊;孙晓光 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明属于原子气室技术领域，具体涉及一种微小型原子气室的制作方法。本发明的方法包含选材切割、组件抛光、组装、表面抛光、安装排气管和后续处理的步骤。本发明需要解决的技术问题为：现有的微小型原子气室制作方法制作出的原子气室不能满足高精度原子器件对气室高精度、低应力、高纯度的技术要求。实现了高通光面光学质量、低用力、高气密性气室玻壳的制作。
一种微小原子制作方法

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