专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]芯片测试板及测试方法-CN202310147575.5有效
  • 顾勋;刘凡;葛蕤馨;李垣杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-08-04 - G01R31/28
  • 本公开提供了一种芯片测试板及测试方法,涉及半导体技术领域。包括:多个芯片测试支路,每个芯片测试支路对应一个待测芯片;每个芯片测试支路包括相串联的开关元件和芯片连接元件,芯片连接元件用于连接与该个芯片测试支路所对应的待测芯片;开关控制装置,用于向目标芯片测试支路的开关元件发送开关导通信号,开关导通信号用于控制目标芯片测试支路的开关元件导通,其中,目标芯片测试支路包括至少一个芯片测试支路;芯片管理装置,用于在目标芯片测试支路的开关元件导通时,通过目标芯片测试支路中的芯片连接元件的一端获取目标芯片测试支路所对应的待测芯片的电性能参数。根据本公开实施例,能够提高芯片测试效率。
  • 芯片测试方法
  • [发明专利]读出电路及其方法-CN202210055659.1有效
  • 顾勋;李垣杰;邓升成 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-18 - 2023-07-14 - G11C7/12
  • 本发明公开了一种读出电路及其方法,读出电路包括:感测放大单元,设置于相邻的两个存储单元之间,通过位线连接存储单元,通过互补位线连接互补存储单元;感测放大单元包括P型晶体管和N型晶体管,P型晶体管的一端与N型晶体管的一端连接,另一端与上拉电压连接;N型晶体管的另一端与下拉电压连接,N型晶体管的控制端通过位线及互补位线控制;控制单元,用于响应控制信号,连接P型晶体管和N型晶体管;开关单元,连接P型晶体管的控制端,用于响应开关信号,导通P型晶体管传输上拉电压。预先对感测放大单元进行补偿,消除阈值电压差,能够正确读取数据,提高读出电路的读取速度、灵敏度及准确率。
  • 读出电路及其方法
  • [发明专利]一种基板、显示面板-CN201911309325.7有效
  • 顾勋;梅文娟;鉏文权;储汉奇;杨海龙;王世宝 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
  • 2019-12-18 - 2023-05-26 - G02F1/167
  • 本发明实施例提供一种基板、显示面板,涉及显示技术领域,可避免出光不均匀。一种基板,包括衬底,像素界定层,设置于所述衬底上;所述像素界定层包括多个像素开孔以及围设于所述像素开孔周边的挡墙;多个电极对;一个所述像素开孔的位置设置有一个所述电极对;所述电极对包括相互绝缘的第一电极和第二电极;所述第一电极和所述第二电极至少与所述挡墙的侧壁的一部分相接触;多个发光单元,所述发光单元的至少一部分设置于所述像素开孔内,且所述发光单元与所述第一电极和所述第二电极相接触;所述发光单元包括液态发光层;所述第一电极和所述第二电极用于形成控制所述液态发光层与所述挡墙的侧壁的接触角的电场。
  • 一种显示面板
  • [发明专利]温度异常检测方法及装置-CN202211284146.4有效
  • 顾勋;张睦;吕兆星;朱海波;石格立;祝李军;李永霞 - 正大农业科学研究有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-05-05 - G01K3/10
  • 本发明属于环境温度检测技术领域,提供了一种温度异常检测方法及装置,该温度异常检测方法包括:获取多个时间点分别对应的温度数据;基于多个时间点分别对应的温度数据,以及多个时间点分别对应的目标温度数据,得到多个时间点分别对应的第一温差;在多个时间点中至少两个连续时间点分别对应的第一温差均大于第一阈值时,确定至少两个连续时间点对应的温度数据为异常温度数据;和/或,在时间点t对应的第一温差大于第二阈值的情况下,确定时间点t对应的温度数据为异常温度数据。本发明所述方法实现对环境温度的智能监控,提高了异常温度检测效率,并节约了成本。
  • 温度异常检测方法装置
  • [发明专利]一种封装芯片测试装置-CN202210347701.7在审
  • 顾勋;司敏;邓升成 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-07-12 - G01R31/28
  • 本申请涉及芯片测试技术领域,公开了一种封装芯片测试装置,包括测试插座以及调节装置,其中:测试插座包括壳体和加热模组,其中,壳体内部具有容置空间,芯片位于壳体内;加热模组位于壳体内,且加热模组可与芯片导热连接;调节装置与加热模组电性连接,调节装置还用于调节加热模组的供电电压。本申请公开的封装芯片测试装置,不仅可实现对每一个测试插座的单独加热,还可实现温度的精准控制,并降低成本。
  • 一种封装芯片测试装置
  • [发明专利]电致发光器件、其制备方法及显示装置-CN201910008690.8有效
  • 梅文娟;顾勋;李纪;白雪 - 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-01-04 - 2020-12-29 - H01L51/52
  • 提供一种电致发光器件的制备方法,包括:提供衬底基板及在所述衬底基板上形成发光单元;及将形成有所述发光单元的衬底基板以所述发光单元所在的平面垂直于溶液液面的方向浸入所述溶液中,然后以所述浸入的方向相反的方向均速拉出所述衬底基板,所述溶液的溶质包括有机半导体材料和高分子聚合物,所述溶液的溶剂为能够溶解所述有机半导体材料和所述高分子聚合物的有机溶剂;所述有机半导体材料与所述高分子聚合物在所述有机溶剂中的溶解度不同。还提供一种电致发光器件。本发明利用浸渍提拉过程中有机半导体材料与高分子聚合物在同一溶剂中的不同溶解度来实现高稳定性且功能化的有机薄膜封装。该技术可应用于透明柔性显示器、逻辑电路及医疗传感等众多领域。
  • 电致发光器件制备方法显示装置
  • [发明专利]薄膜取向结晶生长的X射线衍射原位表征方法-CN201710301167.5有效
  • 王向华;顾勋 - 合肥工业大学
  • 2017-05-02 - 2020-03-17 - G01N23/207
  • 本发明公开了一种薄膜取向结晶生长的X射线衍射原位表征方法,首先采用对称反射扫描方式测量薄膜的面外衍射峰位置,确认薄膜的面外取向特征;然后基于初始原胞参数,在预测方位附近,采用非对称反射扫描方式获取一组晶面与衬底形成倾斜夹角的晶面组的衍射峰位置;基于初始原胞参数,计算测量所得衍射峰位置与预测值之间的差距δ,通过修正晶格参数和循环迭代计算不断减小δ直到足够小,从而获得更准确的晶格参数信息。本发明采用计算机辅助的计算方式,可以在几秒钟的时间内获得足够高的分析精度,其输出数据可以直接作为下一个测量周期的输入值,因此可以形成一个高速的动态测量分析系统。
  • 薄膜取向结晶生长射线衍射原位表征方法

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