“马荣毅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电压自适应调整电路和芯片-CN202210510097.5有效
发明人： 马荣毅 -专利权人：中科芯磁科技（珠海）有限责任公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本申请提供了一种电压自适应调整电路和芯片。该电路包括自适应控制电路和电压调整电路，其中，自适应控制电路包括时钟检测模块和配置码调整模块，时钟检测模块的输出端与配置码调整模块的输入端电连接，时钟检测模块用于产生调整信号，配置码调整模块用于根据调整信号调整当前配置码，得到目标配置码；电压调整电路，电压调整电路的输入端与配置码调整模块的输出端电连接，电压调整电路的输出端与时钟检测模块的输入端电连接，用于根据目标配置码产生对应的目标电压。本方案解决了现有技术中无法自适应调整基于FDSOI工艺的芯片的背偏电压使背偏电压稳定的问题。
电压自适应调整电路芯片

[发明专利]存储结构与存储器-CN202210090163.8有效
发明人：赵凯;马荣毅;崔冰;吴利华;于芳 -专利权人：中科芯磁科技（珠海）有限责任公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储结构与存储器。该存储结构包括多个存储单元，各存储单元包括存储位元、开关单元、位线、字线和源极线，其中，存储位元包括磁隧道结，开关单元包括晶体管，晶体管的栅极与字线连接，源极与源极线连接，漏极与磁隧道结的钉扎层连接，多个存储单元包括至少一个第一存储单元，其中，第一存储单元的晶体管的背栅极和栅极连接，磁隧道结的自由层与位线连接。该存储结构，多个存储单元中包括至少一个第一存储单元，第一存储单元中的栅极和背栅极连接，栅极和字线连接，使得背偏电压与字线电压保持一致，从而在不增加存储阵列的面积的情况下就可以对背偏电压进行控制，进而提升了STT‑MRAM的电学性能。
存储结构存储器

[发明专利]双模式查找表结构及基于双模式查找表结构的查找方法-CN202310085887.8在审
发明人：赵凯;韩小炜;吴利华;崔冰;马荣毅;于芳 -专利权人：中科芯磁科技（珠海）有限责任公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种双模式查找表结构及基于双模式查找表结构的查找方法。该结构包括：第一存储单元，存储有第一查找表和第二查找表，第一查找表包括第一查找值，第一查找值根据预设逻辑函数获取得到，第二查找表包括第二查找值，第二查找值根据模拟计算模块计算得到；处理单元，与第一存储单元电连接，用于在接收到控制信号的情况下，从第一查找中查找第一查找值，或从第二查找表中计算出第二查找值。通过在传统的具有第一查找表的查找表结构的基础上增加了第二查找表，为内存的传输或运算提供了便利，提升了内存的处理效率，解决了现有冯诺依曼计算架构中内存的传输速率限制CPU计算能力的技术问题，能够为新的计算范式提供一种基础的算子单元。
双模查找结构基于方法