“颀邦科技股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果143个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体封装结构及其导线架-CN201210229726.3有效
发明人：郭志明;张世杰;倪志贤;谢庆堂;涂家荣;何荣华 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体封装结构及其导线架，该半导体封装结构包含一导线架、一芯片以及一封胶体，该导线架具有多个引脚，各该引脚具有一第一端部及一结合凸部，该第一端部具有一第一上表面，该结合凸部一体形成于该第一上表面且该结合凸部具有一环墙，该芯片设置于所述引脚上方，该芯片具有多个凸块及多个焊料，所述结合凸部嵌入于所述焊料以使所述焊料包覆所述结合凸部的所述环墙，且所述焊料覆盖所述第一上表面，该封胶体包覆该芯片及所述引脚。
半导体封装结构及其导线

[发明专利]半导体工艺及其半导体结构-CN201210229720.6有效
发明人：郭志明;何荣华;林恭安;陈昇晖 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体工艺，其包含提供一个基板，该基板具有金属层，该金属层包含有第一金属层及第二金属层，该第一金属层具有多个第一基底区及多个第一外侧区，该第二金属层具有多个第二基底区及多个第二外侧区；形成第一光刻胶层；形成多个承载部；移除该第一光刻胶层；形成第二光刻胶层；形成多个导接部，各该导接部具有第一接合层及第二接合层，各该第一接合层连接各该承载部；移除该第二光刻胶层以显露出所述导接部及所述承载部；移除所述第一外侧区；回焊所述第二接合层，以使所述第二接合层覆盖所述第一接合层以形成多个混成凸块；以及移除所述第二外侧区，以使所述第一基底区及所述第二基底区形成多个凸块下金属层。
半导体工艺及其结构

[发明专利]半导体封装结构及其封装方法-CN201210100708.5有效
发明人：谢庆堂;郭志明;涂家荣;张世杰;倪志贤;何荣华;吴钏有;林恭安 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体封装结构，其包含一第一基板、一第二基板及一封胶体，该第一基板具有多个第一凸块及多个第一焊料层，各该第一焊料层形成于各该第一凸块上且各该第一焊料层具有一锥状凹槽，该锥状凹槽具有一内侧壁，该第二基板具有多个第二凸块及多个第二焊料层，各该第二焊料层形成于各该第二凸块上，各该第二焊料层为一锥状体且具有一外环壁，各该第二焊料层结合于各该第一焊料层且各该第二焊料层容设于各该第一焊料层，各该锥状凹槽的该内侧壁接触各该第二焊料层的该外环壁，该封胶体形成于该第一基板及该第二基板之间。
半导体封装结构及其方法

[实用新型]半导体结构-CN201220713058.7有效
发明人：施政宏;谢永伟;王凯亿 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含硅基板、多个第一凸块下金属层、多个第一缓冲层、支撑层以及多个导接部，该硅基板具有多个导接垫及保护层，该些第一凸块下金属层覆盖该保护层及该些导接垫，各该第一凸块下金属层具有第一环壁，各该第一缓冲层分别形成于各该第一凸块下金属层上，各该第一缓冲层具有接合部、包埋部及第二环壁，该支撑层形成于该保护层、该些第一凸块下金属层及该些第一缓冲层上，该支撑层包覆各该第一环壁、各该第二环壁及各该包埋部，各该导接部覆盖各该接合部。
半导体结构

[发明专利]凸块制造工艺及其结构-CN201110423997.8有效
发明人：郭志明;邱奕钏;何荣华 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中的凸块制造工艺其包含提供一硅基板，该硅基板具有多个焊垫；形成一含钛金属层于该硅基板，该含钛金属层具有多个第一区及第二区；形成一光阻层于该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽；形成多个凸块底部包覆层于该含钛金属层上；形成多个铜凸块于上述开槽内；进行一加热步骤；形成多个凸块外部包覆层，以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层，并完全包覆各该铜凸块以形成一凸块包裹层；形成多个接合层于各该凸块外部包覆层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的上述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一凸块下金属层。本发明提供的技术方案能够避免短路情形的出现。
制造工艺及其结构

[发明专利]凸块工艺-CN201110423999.7有效
发明人：郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。
工艺

[实用新型]半导体结构-CN201220526059.0有效
发明人：邱祥清;吴声明;杨光浩;林恭安;王晨聿 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含硅基板、钛层、镍层、银层以及金属材质黏着层，该硅基板具有背面，该钛层形成于该背面，该钛层具有上表面，该镍层形成于该上表面，该银层形成于该镍层上，该金属材质黏着层形成于该镍层及该银层之间。
半导体结构

[发明专利]具有金属芯部的立体电感承载器制作方法及其结构-CN201110264036.7有效
发明人：郭志明;徐佑铭 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有金属芯部的立体电感承载器制作方法及其结构，该方法，包含下列步骤：提供基板；形成第一金属层，使该第一金属层具有第一导接垫及多个第一电感部，各该第一电感部具有第一连接端点及第二连接端点；形成第一介电层于该防护层形成第二金属层，使该第二金属层具有第二电感部、多个第三电感部、多个第四电感部及金属芯部，该第二电感部连接该第一导接垫，各该第三电感部连接各该第二连接端点，各该第四电感部连接各该第一连接端点；形成第二介电层于该第一介电层；形成第三金属层，使该第三金属层具有第五电感部及多个第六电感部，该第五电感部连接该第二电感部及该第三电感部，各该第六电感部连接该第三电感部及该第四电感部。
具有金属立体电感承载制作方法及其结构

[发明专利]具有弹性凸块的基板结构及其制造方法-CN201110240235.4无效
发明人：谢庆堂 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有弹性凸块的基板结构，包含一基板、多个绝缘凸块本体以及一金属层，该基板具有一表面、一线路层及一保护层，该线路层具有多个导接端，各该导接端具有一外侧壁及一上表面，该保护层具有多个开口，各该开口具有一内侧壁，其中该内侧壁及该外侧壁之间具有一第一容置空间，各该绝缘凸块本体具有一顶面、一内侧面及一外侧面，各该绝缘凸块本体有一第一本体部及一第二本体部，该第一本体部具有一第一宽度，该第二本体部位于该第一本体部上方且凸出于该保护层，该内侧壁及该外侧壁之间具有一第二宽度，该第二宽度不小于该第一宽度，该金属层形成于各该绝缘凸块本体的该顶面、该内侧面及各该导接端的该上表面。
具有弹性板结及其制造方法

[实用新型]半导体结构及其封装构造-CN201220323951.9有效
发明人：郭志明;何荣华;林恭安;陈昇晖 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种半导体结构及其封装构造，该半导体结构包含一个载体以及多个钮扣状凸块，该载体具有多个凸块下金属层，所述钮扣状凸块形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区。
半导体结构及其封装构造

[实用新型]半导体结构-CN201220380055.6有效
发明人：郭志明;何荣华;张世杰;黄家晔;谢庆堂 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含有载体以及多个混成凸块，该载体具有表面及多个凸块下金属层，上述混成凸块形成于上述凸块下金属层上，各该混成凸块具有芯部及接合部，该芯部具有顶面，该接合部包含有第一接合层及第二接合层，该第一接合层形成于该芯部的该顶面及该凸块下金属层，其中该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，该基底部具有上表面，该凸出部凸出于该上表面，且该凸出部位于该芯部上方，该容置空间位于该凸出部外侧，该第二接合层覆盖该凸出部及该上表面且填充于该容置空间。
半导体结构

[实用新型]半导体封装结构-CN201220144652.9有效
发明人：谢庆堂;郭志明;涂家荣;张世杰;倪志贤;何荣华;吴钏有;林恭安 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种半导体封装结构，其包含一第一基板、一第二基板及一封胶体，该第一基板具有多个第一凸块及多个第一焊料层，各该第一焊料层形成于各该第一凸块上且各该第一焊料层具有一锥状凹槽，该锥状凹槽具有一内侧壁，该第二基板具有多个第二凸块及多个第二焊料层，各该第二焊料层形成于各该第二凸块上，各该第二焊料层为一锥状体且具有一外环壁，各该外环壁及该第二表面之间具有一第一夹角，各该第二焊料层是结合于各该第一焊料层且各该第二焊料层是容置于各该第一焊料层，各该锥状凹槽的该内侧壁是接触各该第二焊料层的该外环壁，该封胶体形成于该第一基板及该第二基板之间。
半导体封装结构

[发明专利]凸块制造工艺及其结构-CN201110194648.3有效
发明人：谢庆堂;郭志明 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中制造工艺包括：提供一基板；形成一含铜金属层于该基板，含铜金属层具有第一区及第二区；形成一光阻层于含铜金属层；图案化光阻层；形成铜凸块且各铜凸块具有一第一顶面；形成一导接层于第一顶面，该导接层具有一第二顶面；移除光阻层；移除第二区，并使第一区形成一凸块下金属层，各凸块下金属层具有一第一外周壁，各铜凸块具有一第二外周壁，导接层具有一第三外周壁；形成一防游离层，防游离层具有一覆盖基板的第一覆盖段、一覆盖第一外周壁、第二外周壁及第三外周壁的第二覆盖段、一第三覆盖段及一移除段是覆盖该第二顶面；形成一介电层于防游离层；图案化该介电层；及移除该移除段以显露该第二顶面。
制造工艺及其结构

[实用新型]微细间距凸块结构-CN201220058795.8有效
发明人：施政宏;谢永伟;林淑真;林政帆;戴华安 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种微细间距凸块结构，其至少包含：一硅基板、多个凸块下金属层、多个铜凸块、多个凸块保护层及多个可润湿层，该硅基板具有多个焊垫，该些凸块下金属层形成于该些焊垫上，各该凸块下金属层具有一凸块承载部及一延伸部，该些铜凸块形成于该些凸块下金属层上，且各该铜凸块具有一第一顶面及一环壁，该些凸块保护层形成于该些凸块下金属层的该些延伸部、各该铜凸块的该第一顶面及该环壁上，各该凸块保护层具有一凸块覆盖部及一金属层覆盖部，各该凸块覆盖部包覆各该铜凸块的该第一顶面及该环壁，且该凸块覆盖部具有一第二顶面，各该金属层覆盖部覆盖各该延伸部，该些可润湿层形成于该些凸块覆盖部的该些第二顶面上。
微细间距结构

[实用新型]半导体封装结构-CN201220009002.3有效
发明人：施政宏;林淑真;林政帆;谢永伟;刘明益 -专利权人： 颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种半导体封装结构，其包含一基板、一晶片以及一非导电胶体，该基板具有一上表面及多个设置于该上表面的连接垫，各该连接垫具有一第一接合表面，该晶片覆晶结合于该基板，该晶片具有一主动面及多个设置于该主动面的含铜凸块，该主动面朝向该基板的该上表面且该些含铜凸块直接接合于该些连接垫，各该含铜凸块具有一第二接合表面及一环壁，该非导电胶体形成于该基板及该晶片之间，该非导电胶体具有多个保护材，该些保护材包覆该些含铜凸块的该些环壁。
半导体封装结构