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[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211314839.3有效
发明人：宋富冉;周儒领;韩飘飘;伯秀秀;晋华东 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，半导体器件包括衬底、第一栅极结构、第二栅极结构、层间介质层和共享插塞；在第一方向上第一栅极结构的一端超出第一初始位置并延伸至第一位置，以通过延长第一栅极结构的长度来确保第一栅极结构的端盖形貌符合设定标准，提高器件性能。以及，共享插塞的第一延伸端与第二栅极结构相接，第二延伸端与位于第二栅极结构的一侧的衬底相接；第一延伸端和第二延伸端之间间隔有层间介质层，用于保护第二栅极结构，避免其被侵蚀而导致的漏电流问题。在制备方法中，通过特定的改进图案化光刻胶层，仅采用一步刻蚀工艺即实现制备共享接触孔，无需多次反复显影以及填充刻蚀，工艺制备简单，有助于提高制备效率。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202210664390.7有效
发明人：宋富冉;黄厚恒;周儒领;韩飘飘;金磊 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有连接结构和晶体管；在衬底表面形成层间介质层，以覆盖连接结构和晶体管；在层间介质层中形成多个接触孔，以分别暴露出部分衬底表面、部分连接结构以及部分晶体管；形成接触孔侧壁结构，以覆盖每个接触孔的侧壁；执行至少两次湿法清洗；其中，最后一次湿法清洗为采用液氨浸泡处理；填充所有接触孔，以形成多个金属插塞。即通过形成接触孔侧壁结构，以阻隔酸溶液与接触孔暴露出的膜层，避免发生寄生化学反应，影响接触效果。且液氨浸泡不仅能去除接触孔底部产生的寄生氧化层以及氟，降低接触电阻，还能降低金属硅化物层的氧化速率，并保证接触孔底部关键尺寸控制在预设范围内。
半导体器件制备方法

[发明专利]高熵合金纳米框架及其制备方法-CN202110102110.9有效
发明人：淡振华;韩飘飘;曾冬梅 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及高熵合金纳米材料领域，提供一种高熵合金纳米框架及其制备方法，包括：按照摩尔比1:1:1:1:1:x称量Fe、Cr、Co、Mn、Ni、Al原料并混合，采用高频感应熔炼炉制备高熵合金，在惰性气体保护环境下冷却成合金铸锭；合金铸锭成分为FeCrCoMnNiAlx体系，其中x为摩尔比，取值为0.5～0.9；所述合金中各组成元素按照原子百分比包括：Fe、Cr、Co、Mn、Ni，原子百分比均为17～18.2at％；Al为9～15at％；将合金铸锭进行化学刻蚀，制备高熵合金纳米框架材料，高熵合金纳米框架结构为FCC相和BCC相两相结构，孔径尺寸在120nm～150nm。
合金纳米框架及其制备方法

[发明专利]具有纳米片层结构的多孔Fe催化基体材料及其制备方法-CN202011105762.X有效
发明人：淡振华;曾强强;韩飘飘;徐子豪;秦凤香 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米片层结构的多孔Fe催化基体材料，所述多孔Fe催化基体材料呈纳米片层结构，包括孔道和金属韧带，孔道和金属韧带相互嵌套，孔道之间相互贯通形成连续的多孔结构，其中，所述多孔Fe催化基体材料包含97‑99％的α‑Fe相。本发明还公开了一种具有纳米片层结构的多孔Fe催化基体材料的制备方法。本发明的多孔Fe催化基体材料具有纳米片层结构及其内相互嵌套的孔道和金属韧带组成的双模式结构，增强了材料的分散性和比表面积，有效避免了纳米颗粒的团聚，并为降解反应提供了更多的附着点，加快了反应速度，且避免了负载存在的负载量低及纳米铁不能进入孔道而导致的反应效果差的问题。
具有纳米结构多孔 fe 催化基体材料及其制备方法

[发明专利]高熵合金纳米框架-二氧化锰复合超级电容电极及其制备-CN201910689664.6有效
发明人：淡振华;韩飘飘;曾冬梅 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01G11/66 文献下载
摘要：本发明涉及高熵合金纳米材料领域，提供一种高熵合金纳米框架以及高熵合金纳米框架‑二氧化锰复合超级电容电极及其制备方法，包括首先制备Fe‑Cr‑Co‑Mn‑Ni‑Al高熵合金铸锭，作为化学刻蚀法前驱体；再将合金置于硫酸溶液中进行化学刻蚀处理制备单相高熵合金纳米框架材料；最后在高锰酸钾溶液中利用脉冲电沉积法在高熵合金纳米框架结构上沉积二氧化锰，制得复合超级电容电极材料。综合高熵合金纳米框架的高导电性、高活性、大比表面积和二氧化锰的性能，可提高二氧化锰氧化物在存储器、超级电容器等方面的使用效率。
合金纳米框架二氧化锰复合超级电容电极及其制备